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公开(公告)号：CN114968910A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210903457.8
申请日：2022-07-29
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本申请涉及一种电路功能可裁剪的数字信号处理芯片。所述处理芯片包括：主电路模块、多个内核子电路模块、多个高速外设子电路模块、多个低速外设子电路模块和多个输出选择电路；内核子电路模块、高速外设子电路模块和低速外设子电路模块分别连接对应的输出选择电路，每一输出选择电路连接主电路模块；输出选择电路包括多个二选一电路，每一二选一电路的第一输入端连接对应子电路模块的输出端，第二输入端连接固定的0电位或1电位，选择端连接主电路模块的使能端，输出端连接主电路模块；每一内核子电路模块、每一高速外设子电路模块和每一低速外设子电路模块分别连接对应的供电端口。采用本发明芯片能够实现电路可裁剪功能，并降低处理器功耗。
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公开(公告)号：CN114905406A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210423266.1
申请日：2022-04-21
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： B24B37/10 , B24B37/34 , B24B57/02 , B24B1/00 , H01L21/304
摘要： 本发明公开了一种倒封装芯片衬底减薄系统及减薄方法，该系统包括抛光机台、研磨盘、第一限位器、供液器和第二限位器，所述研磨盘安装在抛光机台上，由抛光机台控制绕研磨盘的轴心线旋转或静止；所述第一限位器和第二限位器放置于研磨盘上；所述供液器，安装于抛光机台上，由抛光机台控制供液器将研磨液滴在研磨盘上；所述第一限位器的侧面与第二限位器的侧面接触。该方法基于上述系统来实施。本发明具有结构简单紧凑、操作简便、减薄效果好、能够大幅提高良品率等优点。
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公开(公告)号：CN114880984A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210391310.5
申请日：2022-04-14
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： G06F30/398 , G06F30/25 , G06F115/06
摘要： 本发明公开一种集成电路中重离子致单粒子翻转软错误率的检测方法，步骤包括：S1.以被测集成电路中心为球心，在单位球面表面均匀排列多个球面点；S2.依次使用复合重离子束沿各个球面点向球心方向辐照被测集成电路，并测试预设的辐照时长内被测集成电路发生单粒子翻转事件的次数，所述复合重离子束包含具有多种能量的多种元素，所述复合重离子束在各LET的离子通量值大于指定空间轨道上各LET的离子通量；S3.根据检测得到的各所述被测集成电路发生单粒子翻转事件的次数以及所述辐照时长，计算被测集成电路在指定空间轨道下的重离子致单粒子翻转软错误率。本发明具有实现操作简单、易于实现且检测误差小、精度高等优点。
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公开(公告)号：CN112910414A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110056572.1
申请日：2021-01-15
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明公开一种低相位噪声的前馈环形振荡器，包括用于提供正交相位的振荡波形的主路径支路、以及用于反馈主路径支路的辅助路径支路，主路径支路包括四级以上的第一延迟单元，各级第一延迟单元形成环形连接，辅助路径支路包括四个以上的第二延迟单元，每个第二延迟单元一一对应的连接在主路径支路中两级第一延迟单元之间，以用于将主路径支路中每一级的输出信号分别反馈至当前级的第一延迟单元与下一级的第一延迟单元。本发明具有结构简单紧凑、成本低、相位噪声低，且振荡频率高等优点。
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公开(公告)号：CN110208608B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201910388052.3
申请日：2019-05-10
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明公开一种低功耗小型化单粒子瞬态参数测试装置及方法，该装置包括单粒子瞬态脉冲靶电路模块，用于按照不同辐照条件产生具有不同参数的单粒子瞬态脉冲；压控振荡器，用于根据单粒子瞬态脉冲靶电路模块产生的不同脉冲输出不同频率的波形；测试模块，用于检测压控振荡器的输出波形，输出给波形分析计算模块；波形分析计算模块，用于接收压控振荡器的输出波形进行分析，并根据输出波形的波动状态计算出单粒子瞬态参数输出。本发明具有结构简单紧凑、占地面积小、功耗低、测试精度高且能够测试脉冲幅度等优点。
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公开(公告)号：CN112671392A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011554305.9
