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公开(公告)号:CN105493272B
公开(公告)日:2019-03-15
申请号:CN201380079233.9
申请日:2013-08-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/36
Abstract: 基座板(1)具有固定面和散热面,该散热面是与固定面相反的面。绝缘基板(3)与基座板(1)的固定面接合。导电图案(4、5)设置在绝缘基板(3)之上。在导电图案(4)之上接合有半导体芯片(7、8)。Al导线(12)将半导体芯片(8)的上表面和导电图案(5)连接。绝缘基板(3)、导电图案(4、5)、半导体芯片(7~10)以及Al导线(11~13)由树脂(16)封装。基座板(1)具有金属部(19)和加固件(20),该加固件(20)设置在金属部(19)内。加固件(20)的杨氏模量比金属部(19)的杨氏模量高。
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公开(公告)号:CN104517913B
公开(公告)日:2019-01-04
申请号:CN201410409776.9
申请日:2014-08-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/56
Abstract: 本发明的目的在于提供一种以低成本兼顾半导体装置的小型化和可靠性的提高的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置的特征在于,具有:陶瓷衬底(1);多个电路图案(1a),其配置在陶瓷衬底(1)表面;半导体元件(2),其配置在至少1个电路图案(1a)的表面;以及封装树脂(4),其封装陶瓷衬底(1)、多个电路图案(1a)以及半导体元件(2),在相邻的电路图案(1a)的相对的侧面形成欠切部(1aa),在欠切部(1aa)中,电路图案(1a)的表面的端部(11)与电路图案(1a)的和陶瓷衬底(1)接触的面的端部(12)相比,向该电路图案(1a)的外侧突出,在欠切部(1aa)中也填充封装树脂(4)。
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公开(公告)号:CN107112316A
公开(公告)日:2017-08-29
申请号:CN201480084385.2
申请日:2014-12-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种廉价且散热性高的半导体模块。本发明涉及的半导体模块(100)具有:中空的壳体(3);铝合金制的基座板(2),其具有与壳体(3)的中空的部分相对应的第1部分(2a)、与壳体(3)的主体部分相对应的第2部分(2b),该基座板(2)经由第2部分(2b)而安装于壳体(3)的底面;陶瓷绝缘基板(7),其设置于基座板(2)的第1部分(2a)之上;配线图案(9),其设置于陶瓷绝缘基板(7)之上;半导体元件(10a、10b),它们设置于配线图案(9)之上;金属配线板(12),其连接于半导体元件(10a、10b)之上;以及封装树脂(14),其对设置有陶瓷绝缘基板(7)、配线图案(9)、半导体元件(10a、10b)以及金属配线板(12)的壳体(3)的中空的部分进行封装。
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公开(公告)号:CN104425471B
公开(公告)日:2017-07-28
申请号:CN201410429065.8
申请日:2014-08-27
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/495 , H01L21/50 , H01L23/043 , H01L23/24 , H01L23/3735 , H01L23/49861 , H01L24/00 , H01L24/33 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40137 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 即使在利用壳体的半导体装置的引脚端子处产生应力的情况下,也可以抑制由该引脚端子引起的故障的产生。半导体装置(100)具有:导电部,其包含设置在基板(2)上的半导体元件(3);壳体(5),其收容该导电部;以及引脚端子(4),其与壳体(5)一体化,并且直接与半导体元件(3)或者基板(2)的配线连接。引脚端子(4)具有缓和在引脚端子(4)处产生的应力的应力缓和形状。
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公开(公告)号:CN104517913A
公开(公告)日:2015-04-15
申请号:CN201410409776.9
申请日:2014-08-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/56
CPC classification number: H05K1/18 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/13055 , H05K1/0203 , H05K1/0306 , H05K3/06 , H05K3/20 , H05K3/284 , H05K2201/0373 , H05K2201/09036 , H05K2201/2072 , H05K2203/049 , H05K2203/1184 , H05K2203/1316 , Y10T29/41 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种以低成本兼顾半导体装置的小型化和可靠性的提高的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置的特征在于,具有:陶瓷衬底(1);多个电路图案(1a),其配置在陶瓷衬底(1)表面;半导体元件(2),其配置在至少1个电路图案(1a)的表面;以及封装树脂(4),其封装陶瓷衬底(1)、多个电路图案(1a)以及半导体元件(2),在相邻的电路图案(1a)的相对的侧面形成欠切部(1aa),在欠切部(1aa)中,电路图案(1a)的表面的端部(11)与电路图案(1a)的和陶瓷衬底(1)接触的面的端部(12)相比,向该电路图案(1a)的外侧突出,在欠切部(1aa)中也填充封装树脂(4)。
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公开(公告)号:CN207038515U
公开(公告)日:2018-02-23
申请号:CN201490001567.4
申请日:2014-10-30
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/48 , H01L23/50 , H01L2224/05554 , H01L2224/33 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型提供一种焊锡接合结构的半导体装置,既能实现与外部电极的通电性的提高又能实现装置的高可靠性。而且,在本实用新型中,半导体元件上焊锡(21)从表面电极(11)的焊锡接合区域(R11h)至外部电极(31)的焊锡接合区域(R31h)来形成。外部电极(31)具有比其他区域向表面电极(11)的表面侧突出的下垂部(31a)。半导体元件上焊锡(21)具有包括倒圆角(F1)和倒圆角(F2)的端面形状,其中,倒圆角(F1)从表面电极(11)的表面至上方朝向焊锡中心点的方向弯曲;倒圆角(F2)从外部电极(31)的表面至下方朝向焊锡中心点的方向弯曲。
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