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公开(公告)号：CN101195482A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710179050.0
申请日：2007-12-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种生长半导体性单壁碳纳米管的方法。本发明所提高的生长半导体性单壁碳纳米管的方法，包括如下步骤：1)在基底上放置催化剂；2)将所述基底放置于两个电极板之间，在化学气相沉积系统中采用化学气相沉积方法在所述基底上生长得到半导体性单壁碳纳米管阵列；所述电极板上施加有电压，两个电极板中间形成有电场。本发明采用电场辅助的方法使金属性单壁碳纳米管在生长的过程中受到扰动，从而使半导体性单壁碳纳米管和金属性单壁碳纳米管在生长过程中得到分离，最终选择性生长出半导体性单壁碳纳米管，相对于后处理的方法，直接合成的半导体性碳纳米管没有经过其它处理，具有更完美的结构和分散性，更适合用来构建各种碳纳米管器件。
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公开(公告)号：CN101195482B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200710179050.0
申请日：2007-12-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种生长半导体性单壁碳纳米管的方法。本发明所提高的生长半导体性单壁碳纳米管的方法，包括如下步骤：1)在基底上放置催化剂；2)将所述基底放置于两个电极板之间，在化学气相沉积系统中采用化学气相沉积方法在所述基底上生长得到半导体性单壁碳纳米管阵列；所述电极板上施加有电压，两个电极板中间形成有电场。本发明采用电场辅助的方法使金属性单壁碳纳米管在生长的过程中受到扰动，从而使半导体性单壁碳纳米管和金属性单壁碳纳米管在生长过程中得到分离，最终选择性生长出半导体性单壁碳纳米管，相对于后处理的方法，直接合成的半导体性碳纳米管没有经过其它处理，具有更完美的结构和分散性，更适合用来构建各种碳纳米管器件。
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公开(公告)号：CN221129986U
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202322363475.4
申请日：2023-08-31
Applicant: 北京大学人民医院
IPC: A61B17/3201 , A61B17/94
Abstract: 本实用新型公开了一种腔镜用可弯组织剪刀，包括剪刀头、空心管和手柄头，所述手柄头和剪刀头分别连接于空心管的上端和下端；所述剪刀头通过弹簧合页铰接于空心管的下端，所述空心管的内部设有第一牵引线，手柄头的内部设有可转动的第一绞盘，所述第一牵引线的下端与剪刀头的上端固定连接，且第一牵引线与弹簧合页位之间的水平夹角为180°；所述第一牵引线的上端缠绕至第一绞盘，以及手柄头的外部设有与第一绞盘联动的阻尼旋钮。另外，阻尼旋钮的外侧面设有防滑纹。通过转动阻尼旋钮以下放第一牵引线，进而使剪刀头在弹簧合页的弹力作用下往铰接处的一侧摆动。本实用新型增加了剪刀头可弯曲的功能，减低手术难度，使用更方便。
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公开(公告)号：CN221949951U
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202420122826.4
申请日：2024-01-18
Applicant: 北京大学第三医院
Abstract: 本实用新型公开了一种手术铺巾及手术包，包括：手术铺巾主体，具有用于对应铺设于患者身体左侧部的左侧铺巾和对应铺设于患者身体右侧部的右侧铺巾，左侧铺巾和右侧铺巾连接，以形成完整的手术铺巾主体；左侧铺巾、右侧铺巾分别设置有用于对应手术部位的镂空孔，左侧铺巾的镂空孔与右侧铺巾的镂空孔形状相同且对称设置；至少两个遮盖铺巾，分别设于对应的镂空孔，用以遮盖镂空孔，且遮盖铺巾可相对于镂空孔掀开设置，以露出镂空孔；位于左侧铺巾的遮盖铺巾与位于右侧铺巾的遮盖铺巾分别设置有标志结构。遮盖铺巾的翻起操作具有防错效果，避免左右侧的误放，保证手术的安全性，并避免影响手术效率。
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