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公开(公告)号：CN100534900C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200610113213.0
申请日：2006-09-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种控制转移单壁碳纳米管阵列结构的方法，属于纳米结构制备和加工技术领域。该方法包括：(1)在生长基底上制备单壁碳纳米管阵列结构；(2)在其制有单壁碳纳米管阵列结构的生长基底表面旋涂一层聚酯溶液，置于烘箱中烘烤除去溶剂，形成聚酯膜；(3)将覆有聚酯膜的基底置于碱溶液中加热使其微沸，至聚酯膜脱离生长基底而浮起；(4)以超纯水洗净聚酯膜，并将其贴于目标基底表面上，用高纯氮气吹干，再次置于烘箱中烘烤；(5)将表面贴有聚酯膜的目标基底经曝光、显影、定影过程除去聚酯膜，即可高效、方便的将单壁碳纳米管阵列结构保持原貌的控制转移到任意目标基底上。
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公开(公告)号：CN101150088A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200610113212.6
申请日：2006-09-19
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/82
Abstract: 本发明提供一种单壁碳纳米管轴向能带调控的实现方法，属于纳电子器件技术领域。该方法包括：(1)在SiO2/Si衬底上构建多个凸起和/或凹陷的微纳结构；(2)在衬底的一端采用微接触印刷法沉积催化剂，利用化学气相沉积方法生长超长单壁碳纳米管阵列；(3)碳纳米管阵列搭在微纳结构上，使得碳纳米管的能带结构沿轴向被调控。碳纳米管与微纳结构相互作用，使得碳纳米管的能带结构沿轴向被调控。本发明可以高效、可控的实现大量碳纳米管的轴向能带调控，可与现行的半导体工业兼容，为碳纳米管器件制备和集成提供了技术支持，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101654219A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910092603.8
申请日：2009-09-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种图形化碳纳米管薄膜或阵列的方法。该方法，包括如下步骤：1)在生长基底上制备碳纳米管薄膜或阵列；2)在石英基底上制备钛金属层；3)将所述步骤2)制备得到的钛金属层氧化为二氧化钛层；4)在石英基底上制备铬光掩膜；5)将所述铬光掩膜置于最上层，所述二氧化钛层置于第二层，所述二氧化钛层中的二氧化钛层与向下，所述碳纳米管薄膜或阵列置于最下层，在紫外光下进行照射，照射完毕移去所述铬光掩模和所述二氧化钛层，完成所述碳纳米管薄膜或阵列的图形化。该方法能够直接在生长基底表面对碳管阵列进行图形化加工，受基底限制少，工艺简单，成本低，与现有光刻工艺相兼容，对未来的碳纳米管集成器件制备有重要的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101148254A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200610113213.0
申请日：2006-09-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种控制转移单壁碳纳米管阵列结构的方法，属于纳米结构制备和加工技术领域。该方法包括：(1)在生长基底上制备单壁碳纳米管阵列结构；(2)在其制有单壁碳纳米管阵列结构的生长基底表面旋涂一层聚酯溶液，置于烘箱中烘烤除去溶剂，形成聚酯膜；(3)将覆有聚酯膜的基底置于碱溶液中加热使其微沸，至聚酯膜脱离生长基底而浮起；(4)以超纯水洗净聚酯膜，并将其贴于目标基底表面上，用高纯氮气吹干，再次置于烘箱中烘烤；(5)将表面贴有聚酯膜的目标基底经曝光、显影、定影过程除去聚酯膜，即可高效、方便的将单壁碳纳米管阵列结构保持原貌的控制转移到任意目标基底上。
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公开(公告)号：CN101654219B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200910092603.8
申请日：2009-09-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种图形化碳纳米管薄膜或阵列的方法。该方法，包括如下步骤：1)在生长基底上制备碳纳米管薄膜或阵列；2)在石英基底上制备钛金属层；3)将所述步骤2)制备得到的钛金属层氧化为二氧化钛层；4)在石英基底上制备铬光掩膜；5)将所述铬光掩膜置于最上层，所述二氧化钛层置于第二层，所述二氧化钛层中的二氧化钛层与向下，所述碳纳米管薄膜或阵列置于最下层，在紫外光下进行照射，照射完毕移去所述铬光掩模和所述二氧化钛层，完成所述碳纳米管薄膜或阵列的图形化。该方法能够直接在生长基底表面对碳管阵列进行图形化加工，受基底限制少，工艺简单，成本低，与现有光刻工艺相兼容，对未来的碳纳米管集成器件制备有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN100472755C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200610113214.5
申请日：2006-09-19
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/822
Abstract: 本发明提供一种单壁碳纳米管器件集成方法，属于纳电子器件技术领域。该方法包括：(1)超长单壁碳纳米管阵列排布在异质基底上；(2)异质基底调控单壁碳纳米管的能带结构，沿管轴方向将碳纳米管进行切割，形成n型纳米管段、p型纳米管段、金属型纳米管段以及p-n结等器件单元；(3)根据电路设计，将所需的碳纳米管段与源、漏电极及栅极相连后，互联成为集成电路。本发明可以高效、可控的实现大量碳纳米管器件的集成，为碳纳米管在纳电子器件领域实用化提供了可行的途径，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN100472753C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200610113212.6
申请日：2006-09-19
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/82
Abstract: 本发明提供一种单壁碳纳米管轴向能带调控的实现方法，属于纳电子器件技术领域。该方法包括：(1)在SiO2/Si衬底上构建多个凸起和/或凹陷的微纳结构；(2)在衬底的一端采用微接触印刷法沉积催化剂，利用化学气相沉积方法生长超长单壁碳纳米管阵列；(3)碳纳米管阵列搭在微纳结构上，使得碳纳米管的能带结构沿轴向被调控。碳纳米管与微纳结构相互作用，使得碳纳米管的能带结构沿轴向被调控。本发明可以高效、可控的实现大量碳纳米管的轴向能带调控，可与现行的半导体工业兼容，为碳纳米管器件制备和集成提供了技术支持，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101150089A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200610113214.5
申请日：2006-09-19
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/822
Abstract: 本发明提供一种单壁碳纳米管器件集成方法，属于纳电子器件技术领域。该方法包括：(1)超长单壁碳纳米管阵列排布在异质基底上；(2)异质基底调控单壁碳纳米管的能带结构，沿管轴方向将碳纳米管进行切割，形成n型纳米管段、p型纳米管段、金属型纳米管段以及p－n结等器件单元；(3)根据电路设计，将所需的碳纳米管段与源、漏电极及栅极相连后，互联成为集成电路。本发明可以高效、可控的实现大量碳纳米管器件的集成，为碳纳米管在纳电子器件领域实用化提供了可行的途径，具有广阔的应用前景。
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