公开(公告)号：CN101275574B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200810086397.5

申请日：2008-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山涌纯 ,  守屋刚

IPC: F04D19/04 ,  F04D29/40 ,  H01L21/00

CPC classification number: F04D19/042 ,  F04D29/701 ,  F05D2260/607 ,  Y02T50/675

Abstract: 本发明提供一种能够抑制堆积物向构成部件附着的涡轮分子泵(18)，用于从腔室(11)排出堆积物附着要因气体，包括：具有沿着排气流的旋转轴(36)的转子(37)；收容该转子(37)的壳体(38)；从该转子(37)相对于旋转轴(36)垂直突出的多个旋转翼(39)；和从壳体(38)相对于旋转轴(36)垂直突出的多个静止翼(40)，多个旋转翼(39)被分割成多个旋转翼组(41)，多个静止翼(40)被分割成多个静止翼组(42)，各旋转翼组(41)和各静止翼组(42)沿旋转轴(36)交互配置，从相对于排气流在比位于最下游侧的旋转翼组(41)的更上游侧开口的气体供给口(43)供给含氩分子的堆积物附着抑制气体。

公开(公告)号：CN1792474B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200510023001.9

申请日：2005-11-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  三桥康至

IPC: B08B3/08 ,  B32B18/00 ,  C23C4/04 ,  H01L21/00

CPC classification number: B08B1/00 ,  B08B3/08 ,  B08B3/12 ,  B08B5/02 ,  B08B7/00 ,  C23C4/10 ,  C23C4/18 ,  Y10T428/12667 ,  Y10T428/12771

Abstract: 一种可以可靠地抑制水的解吸附和附着的陶瓷喷涂构件-清洁方法。陶瓷喷涂构件的表面与水彼此化学结合，从而使水稳定。物理吸附在陶瓷喷涂构件表面上的水被脱附。

公开(公告)号：CN100514557C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200710112597.9

申请日：2007-06-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  中山博之 ,  近藤圭祐 ,  冈宽树

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种能够防止基板缺陷的中间搬送室。基板处理系统(1)包括：对晶片(W)实施等离子体处理的处理模块(2)、从前开式统集盒(5)中取出晶片(W)的大气系搬送装置(3)、和作为搬入搬出晶片(W)的中间搬送室的负载锁定模块(4)。负载锁定模块(4)包括：设置有移载臂(70)并且具有与移载臂(70)的拾取器(74)的晶片载置面的正上方相向而设的板状部件(90)的腔室(71)、向该腔室(71)内供给气体的气体供给系统(72)、和对腔室(71)内进行排气的LL/M排气系统(73)。

公开(公告)号：CN100477103C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200610008360.1

申请日：2006-02-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  广冈隆明 ,  清水昭贵 ,  田中谕志

IPC: H01L21/3063 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/00 ,  C23F4/00

CPC classification number: C23F1/12 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67775

Abstract: 本发明提供一种大气输送室，使得在能够防止由被处理体制造的半导体器件降低质量的同时，还能够提高被处理体处理装置的开工率。输送进行了蚀刻处理的晶片W的加载模块(13)，包括了在其内部配置在上侧的FFU(34)，FFU(34)由风扇单元(37)、加热单元(38)、除湿装置(39)和除尘单元(40)组成，风扇单元(37)的内部装有向下侧送出大气的风扇，除湿装置(39)的内部装有对风扇单元(37)送出的大气进行除湿的干燥过滤器(55)，除尘单元(40)的内部装有将通过除湿装置(39)的大气中的粉尘收集的过滤器，由此FFU(34)将导入加载模块(13)内部上侧的大气进行加热、除湿和除尘，供给到加载模块(13)内部的下侧。

公开(公告)号：CN101355021A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810144356.7

申请日：2008-07-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山涌纯 ,  守屋刚

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67766 ,  H01L21/67778 ,  H01L21/67781

Abstract: 本发明提供一种基板搬送模块和基板处理系统，装载模块(14)通过负载锁定模块(12)与对晶片W实施蚀刻处理的处理模块(11)连接并且具有搬送晶片W的基板搬送装置(16)和收容该基板搬送装置(16)的搬送室(15)，该搬送室(15)内与外部氛围气体隔绝，搬送室(15)内的压力为大气压，基板搬送装置(16)具有保持晶片W的拾取器(19)和使该拾取器(19)移动的臂部(20)，装载模块(14)具有隔绝装置(18)，其收容拾取器(19)和该拾取器(19)所保持的晶片W，使得与搬送室(15)的内部氛围气体相隔绝。由此能够防止构成部件发生腐蚀、颗粒向基板的附着、基板搬送模块成本的提高和大型化。

