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公开(公告)号：CN108475847B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201780006497.X
申请日：2017-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 电子设备可包括：壳体、侧部构件、显示器、印制电路板和通信模块，其中，壳体包括面对第一方向的第一板和面对与第一方向相反的第二方向的第二板，壳体具有形成在第一板和第二板之间的空间；侧部构件围绕空间的至少一部分；显示器设置在壳体的内部并且通过第一板暴露；印制电路板设置在壳体的内部并且设置在显示器和第二板之间；通信模块设置在壳体的内部并且联接至印制电路板。侧部构件可包括第一导电构件、第二导电构件和第一绝缘构件，其中，第一导电构件围绕空间延伸；第二导电构件与第一导电构件平行地围绕空间延伸，第一导电构件与第二导电构件隔开，第二导电构件比第一导电构件更邻近第二板，并且第二导电构件使其至少一部分电连接至通信模块；第一绝缘构件与第一导电构件平行地围绕空间延伸，并且设置在第一导电构件和第二导电构件之间。另外，其他各实施方式也是可行的。
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公开(公告)号：CN108702403B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201780011170.1
申请日：2017-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种电子装置，所述电子装置包括：外壳，具有第一表面、第二表面和侧表面；触摸屏显示器，包括与第一表面基本平行的导电平面；印刷电路板，位于触摸屏显示器和第二表面之间，并基本与导电平面平行；无线通信电路；侧构件，形成侧表面的至少一部分，其中，侧构件包括：第一延长部件，包围导电平面的至少一部分并由非导电材料形成，以及第二延长部件，包围印刷电路板的至少一部分并不包围导电平面的任何部分，并与第一延长部件平行地延伸。第二延长部件由导电材料形成，并被电耦合到无线通信电路。
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公开(公告)号：CN103296087B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201310038706.2
申请日：2013-01-31
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/78618 , H01L29/78681 , H01L29/7869
Abstract: 一种晶体管可以包括在包括氮氧化物的沟道层与电连接到该沟道层的电极之间的空穴阻挡层。该空穴阻挡层可以设置在该沟道层与源电极和漏电极的至少之一之间的区域中。该沟道层可以包括例如锌氮氧化物（ZnON）。空穴阻挡层的价带最高能级可以低于沟道层的价带最高能级。
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公开(公告)号：CN103730575B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410007030.5
申请日：2010-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/102 , B82Y30/00 , H01L51/0023 , H01L51/0512 , Y10T428/24802 , Y10T428/24917 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明公开表面改性剂、叠层结构体和其制法及包括其的晶体管。具体而言，本发明公开包括在一个末端具有乙炔基的化合物的表面改性剂、使用该表面改性剂制造的叠层结构体、制造该叠层结构体的方法、以及包括该叠层结构体的晶体管。
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公开(公告)号：CN102136499B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201110031440.X
申请日：2011-01-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/78696
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。该TFT可包括浮置沟道和绝缘层，浮置沟道在沟道表面上形成为与源极和漏极分隔开，绝缘层形成在浮置沟道上并设计为控制浮置沟道与源极或漏极之间的距离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1891754A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610093726.X
申请日：2006-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0036 , C08G61/122 , C08G61/126 , H01L51/0035 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了一种有机聚合物半导体化合物，使用该化合物形成有机聚合物半导体薄膜的方法，和使用该化合物的有机薄膜晶体管。本发明的实施方式涉及侧链含有可除去的取代基的有机聚合物半导体化合物，同时涉及使用该有机聚合物半导体化合物作为有机活性层的有机薄膜晶体管，其具有较低的泄漏电流、较高的电荷载流子迁移率，和/或较高的开－关比。
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公开(公告)号：CN1767158A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510098014.2
申请日：2005-09-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0021 , B82Y10/00 , H01L51/0015 , H01L51/0046 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开一种制备薄膜晶体管的方法，其中通过溶液法形成源极和漏极，因而包括电极在衬底上的形成、绝缘体层的形成和有机半导体层的形成的所有阶段，都是通过溶液法进行的。在该方法中，制造过程被简化，制造成本被降低。由于具有高电荷迁移率，所以该有机薄膜晶体管可以应用于需要高速转换的集成电路中。
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公开(公告)号：CN1763035A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510113849.0
申请日：2005-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D333/18 , C07D409/04 , C07D413/04 , C07D417/04 , C07D487/04 , C07D471/04 , C07F5/02 , C07F7/22 , H01L51/30
CPC classification number: H01L51/0068 , C08G61/12 , C08G61/126 , H01L51/0036 , H01L51/0072 , H01L51/0545
Abstract: 本发明披露一种低聚噻吩－亚芳基衍生物，其中具有n型半导体特征的亚芳基被引入至具有p型半导体特征的低聚噻吩中，从而同时表现出p型和n型半导体特征。本发明进一步披露使用该低聚噻吩－亚芳基衍生物制成的有机薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN1577912A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410062148.4
申请日：2004-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/20 , H01L51/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L21/31604 , H01L21/31691 , H01L51/0052 , H01L51/0529 , H01L51/0537
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管(OTFT)，包括：顺序地形成在衬底上的栅电极、栅绝缘膜、有机有源层和源/漏电极，或者栅电极、栅绝缘膜、源/漏电极和有机有源层，其特征在于该栅绝缘膜是多层绝缘体，所述多层绝缘体包含高介电材料的第一层和能与该有机有源层相容的绝缘有机聚合物的第二层，所述第二层被直接放置在该有机有源层之下。本发明所述OTFT显示了低阈值和驱动电压、高电荷迁移率、高Ion/Ioff值，并且，还能通过湿法工艺制备。
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公开(公告)号：CN1530404A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410028338.4
申请日：2004-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/168 , C01B32/17 , C08K3/041 , C08K9/04 , C09D7/70 , C09D109/06 , C09D129/04 , G03F7/0382 , Y10S977/746 , Y10S977/753 , Y10S977/842 , Y10T428/24893 , Y10T428/24994
Abstract: 本发明公开了一种通过用可聚合的官能团，如环氧乙烷和酸酐基团对碳纳米管的表面进行改性，然后将表面改性的碳纳米管或者进行光蚀刻或者进行热固化处理来制备碳纳米管负片图案或具有互穿聚合物网络(IPN)的聚合碳纳米管复合材料的方法。通过本发明，可以很容易地在各种基材表面制备所需的碳纳米管图案，并且可以在没有其它聚合物的情况下制备硬化性能得到提高的聚合碳纳米管复合材料。
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