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公开(公告)号：CN101195482B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200710179050.0
申请日：2007-12-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种生长半导体性单壁碳纳米管的方法。本发明所提高的生长半导体性单壁碳纳米管的方法，包括如下步骤：1)在基底上放置催化剂；2)将所述基底放置于两个电极板之间，在化学气相沉积系统中采用化学气相沉积方法在所述基底上生长得到半导体性单壁碳纳米管阵列；所述电极板上施加有电压，两个电极板中间形成有电场。本发明采用电场辅助的方法使金属性单壁碳纳米管在生长的过程中受到扰动，从而使半导体性单壁碳纳米管和金属性单壁碳纳米管在生长过程中得到分离，最终选择性生长出半导体性单壁碳纳米管，相对于后处理的方法，直接合成的半导体性碳纳米管没有经过其它处理，具有更完美的结构和分散性，更适合用来构建各种碳纳米管器件。
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公开(公告)号：CN101195482A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710179050.0
申请日：2007-12-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种生长半导体性单壁碳纳米管的方法。本发明所提高的生长半导体性单壁碳纳米管的方法，包括如下步骤：1)在基底上放置催化剂；2)将所述基底放置于两个电极板之间，在化学气相沉积系统中采用化学气相沉积方法在所述基底上生长得到半导体性单壁碳纳米管阵列；所述电极板上施加有电压，两个电极板中间形成有电场。本发明采用电场辅助的方法使金属性单壁碳纳米管在生长的过程中受到扰动，从而使半导体性单壁碳纳米管和金属性单壁碳纳米管在生长过程中得到分离，最终选择性生长出半导体性单壁碳纳米管，相对于后处理的方法，直接合成的半导体性碳纳米管没有经过其它处理，具有更完美的结构和分散性，更适合用来构建各种碳纳米管器件。
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