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公开(公告)号：CN101200291A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710178428.5
申请日：2007-11-30
Applicant: 北京大学
CPC classification number: B82B3/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/172 , C01B32/18 , C01B2202/02 , C01B2202/22 , Y10S977/734 , Y10S977/845
Abstract: 本发明公开了去除单壁碳纳米管中金属性单壁碳纳米管制备半导体性单壁碳纳米管的方法，是将所述单壁碳纳米管置于一定强度的光下照射，即去除金属性单壁碳纳米管，得到所述半导体性单壁碳纳米管，其中，照射到碳纳米管样品表面、波长范围在180nm～11μm内的光的总强度为30mW/cm2～300mW/cm2。相对于已有的方法，本发明方法具有操作步骤简单易控且环保、去除金属性单壁碳纳米管的效果好、适用性广、成本低廉、并能保持碳管原貌等诸多优点，具有非常强的实用性和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101195482B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200710179050.0
申请日：2007-12-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种生长半导体性单壁碳纳米管的方法。本发明所提高的生长半导体性单壁碳纳米管的方法，包括如下步骤：1)在基底上放置催化剂；2)将所述基底放置于两个电极板之间，在化学气相沉积系统中采用化学气相沉积方法在所述基底上生长得到半导体性单壁碳纳米管阵列；所述电极板上施加有电压，两个电极板中间形成有电场。本发明采用电场辅助的方法使金属性单壁碳纳米管在生长的过程中受到扰动，从而使半导体性单壁碳纳米管和金属性单壁碳纳米管在生长过程中得到分离，最终选择性生长出半导体性单壁碳纳米管，相对于后处理的方法，直接合成的半导体性碳纳米管没有经过其它处理，具有更完美的结构和分散性，更适合用来构建各种碳纳米管器件。
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公开(公告)号：CN100569637C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200710178428.5
申请日：2007-11-30
Applicant: 北京大学
CPC classification number: B82B3/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/172 , C01B32/18 , C01B2202/02 , C01B2202/22 , Y10S977/734 , Y10S977/845
Abstract: 本发明公开了去除单壁碳纳米管中金属性单壁碳纳米管制备半导体性单壁碳纳米管的方法，是将所述单壁碳纳米管置于一定强度的光下照射，即去除金属性单壁碳纳米管，得到所述半导体性单壁碳纳米管，其中，照射到碳纳米管样品表面、波长范围在180nm～11μm内的光的总强度为30mW/cm2～300mW/cm2。相对于已有的方法，本发明方法具有操作步骤简单易控且环保、去除金属性单壁碳纳米管的效果好、适用性广、成本低廉、并能保持碳管原貌等诸多优点，具有非常强的实用性和广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100534900C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200610113213.0
申请日：2006-09-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种控制转移单壁碳纳米管阵列结构的方法，属于纳米结构制备和加工技术领域。该方法包括：(1)在生长基底上制备单壁碳纳米管阵列结构；(2)在其制有单壁碳纳米管阵列结构的生长基底表面旋涂一层聚酯溶液，置于烘箱中烘烤除去溶剂，形成聚酯膜；(3)将覆有聚酯膜的基底置于碱溶液中加热使其微沸，至聚酯膜脱离生长基底而浮起；(4)以超纯水洗净聚酯膜，并将其贴于目标基底表面上，用高纯氮气吹干，再次置于烘箱中烘烤；(5)将表面贴有聚酯膜的目标基底经曝光、显影、定影过程除去聚酯膜，即可高效、方便的将单壁碳纳米管阵列结构保持原貌的控制转移到任意目标基底上。
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公开(公告)号：CN101148254A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200610113213.0
申请日：2006-09-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种控制转移单壁碳纳米管阵列结构的方法，属于纳米结构制备和加工技术领域。该方法包括：(1)在生长基底上制备单壁碳纳米管阵列结构；(2)在其制有单壁碳纳米管阵列结构的生长基底表面旋涂一层聚酯溶液，置于烘箱中烘烤除去溶剂，形成聚酯膜；(3)将覆有聚酯膜的基底置于碱溶液中加热使其微沸，至聚酯膜脱离生长基底而浮起；(4)以超纯水洗净聚酯膜，并将其贴于目标基底表面上，用高纯氮气吹干，再次置于烘箱中烘烤；(5)将表面贴有聚酯膜的目标基底经曝光、显影、定影过程除去聚酯膜，即可高效、方便的将单壁碳纳米管阵列结构保持原貌的控制转移到任意目标基底上。
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公开(公告)号：CN100580551C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200610113179.7
申请日：2006-09-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于合成碳纳米管的催化剂的定位的方法。该方法，包括以下步骤：1)在基底上涂光刻胶并烘干；2)配制催化剂溶液；3)用蘸有催化剂溶液的原子力显微镜针尖穿透光刻胶涂层，将针尖上的溶液转移到基底上；4)剥离光刻胶，得到定位有催化剂图形的基底。本发明可以在厘米以上尺度范围，获得线条宽度在1μm以内、点直径在1微米以内、定位精度在5μm以内的催化剂图案，而且具有在同一基底上精确定位两种或两种以上催化剂的能力。相对于普通的纳米蘸笔印刷技术而言，本发明可以淀积大量的物质，淀积的催化剂可以用于表面合成碳纳米管。本发明是对纳米蘸笔印刷技术在纳米材料合成等领域的拓展，具有非常强的实用性和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101195482A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710179050.0
申请日：2007-12-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种生长半导体性单壁碳纳米管的方法。本发明所提高的生长半导体性单壁碳纳米管的方法，包括如下步骤：1)在基底上放置催化剂；2)将所述基底放置于两个电极板之间，在化学气相沉积系统中采用化学气相沉积方法在所述基底上生长得到半导体性单壁碳纳米管阵列；所述电极板上施加有电压，两个电极板中间形成有电场。本发明采用电场辅助的方法使金属性单壁碳纳米管在生长的过程中受到扰动，从而使半导体性单壁碳纳米管和金属性单壁碳纳米管在生长过程中得到分离，最终选择性生长出半导体性单壁碳纳米管，相对于后处理的方法，直接合成的半导体性碳纳米管没有经过其它处理，具有更完美的结构和分散性，更适合用来构建各种碳纳米管器件。
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公开(公告)号：CN1920665A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610113179.7
申请日：2006-09-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于合成碳纳米管的催化剂的定位的方法。该方法，包括以下步骤：1)在基底上涂光刻胶并烘干；2)配制催化剂溶液；3)用蘸有催化剂溶液的原子力显微镜针尖穿透光刻胶涂层，将针尖上的溶液转移到基底上；4)剥离光刻胶，得到定位有催化剂图形的基底。本发明可以在厘米以上尺度范围，获得线条宽度在1μm以内、点直径在1微米以内、定位精度在5μm以内的催化剂图案，而且具有在同一基底上精确定位两种或两种以上催化剂的能力。相对于普通的纳米蘸笔印刷技术而言，本发明可以淀积大量的物质，淀积的催化剂可以用于表面合成碳纳米管。本发明是对纳米蘸笔印刷技术在纳米材料合成等领域的拓展，具有非常强的实用性和广阔的应用前景。
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