公开(公告)号：CN117460251A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310792042.2

申请日：2023-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正敏 ,  林汉镇 ,  丁炯硕

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/64 ,  H10N97/00

Abstract: 提供了一种半导体器件和制造其的方法。该半导体器件包括基板、在基板上垂直地延伸并且彼此水平地间隔开的下电极、提供在基板上以共形地覆盖下电极的导电图案、提供为穿透导电图案并连接到下电极的侧表面的部分的支撑图案、以及设置在支撑图案的表面上的导电岛。导电岛可以分布在支撑图案的表面上以彼此间隔开，导电图案可以与导电岛间隔开并且与导电岛电断开。

公开(公告)号：CN110034099B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN201810971335.6

申请日：2018-08-24

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 姜相列 ,  曹圭镐 ,  林汉镇 ,  黄澈盛

IPC: H01L23/64 ,  H10B12/00

Abstract: 本公开提供了一种包括电容器的半导体器件。该半导体器件包括：在基板上的开关元件；在开关元件上的焊盘隔离层；导电焊盘，穿过焊盘隔离层并电连接到开关元件；绝缘图案，在焊盘隔离层上并具有比水平宽度大的高度；下电极，在绝缘图案的侧表面上并与导电焊盘接触；电容器电介质层，在下电极上并具有单晶电介质层和多晶电介质层，该单晶电介质层与该多晶电介质层相比相对靠近绝缘图案的侧表面；以及上电极，在电容器电介质层上。

公开(公告)号：CN107946307B

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN201710597611.2

申请日：2017-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔至薰 ,  金成吉 ,  金智美 ,  金重浩 ,  金泓奭 ,  南泌旭 ,  安宰永 ,  林汉镇

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括彼此交替地堆叠的层间绝缘层和第一栅电极；穿透所述堆叠结构的开口中的半导体层；所述半导体层和所述堆叠结构之间的第一电介质层；以及所述堆叠结构中更靠近所述衬底而不是所述第一栅电极的下部图案，所述下部图案包括面对所述第一电介质层的第一表面以及面对所述堆叠结构的第二表面，所述第二表面与所述第一表面限定了锐角，其中所述第一电介质层包括面对所述堆叠结构的第一部分和面对所述下部图案的第一表面的第二部分，所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。

公开(公告)号：CN117119787A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310221816.6

申请日：2023-03-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正敏 ,  林汉镇 ,  丁炯硕

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：上电极；下电极；电介质层，所述电介质层位于所述上电极与所述下电极之间；以及低带隙界面层，所述低带隙界面层包括位于所述电介质层与所述上电极之间的第一低带隙界面层和位于所述电介质层与所述下电极之间的第二低带隙界面层中的至少一者，其中，所述第一低带隙界面层和所述第二低带隙界面层中的每一者包括带隙能大于大约2.5eV且小于或等于大约3.5eV的金属氧化物。

公开(公告)号：CN117015236A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310373577.6

申请日：2023-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全寅铎 ,  林汉镇 ,  丁炯硕

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/538

Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。该半导体存储器装置包括：层间绝缘层、嵌入在层间绝缘层中的多个第一接触焊盘、嵌入在层间绝缘层中并且布置在多个第一接触焊盘上的第一功函数调整图案、以及布置在多个第一功函数调整图案上的多个下电极。

公开(公告)号：CN116913900A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310390280.0

申请日：2023-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正敏 ,  林汉镇 ,  丁炯硕

IPC: H01L23/64 ,  H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：单元电容器，所述单元电容器设置在衬底上并且包括第一电极、电介质层结构和第二电极。所述电介质层结构包括：第一电介质层，所述第一电介质层设置在所述第一电极上并且包括铁电材料；第二电介质层，所述第二电介质层设置在所述第一电介质层上并且包括反铁电材料；以及电介质颗粒，所述电介质颗粒分散在所述第一电介质层或所述第二电介质层中的至少一者中并且包括顺电材料。

公开(公告)号：CN116615094A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202211221687.2

申请日：2022-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金范宗 ,  林汉镇

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了一种电容器结构和包括电容器结构的半导体装置。所述电容器结构包括：第一电极，在基底上，并且在与基底的上表面基本平行的水平方向上彼此间隔开；第一支撑图案，接触第一电极的侧壁；介电层，在第一电极的表面和第一支撑图案的表面上；以及第二电极，在介电层上。第一支撑图案在与基底的上表面基本平行的第一方向上布置，第一支撑图案接触第一电极的在第二方向上的中心部分的侧壁，第二方向与基底的上表面基本平行并与第一方向基本正交，并且第一支撑图案不与第一电极的在第二方向上的边缘部分的侧壁接触。

公开(公告)号：CN106233453B

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN201580020424.7

申请日：2015-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌锡 ,  申铉振 ,  朴晟准 ,  任桐贤 ,  朴显 ,  申建旭 ,  李钟鸣 ,  林汉镇

IPC: H01L23/532

Abstract: 示例实施方式涉及布线结构、形成该布线结构的方法以及采用该布线结构的电子装置。该布线结构包括第一导电材料层和在第一导电材料层上与金属层直接接触的纳米晶石墨烯层。

公开(公告)号：CN111276481A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201910822506.3

申请日：2019-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林汉镇 ,  朴基钟 ,  金润守

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。半导体器件可以包括衬底上的有源图案。有源图案可以包括第一源/漏区和第二源/漏区。半导体器件还可以包括电连接到第一源/漏区的位线、电连接到第二源/漏区的第一连接电极以及第一连接电极上的电容器。电容器可以包括第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间的介电图案。介电图案的下部可以与第一连接电极的顶表面重叠，并且第一电极可以在第一连接电极的侧壁的上部上延伸。

公开(公告)号：CN110034099A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201810971335.6

申请日：2018-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜相列 ,  曹圭镐 ,  林汉镇 ,  黄澈盛

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/108

Abstract: 本公开提供了一种包括电容器的半导体器件。该半导体器件包括：在基板上的开关元件；在开关元件上的焊盘隔离层；导电焊盘，穿过焊盘隔离层并电连接到开关元件；绝缘图案，在焊盘隔离层上并具有比水平宽度大的高度；下电极，在绝缘图案的侧表面上并与导电焊盘接触；电容器电介质层，在下电极上并具有单晶电介质层和多晶电介质层，该单晶电介质层与该多晶电介质层相比相对靠近绝缘图案的侧表面；以及上电极，在电容器电介质层上。