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公开(公告)号：CN116794643A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310767376.4
申请日：2023-06-27
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于逆投影方法技术领域，具体涉及一种基于声反射断层扫描成像的逆投影方法，运用升采样和频域匹配滤波技术解决逆投影算法中各角度下的横断面距离索引未知问题，目的在于提高横断面距离定位的准确性，进而提高声反射断层扫描声纳成像的精度和抗噪声能力。本发明充分利用匹配滤波峰值较高，抗干扰和噪声能力强的特性，以及声反射断层扫描横断面距离和匹配滤波峰值在时间上一一对应关系来估计横断面距离索引。并且本发明利用频域匹配滤波，将接收信号和参考信号的时域卷积运算转化为频域相乘，降低了计算复杂度。本发明采用频域补0处理使得时域信号升采样，提高了匹配滤波后峰值位置的准确性。
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公开(公告)号：CN119947224A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510040261.4
申请日：2025-01-10
Applicant: 中北大学
IPC: H10D84/03 , B82Y10/00 , C30B28/14 , C30B29/06 , C23C28/00 , C23C14/35 , C23C14/04 , C23C14/16 , C23C16/30 , C23C16/44 , C23C14/48 , C23C14/58 , C30B23/02 , C30B25/02 , G01D5/12
Abstract: 本发明公开了一种基于CMOS侧墙工艺的金属栅控硅纳米线敏感单元的制备方法，属于传感器技术领域。本发明方法先在半导体衬底向上生长外延层，外延层上覆盖氧化层，N阱位于外延层上，多晶硅栅位于N阱上，在硅栅间隙进行第一次低能量注入形成超浅结，淀积氮氧化硅侧墙后进行第二次中能离子注入形成P+有源区，P+有源区连有金属引线，多晶硅栅和氮氧化硅侧墙上溅射一层金属引出硅栅电极，硅栅电极电压调节硅纳米线中载流子浓度。本发明硅纳米线敏感单元具备巨压阻效应，可大幅提高传感器灵敏度，氮氧化硅侧墙作为栅绝缘层，其上的硅栅电极电压调节硅纳米线的载流子浓度，形成金属‑氮氧化硅侧墙‑硅纳米线的MOS结构。
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公开(公告)号：CN109116343B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN201811055556.5
申请日：2018-09-11
Applicant: 中北大学
IPC: G01S11/06 , H04B17/318
Abstract: 本发明涉及移动终端的定位算法技术领域，更具体而言，涉及本发明提供了一种移动终端接收信号强度的滤波方法，有效利用了移动终端的位置连续性，利用已有数据对移动终端的RSSI进行曲线拟合，从而实现RSSI的精确估计和滤波；结合权重系数提高了滤波方法的自适应性，满足了移动终端不同运动状态下的滤波需求。
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公开(公告)号：CN109116343A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201811055556.5
申请日：2018-09-11
Applicant: 中北大学
IPC: G01S11/06 , H04B17/318
Abstract: 本发明涉及移动终端的定位算法技术领域，更具体而言，涉及本发明提供了一种移动终端接收信号强度的滤波方法，有效利用了移动终端的位置连续性，利用已有数据对移动终端的RSSI进行曲线拟合，从而实现RSSI的精确估计和滤波；结合权重系数提高了滤波方法的自适应性，满足了移动终端不同运动状态下的滤波需求。
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