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公开(公告)号：CN109171816B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201811029513.X
申请日：2018-09-05
Applicant: 中北大学
IPC: A61B8/08
Abstract: 本发明公开一种用于检查乳腺的超声CT系统及其扫描方法，通过在超声CT系统具有超声换能器阵元高度密集的三维超声换能器阵列的基础上，通过控制模块控制各环形超声换能器阵列分组进行扫描，保证了各环形超声换能器阵列中的超声换能器阵元发射的超声扫描信号方向均为圆心，一个组中的所有超声换能器阵元同时发射超声扫描信号，产生共振，放大了超声扫描信号的能量，从而不仅提高了成像的分辨率，还提高了与扫描对象反应后得到的超声信号的精确度，提高了重建图像的清晰度。
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公开(公告)号：CN107172553B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201710217878.4
申请日：2017-04-05
Applicant: 中北大学
IPC: H04R19/00
Abstract: 本发明涉及水声领域的换能装置，具体涉及一种超宽频带MEMS换能器，包括封装外壳，封装外壳底部设置有PCB板基座，PCB板基座上设置有CMUT阵列，CMUT阵列包括依次设置的多个CMUT阵元，CMUT阵元与封装外壳之间设置有用于密封的硅油，CMUT阵元上设置有至少2组大小不同的振动微元，每个CMUT阵元均包括由下到上依次设置的基座层，绝缘层和振动薄膜层，振动薄膜层上设置有多个图形化的上电极，基座层上与多个上电极对应位置设置有下电极，绝缘层上与上电极对应位置设置有空腔，每一个上电极及与其对应的振动薄膜层、绝缘层、空腔、基座层、下电极和基座构成一个振动微元，不同组的振动微元交错设置在CMUT阵元上。本发明可拓宽MEMS换能器的特征频率，可应用于水声换能领域。
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公开(公告)号：CN107174284A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710553431.4
申请日：2017-07-08
Applicant: 中北大学
CPC classification number: A61B8/0825 , A61B8/145 , A61B8/15 , A61B8/40 , A61B8/4494
Abstract: 本发明为一种基于CMUT环形阵列的乳腺超声成像系统及其检测方法，该系统包括检测床板、CMUT环形阵列超声测试装置、控制系统、计算机；检测床板上设有两个检测窗口，检测床板下方设有水箱；CMUT环形阵列超声测试装置由电动旋转台、圆筒夹具和CMUT阵列换能器组成。该检测方法为待测乳房放入CMUT环形阵列超声测试装置中，CMUT阵列换能器逐一阵元进行扫描，利用透射信号和反射信号获得乳房断层信息，电动旋转台每转动3°扫描一次，直到转动90°，获得乳房所有断层信息，然后分别利用透射信号和反射信号进行3D成像，最后对比分析，准确诊断乳腺状况。本发明具有自动化程度高、非接触测量、适用广泛等优点。
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公开(公告)号：CN105486399A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510956913.5
申请日：2015-12-21
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明为一种用于测距和成像的微电容超声波换能器及其制备方法，本发明在微电容超声波换能器图形化上电极与振动薄膜之间增加了一层二氧化硅隔离层，防止上电极与振动薄膜之间形成欧姆接触，使微电容超声波换能器的上电极面积增大，提高了微电容超声波换能器的带宽和发射声压。本发明具有结构简单、工艺可控性好、成本低和适于大批量生产等优点。
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公开(公告)号：CN103528663B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201310512073.4
申请日：2013-10-26
Applicant: 中北大学
IPC: G01H3/00
Abstract: 本发明为一种具有隔振功能的MEMS矢量水听器封装结构，该封装结构减小了工作环境对MEMS矢量水听器性能指标的影响。该装置包括内设放大电路板的外支柱、软支柱、支撑底盘和透声帽，支撑底盘上安装有软支座，软支座包括设有缓冲孔和缓冲凸块的支撑柱体，支撑柱体顶部设有底板和安装槽，安装槽内安装有MEMS矢量水听器。检测时，工作平台的振动噪声通过外支柱向MEMS水听器传播的路径上，外支柱可以阻隔掉噪声中高于软支撑结构固有频率的大部分噪声成分，软支座可以滤除掉部分未被软支撑隔掉的振动噪声。本发明开创性地利用封装材料的特性和结构设计来实现对水听器的隔振要求，设计结构简单，隔振效果明显。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102647657B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201210164461.3
申请日：2012-05-25
