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公开(公告)号：CN104267503A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410520059.3
申请日：2014-09-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B27/09
CPC classification number: G02B27/0916
Abstract: 本发明公开了一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构，其包括：衬底，其上制作有双沟道脊型波导结构，脊型区中设有激光器有源区；光栅层，制作在衬底上表面；电隔离层，制作在光栅层上表面，在光栅层与脊型区对应的上表面处断开形成电注入窗口；双沟填充物，填充在双沟道中；下欧姆接触层，制作在衬底的下表面；亚波长金属等离子体天线，制作在所述电隔离层和双沟填充物的上表面，在脊型区对应的上表面处断开，在形成电注入欧姆接触区域的同时形成光输出窗口。本发明有效的降低面发射激光器慢轴方向的远场发散角，实现小发散角准圆斑甚至圆斑面发射器件的制作。
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公开(公告)号：CN103091778B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201310028764.7
申请日：2013-01-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种采用双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法，包括如下步骤：步骤1：在半导体衬底上依次外延生长下波导层、下光限制层、激光器有源区和上光限制层，获得有光限制层结构的量子级联激光器外延芯片；步骤2：对外延芯片进行清洗；步骤3：在外延芯片表面均匀涂光刻胶；步骤4：采用全息曝光的方法，对光刻胶进行相应剂量和不同台面夹角的两次曝光；步骤5：对曝光处理后的外延芯片进行显影定形，得到光刻胶光栅图形；步骤6：将外延芯片进行坚膜处理，然后利用等离子去胶机去除残留的光刻胶；步骤7：以光刻胶光栅图形为掩膜腐蚀外延芯片，将光栅图形转移至光限制层上；步骤8：利用有机溶剂清洗掉光刻胶光栅图形，制备出双周期光栅，完成制备。
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公开(公告)号：CN102735157B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201210211816.X
申请日：2012-06-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01B7/26
Abstract: 本发明公开了一种量子级联激光器脊形腐蚀辅助检测装置及方法，该装置包括：一支撑板(1)；一欧姆表(2)；两条连接导线(3)，该两条连接导线(3)分别连接在欧姆表(2)的两个接口；四个固定孔(4)，该四个固定孔(4)开在在支撑板(1)上，并排成一行；两个固定支架(5)，该两个固定支架通过四个固定孔(4)固定在支撑板(1)上；两个探针(6)，该两个探针(6)通过尾部的螺旋孔分别固定在两个固定铜支架(5)上。本发明提供的这种量子级联激光器脊形腐蚀辅助检测装置及其方法，具有制作简单，成本低，灵敏度高的优点，能够有效保证具有不同掺杂平面的半导体多层结构腐蚀程度。
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公开(公告)号：CN103532008A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310504071.0
申请日：2013-10-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种低发散角分布反馈量子级联激光器结构及其制作方法。该结构包括：衬底、下波导层、下光限制层，该下光限制层生长在下波导层上、有源区、上光限制层、光栅层、上波导层，该上波导层生长在该光栅层上、多孔区、二氧化硅层、正面金属电极层和背面电极层；其中该多孔区制作于该上波导层上；其中，所述的下波导层、下光限制层、有源区、上光限制层、光栅层和上波导层的两侧为梯形斜面；该二氧化硅生长在衬底正面未被下波导层覆盖的部分和下波导层、下光限制层、有源区、上光限制层、光栅层和上波导层的两侧形成的梯形斜面上，以及上波导层上面两侧的边缘部分。
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公开(公告)号：CN103197507A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310057280.5
申请日：2013-02-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 一种用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体芯片；步骤2：取一半导体衬片；步骤3：用粘结剂将半导体芯片和半导体衬片粘接，形成基片；步骤4：将基片进行甩胶处理；步骤5：将基片置于光刻机上，对基片进行接触式曝光，在基片的表面形成图形，完成制备。本发明适用于要求背面出光且需要解理为小管芯的半导体激光器芯片背面接触式曝光的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102732955A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210211614.5
申请日：2012-06-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B23/02 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种用于电子束蒸发的半导体外延片夹具，包括：一支撑板(11)；四个金属针状样品夹(12)；一辅助样品夹金属板(13)；二个辅助样品夹金属板固定螺丝(14)；四个金属针状样品夹固定螺丝(15)；以及四个金属针状样品夹圆弧形滑槽(16)。本发明提供的用于电子束蒸发的半导体外延片夹具，简单易行，对样品大小及形状没有限制、传热性能好、样品无遮挡。
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公开(公告)号：CN118448499A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410578747.9
申请日：2024-05-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352
Abstract: 本发明提供一种甚长波量子级联探测器，包括：沿着第一方向依次堆叠的衬底、第一接触层、周期单元功能层和第二接触层；其中，所述周期单元功能层包括L个周期单元，L为大于2的整数，每一个所述周期单元包括：沿着所述第一方向依次堆叠的吸收区和弛豫区；所述吸收区包括沿着所述第一方向堆叠的一个第一势垒层和两个第一量子阱，所述一个第一势垒层位于所述两个第一量子阱之间；所述弛豫区包括沿着所述第一方向堆叠的M个第二势垒层和M‑1个第二量子阱，所述M‑1个量子阱交替位于所述M个第二势垒层之间，M为大于2的整数，且所述M个第二势垒层中任一势垒层的能量均高于所述第一势垒层。本发明能有效降低暗电流噪声，提升器件性能。
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公开(公告)号：CN118137294B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410557719.9
申请日：2024-05-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明的实施例提供了一种带间级联激光器阵列芯片，可应用于半导体激光器技术领域。该激光器阵列芯片包括：衬底；位于衬底上的N个激光器阵列单元，其中，N为大于等于3的正整数，至少两个相邻的激光器阵列单元的至少一部分以预定的间距间隔设置；以及导热部，其中，导热部的至少一部分位于至少两个相邻的激光器阵列单元之间的间隙中。通过导热部的设置，解决了增加有源区面积造成的散热困难问题，成倍提高了激光器的输出功率。本发明的实施例还提供了一种带间级联激光器阵列芯片的制备方法。
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公开(公告)号：CN118137294A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410557719.9
申请日：2024-05-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明的实施例提供了一种带间级联激光器阵列芯片，可应用于半导体激光器技术领域。该激光器阵列芯片包括：衬底；位于衬底上的N个激光器阵列单元，其中，N为大于等于3的正整数，至少两个相邻的激光器阵列单元的至少一部分以预定的间距间隔设置；以及导热部，其中，导热部的至少一部分位于至少两个相邻的激光器阵列单元之间的间隙中。通过导热部的设置，解决了增加有源区面积造成的散热困难问题，成倍提高了激光器的输出功率。本发明的实施例还提供了一种带间级联激光器阵列芯片的制备方法。
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公开(公告)号：CN116780319A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310777042.5
申请日：2023-06-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种量子级联激光器与光纤耦合器件，包括：有源层，为多层量子阱结构，包括光栅区域和光放大区域，所述光栅区域设置在所述有源层一端，包括在所述有源层表面设置的分布式反馈光栅，所述光放大区域设置在所述有源层另一端，并与所述光栅区域相邻；无源层，所述无源层一端与所述有源层的光放大区域端面对接，另一端与光纤直接耦合。依靠无源波导两端分别与有源区和光纤的对接和粘接，实现低损耗高耦合效率的光耦合，光纤与无源波导的粘接不会影响有源区的工作状态，且无任何外接光学元件的激光器光纤直接耦合，满足了目前对激光器光纤集成器件小型化和稳定性的要求。
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