公开(公告)号：CN101671013A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200810222216.7

申请日：2008-09-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 张锦 ,  姚亚刚 ,  冯超群 ,  刘忠范

IPC: C01B31/02

Abstract: 本发明公开了一种克隆生长单壁碳纳米管的方法。该方法是将至少有一端开口的单壁碳纳米管放入化学气相沉积容器中，在所述容器中通入Ar气和H 2 ，其中Ar气和H 2 的气体流量分别为500sccm、300sccm；将所述容器由室温升至到700℃，并恒温稳定10～60分钟，之后升到二次生长温度900～1050℃，达到二次生长温度后关闭Ar气体，继续通300sccm氢气，然后通入碳源，二次生长5～30分钟，得到克隆生长的单壁碳纳米管；所述碳源为下述a)或b)：所述a)为气体流量为50～300sccmCH 4 和气体流量为1～20sccm C 2 H 4 ；所述b)为气体流量为50～300sccmCH 4 和气体流量为1～20sccm C 2 H 4 。这种以开口生长机理克隆生长单壁碳纳米管的技术可以推广到其它纳米结构材料的合成中，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN101671013B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200810222216.7

申请日：2008-09-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 张锦 ,  姚亚刚 ,  冯超群 ,  刘忠范

IPC: C01B31/02

Abstract: 本发明公开了一种克隆生长单壁碳纳米管的方法。该方法是将至少有一端开口的单壁碳纳米管放入化学气相沉积容器中，在所述容器中通入Ar气和H2，其中Ar气和H2的气体流量分别为500sccm、300sccm；将所述容器由室温升至到700℃，并恒温稳定10～60分钟，之后升到二次生长温度900～1050℃，达到二次生长温度后关闭Ar气体，继续通300sccm氢气，然后通入碳源，二次生长5～30分钟，得到克隆生长的单壁碳纳米管；所述碳源为下述a)或b)：所述a)为气体流量为50～300sccmCH4和气体流量为1～20sccmC2H4；所述b)为气体流量为50～300sccmCH4和气体流量为1～20sccmC2H4。这种以开口生长机理克隆生长单壁碳纳米管的技术可以推广到其它纳米结材料的合成中，具有广阔的应用前景。