Applicant: 中北大学
IPC: H04R17/00
Abstract: 本发明为一种单片集成MEMS压阻超声传感器，解决了现有超声传感器灵敏度低的问题。本发明包括质量块边框，质量块边框的两相对短边之间固定有振动膜，振动膜两侧边的中间位置与质量块边框的两相对长边之间分别对称固定有侧梁，振动膜位于X轴方向，侧梁位于Y轴方向，且振动膜宽度大于侧梁宽度，振动膜上的中间位置对称分布有第一、二应变压敏电阻，两侧梁上靠近质量块边框的根部位置对称分布有第三、四应变压敏电阻，四个应变压敏电阻的阻值相同并且其之间连接成一个惠斯通电桥。本发明结构简单新颖、重量轻、体积小、功耗低、灵敏度高、加工成本低、适合于批量化生产、单片集成便于安装测试。
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公开(公告)号：CN102620814B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210089010.8
申请日：2012-03-30
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明为一种MEMS仿生矢量水听器的桔瓣式封装结构，该结构可进一步提高水听器的各性能指标。本发明包括支撑管，支撑管顶部设有缩颈细管，缩颈细管的顶部设有支撑盘，支撑盘边缘开设环形卡槽，环形卡槽内固接有透声帽，支撑管底部管口设有堵头和锁紧螺母，其中，透声帽内还设有固定在支撑盘上的支撑台、支撑台上螺纹连接有桔瓣式金属支架，支撑台和桔瓣式金属支架之间卡接有置放四梁-纤毛式敏感体的软支架，透声帽、桔瓣式金属支架、四梁-纤毛式敏感体、软支架、支撑台之间紧密结合且无缝隙。与现有封装结构的水听器相比，采用该封装结构的水听器的共振频率提高近3倍，灵敏度提高20dB，水听器的可靠性和抗冲击能力也得到了明显提高。
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公开(公告)号：CN102435776A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110319018.4
申请日：2011-10-20
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及MEMS传感器领域中的加速度传感器，具体是一种单片集成八梁臂三轴加速度计，解决了现有加速度计灵敏度低、轴间耦合度大、封装结构复杂、安装测试不方便、耐高温性差的问题。该加速度计包括八根弹性梁臂、中心固支块和质量块边框，四周质量块边框分别通过弹性梁臂与中心固支块固定，中心固支块下底面通过静电耦合技术与玻璃底盖键合，十二个阻值相等的压敏电阻对称分布在八根弹性梁臂的两端，压敏电阻连接分别构成三个惠斯通电桥分别测试三个轴向的加速度。本发明加速度计灵敏度高，封装结构简单，可靠性高，成本低廉，易于一体化加工，以其生产加工的加速度计应用范围广阔。
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公开(公告)号：CN102103013B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201010581544.3
申请日：2010-12-10
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及MEMS传感器领域中的矢量水听器，具体是一种三维矢量水听器。解决了现有组合式三维矢量水听器存在的不利于实现微型化、且不易批量化生产等问题，包括分别用于敏感X向、Y向、Z向三方向水下声信号的敏感单元；用于敏感Z向单方向水下声信号的敏感单元包含半导体框架、悬置于半导体框架内且平行设置的两悬臂梁，两悬臂梁等长，且单端与半导体框架同一边框固定，自由端通过连接梁固定于一起；两悬臂梁与半导体框架固定的端部分别设有应变敏感元件，半导体框架上设有两基准敏感元件，连接组成电桥电路；两敏感单元的半导体框架为同平面集成。本发明结构简单、新颖，单片集成，易于微型化，易于制作和批量化生产，应用范围广阔。
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公开(公告)号：CN119947224A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510040261.4
申请日：2025-01-10
Applicant: 中北大学
IPC: H10D84/03 , B82Y10/00 , C30B28/14 , C30B29/06 , C23C28/00 , C23C14/35 , C23C14/04 , C23C14/16 , C23C16/30 , C23C16/44 , C23C14/48 , C23C14/58 , C30B23/02 , C30B25/02 , G01D5/12
Abstract: 本发明公开了一种基于CMOS侧墙工艺的金属栅控硅纳米线敏感单元的制备方法，属于传感器技术领域。本发明方法先在半导体衬底向上生长外延层，外延层上覆盖氧化层，N阱位于外延层上，多晶硅栅位于N阱上，在硅栅间隙进行第一次低能量注入形成超浅结，淀积氮氧化硅侧墙后进行第二次中能离子注入形成P+有源区，P+有源区连有金属引线，多晶硅栅和氮氧化硅侧墙上溅射一层金属引出硅栅电极，硅栅电极电压调节硅纳米线中载流子浓度。本发明硅纳米线敏感单元具备巨压阻效应，可大幅提高传感器灵敏度，氮氧化硅侧墙作为栅绝缘层，其上的硅栅电极电压调节硅纳米线的载流子浓度，形成金属‑氮氧化硅侧墙‑硅纳米线的MOS结构。
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