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公开(公告)号：CN107507911A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710678338.6
申请日：2017-08-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 浙江赋同科技有限公司
IPC: H01L39/02
CPC classification number: H01L39/02
Abstract: 本发明提供一种超导纳米线单光子探测器，所述超导纳米线单光子探测器包括至少一层超导纳米线结构，所述超导纳米线结构包括若干条平行间隔排布的直线部及将所述直线部依次首尾连接的第一连接部；其中，所述直线部包括至少两条平行间隔排布的超导纳米线，各所述直线部内的所述超导纳米线经由所述第一连接部相连接。通过将超导纳米线结构的直线部设置为至少两条平行间隔排布的超导纳米线，可以降低器件的总电感，提升器件的响应速度，器件内的电流得以提升，提高器件的信噪比。
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公开(公告)号：CN106816525A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710031318.X
申请日：2017-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L39/025 , H01L39/12 , H01L39/223 , H01L39/2416 , H01L39/2493
Abstract: 本发明提供一种氮化铌SQUID器件、制备方法及参数后处理方法，包括：首先在衬底上沉积氮化铌‑绝缘层‑氮化铌三层薄膜结构，然后制备SQUID器件超导环和底电极结构；接着制备多个并联的约瑟夫森结；再在器件表面沉积绝缘薄膜，并在每个约瑟夫森结表面和底电极表面开孔，以使得后续步骤中引出顶电极；再沉积金属薄膜，制备金属旁路电阻；最后沉积氮化铌薄膜，制备梳状顶电极。通过本发明的制备方法和参数后处理方法，若测试发现NbN SQUID器件的临界电流和旁路电阻数值与设计值有较大偏差时，可以对器件进行后期处理以使得临界电流和旁路电阻数值接近设计数值，从而提高器件一致性。
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公开(公告)号：CN106767944A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611085483.5
申请日：2016-11-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01D5/14
CPC classification number: G01D5/14
Abstract: 本发明提供一种基于ERSFQ电路的低温超导读出电路及读出系统，所述低温超导读出电路包括：m个超导量子干涉器，与低温超导传感器阵列连接，用于将低温超导传感器阵列的多路输出信号转换为多路SFQ脉冲信号；ERSFQ电路，与m个超导量子干涉器连接，用于将多路SFQ脉冲信号转换成二进制单路脉冲信号输出；驱动放大电路，与ERSFQ电路连接，用于对二进制单路脉冲信号进行放大输出；其中，m为大于1的整数；通过本发明的基于ERSFQ电路的低温超导读出电路及读出系统，解决了现有技术中读出放大电路热负载大而且电路系统抗噪声干扰能力较弱的问题。
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公开(公告)号：CN104064631B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410334717.X
申请日：2014-07-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/101
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种降低超导纳米线单光子探测器件非本征暗计数的方法及器件，包括步骤：于所述超导纳米线单光子探测器件上集成短波通多层薄膜滤波器；其中，所述短波通多层薄膜滤波器为通过多层介质薄膜实现的具有短波通滤波功能的器件。所述非本征暗计数为由于光纤黑体辐射及外界杂散光触发的暗计数。本发明操作简单，仅需在衬底上集成短波通多层薄膜滤波器，将非信号辐射过滤掉，该方法可以在保证信号辐射和器件的光耦合效率的同时，有效降低非本征暗计数，从而提高器件在特定暗计数条件下的探测效率，另外，只需要过滤波长范围大于1550nm的光波，降低了设计要求，有利于滤波器的实现。
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公开(公告)号：CN105702849A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610070503.5
申请日：2016-02-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L39/2493 , H01L39/025 , H01L39/223
Abstract: 本发明提供一种台阶区域覆盖有超导覆盖层的超导电路结构及其制备方法，包括：1）提供衬底，在衬底表面依次形成第一超导材料层、第一绝缘材料层及第二超导材料层的三层薄膜结构；2）分别刻蚀第二超导材料层、第一绝缘材料层及第一超导材料层以形成下电极及约瑟夫森结；3）在步骤2）得到的结构表面形成第二绝缘材料层；4）沉积旁路电阻材料层，并刻蚀旁路电阻材料层以形成旁路电阻；5）沉积第三超导材料层，并刻蚀第三超导材料层形成配线层及超导覆盖层。本发明可以确保位于下电极表面的旁路电阻与位于第二绝缘材料层表面的旁路电阻的导通，避免出现断路故障，保证了旁路电阻连通的稳定性，提高了超导电路结构的工作性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114497344B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202011156414.5
