公开(公告)号：CN112442734A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010787644.5

申请日：2020-08-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 李昌锡 ,  申铉石 ,  申铉振 ,  洪锡模 ,  马庆烈

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  H01L29/20 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及六方氮化硼、其制造方法及电子器件和半导体器件。在此公开了一种制造六方氮化硼的方法，其中六方氮化硼被外延地生长。一种制造六方氮化硼的方法包括：将催化金属放置在腔室中，该催化金属具有六方晶体结构并与腔室中的六方氮化硼(h‑BN)具有15％或更小的晶格失配；以及在将氮源和硼源供应到腔室中的同时，在800℃或更低的温度下在催化金属上生长六方氮化硼。

公开(公告)号：CN106065466B

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201610258537.7

申请日：2016-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金海龙 ,  申铉振 ,  朴晟准

IPC: C23C16/30

Abstract: 提供用于层状过渡金属硫属化合物层的组合物及形成层状过渡金属硫属化合物层的方法。所述组合物包括选自由式1表示的过渡金属前体和由式1d表示的过渡金属前体的至少一种，和由式2表示的硫属前体。其中，在式1中，M、R1、R2、a、b、和c与具体实施方式中定义的相同，其中，在式1d中，M、R1和d与具体实施方式中定义的相同，和其中，在式2中，M'和X与具体实施方式中定义的相同，[式1]Ma(R1)6‑b‑c(H)b(R2)c[式2]M'kX2[式1d]M(R1)d。

公开(公告)号：CN106067739B

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201610244475.4

申请日：2016-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  卞卿溵 ,  薛珉洙 ,  朴晟准

IPC: H02N1/04

Abstract: 一种摩擦电产生器包括：彼此面对的第一电极和第二电极；以及第一能量产生层，提供在第一电极上并且通过与其它材料接触而产生电能，第一能量产生层包括具有二维(2D)形状的晶体结构的2D材料。

公开(公告)号：CN109307983A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201810735125.7

申请日：2018-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑盛骏 ,  申铉振 ,  金尚元 ,  朴晟准 ,  薛珉洙 ,  李东郁 ,  李润姓 ,  A.郑

IPC: G03F7/004 ,  G03F1/56

Abstract: 提供用于光掩模的表膜组合物和表膜、形成该表膜的方法、掩模版、曝光设备和制造器件的方法，所述用于光掩模的表膜由所述表膜组合物形成。所述表膜组合物包括：选自石墨烯量子点和石墨烯量子点前体的至少一种，所述石墨烯量子点具有约50nm或更小的尺寸；和溶剂。

公开(公告)号：CN108987463A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201711443416.0

申请日：2017-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申建旭 ,  申铉振 ,  赵连柱 ,  南胜杰 ,  朴晟准 ,  李润姓

IPC: H01L29/16

CPC classification number: H01L29/1606 ,  C01B32/186 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/3065 ,  H01L23/53276 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66015

Abstract: 本公开提供了包括石墨烯的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。一种半导体器件包括基板和石墨烯层。基板包括绝缘体和半导体。石墨烯层生长在半导体的表面上。半导体包括IV族材料和III-V族化合物中的至少一种。公开了一种制造该半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN104103671B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201410175362.4

申请日：2014-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  卞卿溵 ,  宋伣在 ,  朴晟准 ,  D·许 ,  禹轮成 ,  李东郁 ,  李载昊 ,  郑现钟 ,  许镇盛 ,  柳寅敬

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78684 ,  H01L31/028 ,  H01L31/08 ,  H01L33/34 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0504 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/0562 ,  H01L51/0566 ,  H01L51/057 ,  H01L51/428 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明提供石墨烯器件和包括石墨烯器件的电子设备。根据示例实施例，石墨烯器件包括：包括源极、栅极和漏极的晶体管；有源层，载流子通过其移动；以及在栅极和有源层之间的石墨烯层。石墨烯层可被配置为既作为有源层的电极又作为晶体管的沟道层。

公开(公告)号：CN107769607A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710537117.7

申请日：2017-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： A.郑 ,  申铉振 ,  金在瑛 ,  卞卿溵

IPC: H02N1/04 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H02N1/04 ,  B82Y30/00

Abstract: 本公开涉及摩擦电发电机。一种摩擦电发电机包括彼此间隔开的第一电极和第二电极、分别提供在第一电极和第二电极上的第一起电层和第二起电层、以及被提供为将光照射到第二起电层上的光源。这里，第二起电层包括被配置为由于期望的波长的光而产生表面等离子体激元共振的金属材料，并且光源将被配置为产生表面等离子体激元共振的期望的波长的光照射到第二起电层上。

公开(公告)号：CN106230305A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201610379613.X

申请日：2016-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卞卿溵 ,  薛珉洙 ,  申铉振 ,  朴晟准

IPC: H02N1/04

CPC classification number: H02N1/04

Abstract: 示例实施方式涉及摩擦电发电机，该摩擦电发电机包括：第一电极和面对第一电极的摩擦电材料层；和自组装单层，在第一电极和摩擦电材料层之间并与第一电极的表面或摩擦电材料层的表面结合。根据要被结合的材料，自组装单层由包括硅烷基团、硅醇基团或硫醇基团的材料形成或包括具有硅烷基团、硅醇基团或硫醇基团的材料。

公开(公告)号：CN106169502A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610149522.7

申请日：2016-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  金海龙 ,  申铉振 ,  南胜杰 ,  朴晟准

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/28512 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开提供包括金属-二维材料-半导体接触的半导体器件。一种半导体器件包括半导体层、电接触半导体层的金属层、以及在半导体层与金属层之间并具有二维晶体结构的二维材料层。

公开(公告)号：CN101488567B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN200810169867.4

申请日：2008-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权问奭 ,  尹善美 ,  崔在万 ,  金翰秀 ,  申铉振 ,  崔在荣

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/36 ,  H01M4/04

CPC classification number: H01M4/13 ,  B82Y30/00 ,  H01M4/0419 ,  H01M4/139 ,  H01M4/5825 ,  H01M4/625 ,  H01M10/052 ,  H01M2004/021 ,  Y02E60/122

Abstract: 本发明涉及电极、锂电池、制造电极的方法和涂布电极的分散体。一种电极包括集流器以及设置于集流器上的活性材料层。活性材料层包括结构性网络和活性材料合成物。结构性网络包括碳纳米管和粘合剂的网络。活性材料合成物包括活性材料和极性介质。