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公开(公告)号：CN1456908A
公开(公告)日：2003-11-19
申请号：CN03128991.6
申请日：2003-05-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及基于微机械技术的N×N光开关，其特征在于先制作2N个1×N或N×1光开关，然后将1×N或N×1光开关的输入输出系用全连接熔接。采用压电材料作为驱动方式，包括输入输出光纤阵列、夹持板、聚焦透镜、反射镜和驱动装置的连接方式。所采用的驱动装置，以及驱动装置的制作。其中夹持板采用硅微机械技术制作，反射镜和驱动装置的连接采用键合技术，以及硅微机械技术制作的连接方式。采用上述方法制作光纤阵列板、反射镜阵列，再配以透镜阵列，作为光耦合层、光传输层、光反射驱动层，构成了N×N光开关。可以大大的减小光开关的体积，降低N×N光开关的装配难度，增大光开关的容量，从而易于实现N×N的光交换。
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公开(公告)号：CN1448737A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN03116501.X
申请日：2003-04-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种垂直光滑的反射型微镜的制作方法，其特征在于利用硅的干法刻蚀和各向异性腐蚀相结合在绝缘层上的硅材料上制作的；具体步骤是：(1)在绝缘层上的硅上生长一层可用于硅的各向异性腐蚀的掩模；(2)在掩模上光刻出制作镜子的窗口；(3)利用步骤(2)中的光刻胶或已经光刻出镜子窗口的掩模作掩模进行硅的干法刻蚀，刻蚀出垂直、相对光滑的镜面；(4)在各向异性腐蚀液中腐蚀，而制成垂直、光滑的镜面。本发明优点在于镜面光滑，可在更小区域内制作面积是足够大镜面；无用区域小以及工艺简单，仅增加一步干法刻蚀工艺。
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公开(公告)号：CN1411197A
公开(公告)日：2003-04-16
申请号：CN02145415.9
申请日：2002-11-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明一种平面光波导分段布喇格光栅波分复用器/解复用器，其特征是用一定的方法在平面波导上形成折射率变化的二维分布，平面光波导分段布喇格光栅整体位于多条等间距的同心圆弧上，每条圆弧被分段为不连续的周期性小圆弧。沿输入波导的入射光受到折射率变化的调制，使入射光形成布喇格衍射。输入波导与输出波导分别位于罗兰圆上。制作方法是根据确定的参数，采用在硅基SiO2基片上利用紫外光照射引起硅基SiO2波导折射率的变化，结合平面集成光路工艺制作。本发明可制作光通信的波分复用器/解复用器，其结构紧凑、尺寸小、比常规阵列波导光栅工艺易于实现，且性能更好。
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公开(公告)号：CN1385720A
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN02112181.8
申请日：2002-06-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海联能科技有限公司
Abstract: 一种采用双压电晶片驱动器制作的二维光开关矩阵,属于光通信领域,其特征在于镜面排列方式由密排发展为非密排;光纤准直器排列方式由原来对准镜面中心发展为对着镜面间隙;双压电晶片驱动器是由两根长条状压电材料相互平行地粘贴在一起,沿粘贴面插入中间电极,而第二电极和第三电极则分布在粘贴面相对的另两个面上,其根部固定在支架上;工作时,不同的电压沿电极加到压电片上,产生弯曲,其弯曲方向和弯曲大小由电压来控制;镜面或插入双压电晶片的自由端开出的定位槽中;或通过粘贴法粘贴在在双压电晶片自由端的侧壁上。本发明突破了“不工作镜面中心不允许与准直器中心在同一高度上”限制。
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公开(公告)号：CN117776085A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311803224.1
申请日：2023-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种集成电容角度传感器的MEMS万向节器件及其制备方法，其中，MEMS万向节器件还包括内轴电容角度传感器、外轴电容角度传感器以及垂直隔离结构；内轴差分电容角度传感器，包括一对内轴角度传感电容；外轴差分电容角度传感器，包括一对外轴角度传感电容；运动载台绕着所述内扭转轴做离面扭转时，一对内轴角度传感电容随内轴扭转角度进行彼此相反变化，运动内框绕着所述外扭转轴做离面扭转时，一对外轴角度传感电容随外轴扭转角度进行彼此相反变化；垂直隔离结构用于实现差分电容角度传感器的梳齿之间以及差分电容的电气绝缘。本发明能够实时提供高精度的扫描角度的数据信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117393447A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311169505.6