公开(公告)号：CN101276739A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810086918.7

申请日：2008-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  大西正 ,  野中龙 ,  西村荣一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  B08B3/10 ,  B08B3/12

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/6708

Abstract: 本发明提供一种能够完全除去附着在基板背面和周缘部上的异物的基板处理系统，作为基板处理系统(10)具有的基板清洗装置的处理组件(15)包括：收容晶片(W)的腔室(38)；配置在该腔室(38)内的底部上，放置晶片W的载置台(39)；配置在腔室(38)内的顶部，与载置台(39)相对的喷淋头(40)。载置台(39)向着晶片(W)的背面或周缘部喷出呈液相和气相的二相状态的清洗物质(例如纯水)和非活性气体(例如N2气体)混合的清洗剂。喷淋头(40)产生向着晶片(W)的表面的向下流动。

公开(公告)号：CN101244945A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200710165026.1

申请日：2005-11-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  三桥康至 ,  上殿明良

IPC: C04B41/00 ,  C04B41/53 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  C23F4/00

Abstract: 本发明提供一种可抑制微粒的产生、同时可以防止基板处理装置的运转率下降、并且可以容易制造的基板处理装置用部件的制造方法。该基板处理装置用部件的制造方法包括缺陷存在比降低步骤，使基板处理装置用部件的表面附近存在的空孔状缺陷的存在比降低，缺陷存在比降低步骤对基板处理装置用部件进行热处理，热熔融的构成基板处理装置用部件的分子等流动，从而使基板处理装置用部件的表面附近的空孔状缺陷填满、消失。

公开(公告)号：CN100388430C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200510067931.4

申请日：2005-04-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  中山博之

IPC: H01L21/302

Abstract: 本发明提供一种不损伤基板，可以充分去除附着于基板的背面的异物的基板清洗装置。作为基板清洗装置的等离子体处理装置(1)备有：腔室(10)；配置于该腔室(10)内并载置晶片(W)的基座(11)；配置于该基座(11)，施加高电压的电极板(20)；给所述腔室(10)内排气的粗排放管线；在基座(11)和晶片(W)之间产生空间(S)的顶推销(30)；把N2气体供给到空间(S)的传热气体供给孔(27)，和向腔室10内导入处理气体等的浇淋头(33)，在生成空间S时，极性不同的高电压交互地施加于电极板(20)，N2气体向着晶片(W)的背面喷出到空间(S)，并且腔室(10)内被排气，进而在腔室(10)内被减压时，N2气体向腔室(10)导入。

公开(公告)号：CN100388418C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200510117786.6

申请日：2005-11-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  三桥康至 ,  上殿明良

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  C23F4/00

Abstract: 本发明提供一种可抑制微粒的产生、同时可以防止基板处理装置的运转率下降、并且可以容易制造的基板处理装置用部件的制造方法。通过对由烧结法或CVD法形成的碳化硅进行切削加工以成形为聚焦环(步骤S31)，将该成形的聚焦环暴露在作为不纯物质的由四氟化碳气体和氧气中的至少一种气体生成的等离子体中，将不纯物质导入聚焦环的表面附近存在的空孔状缺陷中(步骤S32)，将正电子射入导入了该不纯物质的聚焦环的表面附近，利用正电子湮没法检查聚焦环的表面附近的缺陷存在比(步骤S33)。

公开(公告)号：CN101127302A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200710112597.9

申请日：2007-06-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋刚 ,  中山博之 ,  近藤圭祐 ,  冈宽树

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种能够防止基板缺陷的中间搬送室。基板处理系统(1)包括：对晶片(W)实施等离子体处理的处理模块(2)、从前开式统集盒(5)中取出晶片(W)的大气系搬送装置(3)、和作为搬入搬出晶片(W)的中间搬送室的负载锁定模块(4)。负载锁定模块(4)包括：设置有移载臂(70)并且具有与移载臂(70)的拾取器(74)的晶片载置面的正上方相向而设的板状部件(90)的腔室(71)、向该腔室(71)内供给气体的气体供给系统(72)、和对腔室(71)内进行排气的LL/M排气系统(73)。