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公开(公告)号：CN1300839C
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200410053565.2
申请日：2004-08-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳电子器件的制备方法。特征在于：首先在衬底材料上沉积一层下电极材料W，然后依次沉积一层Al和一层SiO2。通过曝光、刻蚀，在SiO2上刻蚀出孔，使下层Al暴露出来，然后通过阳极氧化法在暴露出的部分形成多孔氧化铝，同时对每个孔进行进一步的加工，可以形成唯一的一个纳米尺度的氧化铝小孔，或形成孔径一致，分布均匀纳米孔阵列，或形成孔径分散而分布均匀纳米孔阵列。再用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)沉积薄膜，实现纳米孔的W填充，通过纳米抛光技术实现纳米孔顶端的平坦化，然后沉积相变材料与电极材料，引线，封装，实现纳米存储单元。
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公开(公告)号：CN1877743A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610028740.1
申请日：2006-07-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及相变存储器器件单元阵列演示系统及可视化演示的方法，其特征在于所述的演示系统由控制计算机、脉冲信号发生器、控制电路板、相变存储器存储阵列芯片及转换连接部件构成，其中所述的电路板是由控制电路、选址电路、切换电路、读出电路、显示电路组成的；整个演示系统得核心为单片机，控制计算机通过自带的RS232接口实现与单片机的通信，接受指令和数据的传递；单片机通过可编程逻辑器件实现对周围各种模块，如发光二极管、液晶显示屏、读出电路、切换电路或选址电路的控制，所述的演示方法包括数据的存储、读出以及简单数据运算的演示，也即对器件单元阵列的数据读/写/擦过程进行可视化的演示。
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公开(公告)号：CN1815363A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200610024251.9
申请日：2006-03-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G03F7/00 , G03F7/20 , H01L21/027 , G11C11/00 , G11C13/00
Abstract: 本发明涉及一种制作相变随机存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺，其刻蚀液的组成为：酸溶液为1～30％，氧化剂为0.5％～10％，络合剂为0.05％～10％，表面活性剂0.1～5％(均为wt％)，余量为去离子水。湿法刻蚀工艺步骤为：(1)清洗氧化硅片，依次沉积Ti或TiN，Pt或Au，以及相变材料膜；(2)在相变薄膜上光刻成图形；(3)沉积金属Pt或Au；(4)用剥离工艺去除曝光之外的金属Pt或Au；(5)用刻蚀液刻蚀相变材料；(6)沉积SiO2，形成的器件结构。本工艺充分利用刻蚀液的正向和侧向刻蚀，在有效控制刻蚀速率的条件下，用微米加工工艺制作了纳米相变存储器结构；制作之后离子对器件无污染，便于清洗、加工和废液处理成本低。
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公开(公告)号：CN1610113A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410067217.0
申请日：2004-10-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明涉及一种三维互补金属氧化物半导体(CMOS)器件结构及其制备方法，属微电子技术领域。本发明的特征是提出了三维多层CMOS结构，层与层之间用连线连接。制备该结构的关键是能够制备出多层由绝缘层隔离的单晶薄膜，本发明提出低温键合和低温剥离的工艺，将单晶薄膜转移到绝缘层上，并在此单晶薄膜上制备器件有源层。本发明提出的三维CMOS没有改变CMOS的基本结构，采用常规的CMOS工艺和设备条件就可实现高密度集成，工艺方法简单，并可减少金属互连线的长度和层数，提高器件的速度。
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公开(公告)号：CN105322090B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201410265001.9
申请日：2014-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种存储器，至少包括：衬底和依次形成于衬底上的底电极和介质层、介质层上的复合存储结构及复合存储结构上的顶电极。本发明还提供该存储器的制作方法：在清洗后的衬底上依次形成底电极和介质层；在介质层上制作贯孔；在介质层上形成由硫系化合物和氧化物构成的复合存储结构及复合存储结构上的顶电极。本发明的存储器兼具相变和电致阻变的特性，弥补了高密度存储氧化物材料纳米尺度下缺陷不均匀的问题，氧化物材料中形成的氧空位通路能促进硫系化合物材料的阈值转变，使高低阻值增大，有利于提升其存储单元的成品率与可靠性，具有稳定可重复性好以及结构变化小的特点，并且容量大、密度高、功耗低，适用于大规模工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104241527B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201410522199.4
申请日：2014-09-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于相变存储器的V‑Sb‑Te相变材料体系及其制备方法，其中，所述V‑Sb‑Te相变材料体系为在Sb‑Te相变材料体系基础上掺V而成，其化学通式为V100‑x‑ySbxTey，其中，0.5≤x/y≤4，且50≤x+y≤99.99。本发明的V‑Sb‑Te相变材料体系具有相变速度快和操作功耗低，并有较佳的数据保持力和相稳定性，可以极大地拓展Sb‑Te相变材料体系的应用范围。同时，V元素可以极大地减小Sb‑Te材料体系的晶粒尺寸，使得材料有更好的可微缩性能，这也减小了材料相变前后的体积变化率，提高了材料的抗疲劳特性。另外，V元素与Sb‑Te材料体系有较好的相容性，整个材料表现为均一相。
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公开(公告)号：CN105047816A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510391019.8
申请日：2015-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种Cr掺杂Ge2Sb2Te5相变材料、相变存储器单元及其制备方法，所述Cr掺杂Ge2Sb2Te5相变材料的组分通式为CrxGe2Sb2Te5，其中，x为Cr元素的原子比，且满足0.5
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公开(公告)号：CN104779349A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510177956.3
申请日：2015-04-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储单元及其制作方法，所述相变存储单元包括：镶嵌于衬底中的至少一个下电极；连接于所述下电极上方的刀片状加热电极；连接于所述刀片状加热电极上方的刀片状相变材料结构；连接于所述相变材料结构上方的上电极。本发明的相变存储单元中采用刀片状加热电极及刀片状相变材料结构，所述刀片状加热电极及刀片状相变材料结构相互交叉接触。由于刀片状加热电极和刀片状相变材料结构的厚度尺寸非常小且容易控制，二者交叉接触可实现接触面最小化，达到进一步缩小相变存储单元的相变区域的目的，从而大大降低器件功耗。
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