公开(公告)号：CN103014866A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210441633.7

申请日：2007-10-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  八乡昭广 ,  入仓正登 ,  中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02024 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及III族氮化物衬底、设置有外延层的衬底、制造上述衬底的方法以及制造半导体器件的方法。GaN衬底(1)为如下之一：一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下；一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下；以及一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下。

公开(公告)号：CN101884094B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200980101212.6

申请日：2009-02-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  三上英则 ,  松本直树

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02021 ,  C30B29/403 ,  C30B33/00 ,  H01L24/32 ,  H01L33/0075 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  Y10S438/928 ,  Y10S438/959 ,  Y10S438/977 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的加工方法，在对氮化物半导体晶体进行背面磨削、外周磨削(倒角)、表面磨削及研磨来形成镜面晶片时，翘曲小，不产生裂纹，基板制作工艺成品率高，设备面内成品率高。利用含有0～40重量％的氧化物砂粒的橡胶磨石或发泡树脂结合剂磨石，对氮化物半导体晶片外周部进行倒角，在外周部保留厚度为0.5μm～10μm的加工变性层。

公开(公告)号：CN101570004A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200910138035.0

申请日：2009-05-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  松本直树 ,  入仓正登

IPC: B24B37/04 ,  B24B29/02 ,  C09G1/00 ,  C09G1/02 ,  B24D3/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02013 ,  C30B29/403 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02024 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了III族氮化物晶体及其表面处理方法，以及III族氮化物的叠层体和半导体器件及其制造方法。所述III族氮化物晶体的表面处理方法包括如下步骤：使用莫氏硬度高于7的硬磨粒对III族氮化物晶体的表面进行研磨；以及使用不含磨粒的抛光液对所述III族氮化物晶体的经研磨表面进行无磨粒抛光，并且所述不含磨粒的抛光液的pH为1以上且6以下，或者为8.5以上且14以下。相应地，根据所提供的III族氮化物晶体的表面处理方法，能够除去残留在研磨晶体处的硬磨粒以减少晶体表面处的杂质。

公开(公告)号：CN101312164A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200810130622.0

申请日：2005-07-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上村智喜 ,  石桥惠二 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/306 ,  C30B33/00

Abstract: 提供了一种AlxGayIn1－x－yN衬底，其中当AlxGayIn1－x－yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1－x－yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1－x－yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1－x－yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1－x－yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1－x－yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。

公开(公告)号：CN100387385C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200380110412.0

申请日：2003-11-12

Applicant: 联合材料公司 ,  住友电气工业株式会社

Inventor： 风早克夫 ,  河合成宜 ,  松本宁 ,  石桥惠二 ,  今井贵浩

IPC: B23B27/20 ,  B23P15/28 ,  C23C16/27

CPC classification number: C23C16/27 ,  B23G5/06 ,  B23G2200/26 ,  B23G2225/08 ,  B23G2225/16 ,  B23G2225/28 ,  C23C16/0218 ,  Y10T428/30

Abstract: 本发明提供一种切削性能、耐磨性、耐溶敷性、加工表面粗糙度良好的金刚石膜被覆工具及其制造方法。金刚石膜被覆工具，是在基材的表面上覆盖金刚石的膜的金刚石膜被覆工具，其中，所述基材是超硬合金或金属陶瓷，构成所述金刚石膜的成长表面的金刚石结晶颗粒的平均颗粒直径在1.5μm以下，所述金刚石膜的厚度在0.1μm以上20μm以下，所述金刚石膜的平均表面粗糙度用Ra表示在0.01μm以上0.2μm以下。通过对由超硬合金或金属陶瓷构成的基材进行渗碳处理，使金刚石膜成长来得到这样的金刚石膜被覆工具。

公开(公告)号：CN101106081A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710111857.0