申请日：2020-12-24
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H03K19/0185 , H03K19/0948
摘要： 本发明公开一种用于高电平复位电路的抗单粒子瞬态缓冲器，包括依次连接的第一级反相器电路、第二级反相器电路，第一级反相器电路包括第一晶体管、第一电阻，第二级反相器电路包括第二晶体管、第二电阻，第一晶体管的栅极接入缓冲器的输入信号，第一晶体管的漏极分别连接第一电阻、第二晶体管的栅极，第二晶体管的漏极通过第二电阻连接电源，第二晶体管的漏极还连接缓冲器的输出信号端。本发明能够用于高电平复位电路，提高复位电路的抗单粒子瞬态能力，降低复位电路产生单粒子瞬态对功能电路的影响。
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公开(公告)号：CN112671378A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011554491.6
申请日：2020-12-24
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H03K5/13 , H03K17/28 , H03K19/094
摘要： 本发明公开一种无频率损耗的集成电路抗单粒子翻转加固方法，步骤包括：S1.获取目标集成电路中所有的触发器；S2.遍历获取的所有触发器进行判断，每次判断时对当前触发器所在的数据通路进行静态时序分析，计算出数据通路的时序余量，并计算将当前触发器替换为所需的加固触发器后建立时间参数的增量值以及CLK‑Q延时的增量值，根据当前触发器对应的时序余量与增量值之间的差值判断当前触发器是否为所需筛选出的目的触发器；S3.将步骤S2筛选出的所有目的触发器替换为加固触发器，得到加固后的集成电路。本发明能够抗单粒子翻转，同时能够保持集成电路工作频率不变，实现无频率损耗。
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公开(公告)号：CN111262666A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010088322.1
申请日：2020-02-12
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H04L1/24
摘要： 一种SERDES单粒子功能中断截面的测试方法及测试系统，方法包括：S1：控制被测SERDES运行于近端环回模式，用高能粒子辐照被测SERDES并统计总注量Q；S2：若Q达到预定值转S9，否转S3；S3：关闭PRBS产生器和PRBS检测器，传输COMMA码并开启字界对齐；S4：等待T时间，检测是否完成字界对齐，完成转S5，未完成则K值增1转S8；S5：停止传输COMMA码，关闭字界对齐，产生和检测指定码型的PRBS码；S6：开启字界对齐；S7：等待T时间，检测是否完成字界对齐，未完成转S2，完成则K值增1转S8；S8：重启被测SERDES运行于近端环回模式，转S2；S9：停止辐照，计算单粒子功能中断截面C＝K/Q。系统用来实施上述方法。本发明具有原理简单、易实现、能够提高SERDES单粒子功能中断测试准确度等优点。
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公开(公告)号：CN111259615A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010022295.8
申请日：2020-01-09
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： G06F30/392
摘要： 一种基于原有布图规划的自动化物理单元插入方法，其包括：步骤S1：展开芯片顶层，将宏模块名称记录到文档1；步骤S2：读取文档1，获取硬宏单元Box的信息；步骤S3：报告芯片拥塞信息，在hotspot处建立阻挡矩形Box；步骤S4：将上述的所有Box名及参数记录到文档2；步骤S5：建立物理单元距离芯片边界的距离范围大小的Box0阵列；步骤S6：在每个Box0相同位置处建立单元间距范围大小的Box1；步骤S7：在每个Box1中选出可布放单元的Box4，在Box4中找到面积最大的Box5；步骤S8：在每个Box5中计算出单元的中心坐标；步骤S9：确定空白Box9计算单元在其中的中心坐标；步骤S10：删除Blockage插入物理单元；步骤S11：结束。本发明具有原理简单、易操作、能够提高整体物理设计效率等优点。
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公开(公告)号：CN118376909B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410824738.3
申请日：2024-06-25
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明涉及内建动态老炼控制的集成电路、系统及方法，通过老炼激励的生成在DUT内建实现，不需要老炼控制台的参与，DUT内部扫描链相关的触发器和组合逻辑实现最大程度的翻转，同时老炼激励覆盖DUT内部的内存组件，老炼范围充分且覆盖率高。老炼过程监测的PCB实现简单，解决了动态老炼数据收集和监测的难题，有效简化以往基于集成电路动态老炼系统的老练装置设计，老炼控制台不再需要使用FPGA实现，提供简单外部电源和时钟信号即可实现芯片的动态老炼。同时，高温试验箱窗口限制老炼工位数量的问题得到了彻底解决，有效降低了老炼测试复杂度。
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