申请日：2020-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种深亚微米约瑟夫森隧道结及其制备方法，该结构包括：衬底；约瑟夫森隧道结，沿横向方向延伸形成于衬底的上表面，约瑟夫森隧道结自左向右包括第一电极、势垒层及第二电极；第一电极引出结构，与第一电极一体成形；第二电极引出结构，与第二电极一体成形。通过在衬底上沿横向方向(即沿水平方向)制备约瑟夫森隧道结的三层膜，从而形成沿横向延伸的约瑟夫森隧道结，结的尺寸大小不会受限于光刻极限的限制，薄膜厚度可作为结的一条边长，这将大幅缩减结面积；另外，由于三层膜结构分别制备，且其电极引出结构与对应的电极一体成型，减少了传统工艺中所需的绝缘层和配线层，简化了工艺流程，缩短了工艺周期，使工艺可控性提高。
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公开(公告)号：CN118678873A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410707758.2
申请日：2024-06-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种超导芯片及超导芯片系统，其中超导芯片包括至少一个量子比特电路，量子比特电路包括超导量子比特、磁通偏置线、第一引线端口及第二引线端口；磁通偏置线布置在超导量子比特附近，第一端与第一引线端口相连，第二端与第二引线端口相连；外部施加的偏置电流从第一引线端口流入并从第二引线端口流出，通过向磁通偏置线施加偏置电流来调控超导量子比特的频率。通过本发明解决了现有超导芯片中多个超导量子比特之间存在较大磁通串扰的问题。
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公开(公告)号：CN118265441A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211684019.3
申请日：2022-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种纳米约瑟夫森结及其超导器件与制作方法，包括以下步骤：提供一基底；依次形成下电极层、势垒层及上电极层于基底上，势垒层覆盖下电极层，上电极层覆盖势垒层；形成光刻胶层于上电极层的表面并图形化光刻胶层；基于图形化后的光刻胶层刻蚀上电极层；缩小图形化后的光刻胶层；以缩小后的光刻胶层为掩膜刻蚀上电极层以得到上电极；图形化刻蚀势垒层并去除光刻胶层；图形化刻蚀下电极层以得到下电极。本发明的制作方法能够克服光刻机的光刻极限，得到纳米级别的约瑟夫森结，并且在现有技术基础上不需要对掩膜版的设计作出变动，能够有效提升超导电路的集成度和工作频率和稳定性。
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公开(公告)号：CN118169619A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410344019.1
申请日：2024-03-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/022 , H01F6/06 , G01R33/00
Abstract: 本发明提供一种低噪声超导量子干涉磁感线圈、超导线圈及排布结构，包括：第一约瑟夫森结、第二约瑟夫森结、第一电阻、第二电阻；第一约瑟夫森结与第一电阻并联形成第一并联结构；第二约瑟夫森结与第二电阻并联形成第二并联结构；第一并联结构与第二并联结构并联以形成闭合回路；偏置电流流经低噪声超导量子干涉磁感线圈后输出，以使得低噪声超导量子干涉磁感线圈基于偏置电流感应工作；其中，第一电阻与第二电阻不相等，以提高低噪声超导量子干涉磁感线圈的感应线性范围，降低低噪声超导量子干涉磁感线圈的噪声。本发明有效提高了低噪声超导量子干涉磁感线圈以及超导线圈的噪声性能，避免了超导量子干涉器件工作时的噪声性能较低的问题。
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公开(公告)号：CN111430396B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202010167335.8
申请日：2020-03-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/148 , B82Y10/00
Abstract: 本申请涉及一种基于超导纳米线的单光子偏振探测器件及其实现装置，包括：衬底；像元层，像元层置于衬底上；其中，像元层包括一个或多个超像元单元；每个超像元单元包括至少四个像元单元，像元单元由一条蜿蜒曲折的超导纳米线构成；且每个像元单元的超导纳米线结构的平行方向的角度各不同；利用四个超像元对偏振光的偏振角的光响应计数可以实现对线性偏振光的偏振态求解。与现有的半导体偏振探测器相比，本申请中的超导纳米线结构具有线偏振器和光子探测器的双重功能，不仅集合了超导纳米线结构单光子探测器自身的优点，还具有器件规模可拓展、结构简单等特点，有望应用于微弱光环境下的偏振探测及成像、量子通信、天文观测等。
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