申请日：2023-09-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种基于临时短路的垂直互连晶圆测试方法，包括以下步骤：将待测垂直互连晶圆的非扎针测试面进行临时短路，使得所有原先彼此绝缘的待测pad之间处于两两导通的状态；对待测垂直互连晶圆的扎针测试面进行垂直互连晶圆测试。本发明能够实现垂直电互连晶圆的低成本测量，尤其适用于带有密集排布垂直互连通孔的晶圆，解决了单面探针台无法直接测试此类垂直互连晶圆的问题，有利于推进晶圆级垂直电互连技术的进一步发展和使用。
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公开(公告)号：CN117361438A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311285906.8
申请日：2023-10-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种具有晶圆键合密封结构的键合晶圆，其彼此键合的晶圆的键合面均包括晶圆芯片区域和分布在晶圆芯片区域以外的晶圆边缘区域，晶圆边缘区域上均设有晶圆键合密封结构，且晶圆键合密封结构均包括外围封环、以及外围封环与晶圆芯片区域之间的网格状密封结构，使得晶圆键合密封结构的实际键合面积为对应的晶圆边缘区域面积的10％至50％。该密封结构在解决晶圆密封技术问题的同时，大幅度减小了芯片区域外的实际键合面积，从而在同等键合压力条件下，增大密封结构键合压强，从而提高晶圆键合质量，能够用于整个晶圆的防水密封及真空密封。
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公开(公告)号：CN117013869A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310857751.4
申请日：2023-07-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02N1/00
Abstract: 本发明提供一种基于驻极体的静电平板驱动器，包括透明基底，其上设有锚点；可动平板电极，通过弹性梁连接锚点；固定电极，布置在透明基底的上表面，且与可动平板电极位置相对，用于驱动可动平板电极做离面平移运动和离面扭转运动中的至少一种；发射电极，布置在可动平板电极的下表面，其接收自透明基底下表面照射的激励光，从而释放出电子；驻极体薄膜，由布置在固定电极上表面的可充电薄膜捕获并固定从发射电极释放的电子而成，用于向固定电极提供偏置电压。本发明还提供了相应的静电平板驱动器的制作方法。本发明的静电平板驱动器能够将驻极体兼容入静电平板驱动器中，以降低静电驱动电压。
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公开(公告)号：CN116500776A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210073281.8
申请日：2022-01-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种动磁式电磁驱动双轴光学扫描镜、阵列及其应用。该光学扫描镜包括光学镜面、永磁体、双轴扭转机构、驱动电磁铁；光学镜面与永磁体的一端相连接，永磁体中间与双轴扭转机构连接，驱动电磁铁产生的驱动磁场与永磁体的磁矩相交，永磁体受到电磁扭矩的作用而发生扭转运动；光学镜面位于双轴扭转机构的上方，两者所在的平面相互平行，且两者的垂直距离满足光学镜面在最大扫描角度内转动时的空间要求；驱动电磁铁包括三个及三个以上气隙磁极，气隙磁极对称分布，气隙磁极中间构成电磁铁气隙，永磁体位于电磁铁气隙中间，电磁铁气隙的尺寸满足永磁体在最大扫描角度内转动所需的空间要求。本发明可以实现大镜面尺寸、大角度扫描。
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公开(公告)号：CN115571853A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211305026.8
申请日：2022-10-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种蚀刻测量图形结构及钻蚀量的测量方法，所述蚀刻测量图形结构用于测量晶圆蚀刻量，所述蚀刻测量图形结构包括以线性阵列排布的测量图形；各所述测量图形之间的间距依次构成等差数列。本发明的钻蚀量的测量方法中，通过设置蚀刻测量图形结构，测量图形成等差数列排布；在不影响晶圆整体工艺的情况下，基于测量图形的边缘连接情况获得钻蚀的数值，测量精度高。
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