申请日：2007-06-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  入仓正登 ,  中畑成二

IPC: H01L21/304 ,  H01L23/00 ,  B24B1/00

Abstract: 单面平面处理的III族氮化物晶片的质量取决于晶片在抛光板上的粘贴方向。通过以下步骤获得低表面粗糙度和高成品率，用具有等于或小于10μm厚度的热塑性蜡将多个III族氮化物生长状态的晶片粘贴在具有面向前(f)、向后(b)或向内(u)的OF或凹口的抛光板上、研磨生长状态的晶片、精磨已被研磨了的晶片、将精磨的晶片抛光成具有等于或小于200μm的水平宽度和等于或小于100μm的垂直深度的斜面的镜面晶片。

公开(公告)号：CN101081485A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200710108825.5

申请日：2007-05-31

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  西浦隆幸 ,  入仓正登 ,  中畑成二

IPC: B24B29/00 ,  H01L21/304 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14

Abstract: 用于氮化物晶体的表面处理方法是化学和机械抛光氮化物晶体(1)的表面的表面处理方法。使用氧化物磨粒(16)。磨粒(16)具有至少－850kJ/mol的标准生成自由能作为每1摩尔氧分子的转换值，并具有至少为4的莫氏硬度。该表面处理方法有效地提供了具有形成于其上的平滑且高质量表面的氮化物晶体，用于有效地获得可以用于半导体器件的氮化物晶体衬底。

公开(公告)号：CN1868674A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200610077029.5

申请日：2006-04-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  西浦隆幸

IPC: B24B29/00 ,  B24B37/00 ,  B24B19/22 ,  B24D17/00 ,  H01L33/00 ,  H01L21/304 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L33/32 ,  C09G1/02 ,  C30B29/403 ,  C30B33/00 ,  C30B35/00 ,  H01L21/02024 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  Y10T428/24355 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: III族氮化物晶体膜的表面处理方法，III族氮化物晶体基材，具有外延层的III族氮化物晶体基材，和半导体设备。III族氮化物晶体膜的表面处理方法，包括将III族氮化物晶体膜的表面进行抛光，其中抛光用的抛光液的pH值x和氧化－还原电位值y(mV)同时满足y≥－50x+1,000和y≤－50x+1,900的关系。

公开(公告)号：CN1723548A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200480001850.8

申请日：2004-06-03

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  森勇介

Inventor： 中畑成二 ,  弘田龙 ,  石桥惠二 ,  佐佐木孝友 ,  森勇介

IPC: H01L21/306 ,  C30B33/10

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B29/38 ,  C30B33/00 ,  C30B33/10 ,  H01L21/30612

Abstract: 一种加工氮化物半导体晶体表面的方法的特征在于，使至少包含Na、Li或Ca的加工溶液(15)与氮化物半导体晶体(11)的表面接触。加工溶液(15)可以是至少包含Na的液体，其Na含量为5－95摩尔％。加工溶液(15)可以是至少包含Li的液体，其中Li含量为5至100摩尔％。还公开了通过该方法得到的氮化物半导体晶体，其最大表面刮擦深度为0.01μm或以下，且破坏层的平均厚度为2μm或以下。即，加工氮化物半导体晶体表面的方法可以提供减小表面刮擦深度和破坏层厚度，和由该方法得到的氮化物半导体晶体具有浅的表面刮擦深度和薄的破坏层厚度。

公开(公告)号：CN108281378B

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN201810174097.6

申请日：2013-09-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  八乡昭广 ,  广村友纪 ,  松本直树 ,  中畑成二 ,  中西文毅 ,  柳泽拓弥 ,  上松康二 ,  关裕纪 ,  山本喜之 ,  善积祐介 ,  三上英则

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明提供一种III族氮化物复合衬底、半导体器件及它们的制造方法。所述III族氮化物复合衬底具有75mm或更大的直径，包括支撑衬底以及具有10μm或更大且250μm或更小的厚度的III族氮化物膜，所述支撑衬底和所述III族氮化物膜彼此接合，所述III族氮化物膜的厚度的标准偏差st与所述III族氮化物膜的厚度的平均值mt的比值st/mt为0.001或更大且0.2或更小，并且所述III族氮化物膜的主表面和预定面取向的面之间的偏离角的绝对值的标准偏差so与所述偏离角的绝对值的平均值mo的比值so/mo为0.005或更大且0.6或更小。