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公开(公告)号：CN101009222A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710063106.6
申请日：2007-01-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了制备碳纳米管电子器件的方法，该方法包括如下步骤：1)使碳纳米管分布在绝缘电介质层基底表面；2)在绝缘电介质层基底上镀上金属薄膜；3)在金属薄膜上形成图案化的自组装单层膜；4)刻蚀；5)后处理。与文献中已有的方法比较，本发明方法具有很多独特的优点：方法简单易行，不需要复杂和昂贵的仪器设备；属于并行处理类的方法，能够实行工业自动化和大规模集成；可以突破光刻技术的极限，达到几十个纳米量级的电极间距；操作条件温和，在室温进行反应，避免了化学气相沉积不能适用于低熔点金属的特点；工艺周期很短，全部过程只需要五个小时左右；产率高，成本低廉，应用范围广泛，具备商业化运用的广阔前景。
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