公开(公告)号：CN119947224A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510040261.4

申请日：2025-01-10

Applicant: 中北大学

Inventor： 王任鑫 ,  高晨璇 ,  李皓璇 ,  刘国昌 ,  柴宇佳 ,  张文栋 ,  张国军 ,  杨玉华 ,  何常德 ,  崔建功 ,  贾利成 ,  戴文舒

IPC: H10D84/03 ,  B82Y10/00 ,  C30B28/14 ,  C30B29/06 ,  C23C28/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/04 ,  C23C14/16 ,  C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  C23C14/48 ,  C23C14/58 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  G01D5/12

Abstract: 本发明公开了一种基于CMOS侧墙工艺的金属栅控硅纳米线敏感单元的制备方法，属于传感器技术领域。本发明方法先在半导体衬底向上生长外延层，外延层上覆盖氧化层，N阱位于外延层上，多晶硅栅位于N阱上，在硅栅间隙进行第一次低能量注入形成超浅结，淀积氮氧化硅侧墙后进行第二次中能离子注入形成P+有源区，P+有源区连有金属引线，多晶硅栅和氮氧化硅侧墙上溅射一层金属引出硅栅电极，硅栅电极电压调节硅纳米线中载流子浓度。本发明硅纳米线敏感单元具备巨压阻效应，可大幅提高传感器灵敏度，氮氧化硅侧墙作为栅绝缘层，其上的硅栅电极电压调节硅纳米线的载流子浓度，形成金属‑氮氧化硅侧墙‑硅纳米线的MOS结构。

公开(公告)号：CN117589283A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311650276.X

申请日：2023-12-05

Applicant: 中北大学

Inventor： 王任鑫 ,  张文栋 ,  刘国昌 ,  李皓璇 ,  柴宇佳 ,  高晨璇 ,  张国军 ,  崔建功 ,  杨玉华 ,  何常德 ,  贾利成

IPC: G01H3/00 ,  G01H11/08 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明为一种超浅结硅纳米线矢量水听器及其制备方法，涉及MEMS传感器技术领域。本发明矢量水听器包括SOI基片和微型柱体，SOI基片由四梁结构、中心质量块和SOI基片外边框组成，每根梁的两端都分布有一个超浅结硅纳米线压阻敏感单元，敏感单元之间通过金属引线连接组成惠斯通电桥。本发明是针对现有水听器水声探测灵敏度过低的问题而提出的一种基于巨压阻效应的压阻式MEMS矢量水听器，该矢量水听器通过微型柱体和四梁结构对水声信号进行力矩传递，并通过超浅结硅纳米线压阻敏感单元组成的惠斯通电桥实现高灵敏探测，该矢量水听器适用于水下微弱声音信号的高灵敏探测。