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公开(公告)号：CN118201451A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202211599931.9
申请日：2022-12-12
Abstract: 本发明公开了一种单晶石墨烯晶圆薄膜的转移方法。本发明的转移方法能够实现石墨烯晶圆的无损转移，完整度大于>90％。本发明的转移方法兼容石墨烯的层层转移，可实现1‑100层的均匀石墨烯晶圆的转移。此外，此转移方法操作简便快速，可在15分钟内轻松完成。
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公开(公告)号：CN116791199A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202210247183.1
申请日：2022-03-14
Abstract: 本发明提供一种无孪晶单晶金属晶圆的制备方法。通过磁控溅射的方法在蓝宝石单晶晶圆衬底上溅射一定厚度的金属薄膜。将溅射好的金属/蓝宝石晶圆放置于平面加热板上，在金属晶圆和加热板之间放置一个一定尺寸的石墨垫片。石墨垫片位于金属晶圆中心位置的正下方，使得在平面加热板的升温过程中，金属晶圆位于一个由中心到边缘梯度分布的温度场中进行退火单晶化。通过调节石墨垫片的尺寸和加热板的温度，可以显著降低单晶金属晶圆的面内孪晶密度。本发明解决了现有金属晶圆单晶化过程中存在的面内孪晶问题，可以实现无孪晶单晶金属晶圆的可控制备。
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公开(公告)号：CN116789127A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310890378.2
申请日：2023-07-19
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯薄膜的转移方法，包括：在直接生长于金属基底上的石墨烯薄膜表面旋涂高分子薄膜；在高分子薄膜上贴合热释放胶带TRT，形成TRT/高分子薄膜/石墨烯薄膜/金属基底复合结构；将TRT/高分子薄膜/石墨烯薄膜与金属基底分离；将TRT/高分子薄膜/石墨烯薄膜贴合至目标衬底；加热释放热释放胶带TRT，得到高分子薄膜/石墨烯薄膜/目标衬底复合结构，将去除TRT后的高分子薄膜/石墨烯薄膜/目标衬底复合结构继续保持在热台上；用水洗涤去除高分子薄膜，得到石墨烯薄膜/目标衬底复合结构。对石墨烯薄膜的损坏程度更小，可以得到完整度更高的石墨烯薄膜，且操作简便、原料环保，有利于工业化。
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公开(公告)号：CN118461125A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202310141951.X
申请日：2023-02-08
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯单晶晶圆的层数控制方法。通过在石墨烯生长晶圆衬底表面增加遮盖物晶圆，构筑限域反应体系，实现石墨烯表面气相反应以及伴生双层结构的有效抑制，可以实现高单层率石墨烯单晶晶圆的可控制备。本发明将为石墨烯晶圆材料的品质提升提供技术支持，有助于推动石墨烯晶圆材料未来在电子与光电子器件的应用进展。
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公开(公告)号：CN118458756A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202310133866.9
申请日：2023-02-08
IPC: C01B32/186 , C01B32/194 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种双层石墨烯晶圆及其制备方法，通过在石墨烯晶圆的生长过程中引入微量的二氧化碳气体，实现了AB堆垛的双层石墨烯晶圆的可控生长。本方法对于探究石墨烯晶圆层数的调控机理，实现双层石墨烯晶圆的可控制备来说具有重要的意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108821273A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201811109110.6
申请日：2018-09-21
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明提供一种真空石墨烯转移装置及真空石墨烯转移方法，真空石墨烯转移装置包括壳体、升降机构、支撑凸台以及加热装置。壳体内部具有真空腔体，升降机构设于壳体并包括可升降地设于真空腔体内的压板，石墨烯薄膜固定于压板底部。支撑凸台设于真空腔体内且位于压板下方，目标基底固定于支撑凸台上。加热装置，设于真空腔体内且连接于支撑凸台，加热装置用于通过支撑凸台加热目标基底。其中，真空石墨烯转移装置通过升降机构将石墨烯薄膜下压至目标基底上，并通过加热装置加热，将石墨烯薄膜转移至目标基底。从而实现提高石墨烯转移的完整度，同时降低了石墨烯水氧掺杂，具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN119240682A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411461808.X
申请日：2024-10-18
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开一种石墨烯薄膜的处理方法及该处理方法得到的石墨烯薄膜。所述石墨烯薄膜的处理方法，包括：采用臭氧对石墨烯薄膜进行处理。本发明采用温和的臭氧(O3)处理石墨烯薄膜，不会改变石墨烯晶格结构。同时，由于臭氧氧化性极强，能够有效去除有机杂质和污染物，同时也能改变材料表面的化学性质。首先，通过臭氧处理可以在石墨烯表面引入含氧官能团(如羧基、羟基等)，提升其亲水性，增加与其他材料的结合能力。其次，臭氧处理可以优化石墨烯的电导性，提升其在光电子器件或电子器件中的性能，例如在电池、电容器、场效应晶体管或霍尔元件等中的应用。本发明的方法简便快捷，有良好的工业化前景。
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公开(公告)号：CN111485224B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN201910085922.X
申请日：2019-01-29
IPC: C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/26
Abstract: 本发明提供了一种化学气相沉积装置及化学气相沉积方法。化学气相沉积装置用于制备薄膜材料，包括第一腔室、第二腔室、过渡腔室、底盘以及传送机构。第一腔室和第二腔室用于薄膜材料的生长或后处理。过渡腔室通过隔离件分别连通于第一腔室和第二腔室。底盘用于装载生长衬底。传送机构被配置为在第一腔室和过渡腔室之间传送底盘，以及在第二腔室和过渡腔室之间传送底盘。本发明提供的化学气相沉积方法利用上述的装置进行薄膜材料的生长或后处理。
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公开(公告)号：CN116856050A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202210315664.1
申请日：2022-03-28
Abstract: 本发明公开了一种适用于单晶石墨烯晶圆生长的合金衬底。单晶石墨烯晶圆的制备包括以下步骤：1)构筑铜钴(111)合金晶圆，其中将磁控溅射制备的铜钴合金/蓝宝石晶圆置于化学气相沉积系统中进行退火处理，得到铜钴(111)合金晶圆；2)通入气态碳源，在所述铜钴(111)合金晶圆表面外延生长单晶石墨烯。本方法一方面有利于解决现有铜晶圆高温退火单晶化时表面的热沟壑问题，从而提高合金晶圆的表面平整度和均匀性。另一方面，本方法利用钴元素自身的高催化活性和溶碳量，可以实现石墨烯单晶晶圆畴区尺寸、生长速率和层数的有效调控。
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公开(公告)号：CN108821273B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201811109110.6
申请日：2018-09-21
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明提供一种真空石墨烯转移装置及真空石墨烯转移方法，真空石墨烯转移装置包括壳体、升降机构、支撑凸台以及加热装置。壳体内部具有真空腔体，升降机构设于壳体并包括可升降地设于真空腔体内的压板，石墨烯薄膜固定于压板底部。支撑凸台设于真空腔体内且位于压板下方，目标基底固定于支撑凸台上。加热装置，设于真空腔体内且连接于支撑凸台，加热装置用于通过支撑凸台加热目标基底。其中，真空石墨烯转移装置通过升降机构将石墨烯薄膜下压至目标基底上，并通过加热装置加热，将石墨烯薄膜转移至目标基底。从而实现提高石墨烯转移的完整度，同时降低了石墨烯水氧掺杂，具有重要的应用价值。
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