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公开(公告)号：CN101246909B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN200810074302.8
申请日：2008-02-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78609
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管(TFT)可以包括沟道层、源电极、漏电极、保护层、栅电极、和/或栅极绝缘层。沟道层可以包括氧化物半导体材料。源电极和漏电极可以在沟道层上方相互面对。保护层可以在源电极和漏电极下面和/或可以覆盖沟道层。栅电极可以配置为向沟道层施加电场。栅极绝缘层可以夹置在栅电极和沟道层之间。
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公开(公告)号：CN101192648B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN200710196017.9
申请日：2007-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/165 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明的示例实施例涉及一种电阻随机存取存储器(RRAM)以及制造该RRAM的方法。根据示例实施例的RRAM可以包括：下电极，可以形成在下结构(例如，基底)上；电阻层，可以形成在下电极上，其中，电阻层可以包含过渡金属掺杂物；上电极，可以形成在电阻层上。因此，过渡金属掺杂物可以在电阻层中形成用作电流通路的丝。
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公开(公告)号：CN101304046B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200810127791.9
申请日：2008-02-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法。具体而言，薄膜晶体管可以包括：栅绝缘层；形成在栅绝缘层上的栅电极；形成在栅绝缘层上的沟道层；以及接触沟道层的源和漏电极。沟道层可以具有包含上层和下层的双层结构。上层可以具有比下层低的载流子浓度。一种晶体管的制造方法可以包括：在衬底上形成沟道层；在衬底上形成源和漏电极；在衬底上形成栅绝缘层；以及在沟道层上方的栅绝缘层上形成栅电极。一种晶体管的制造方法可以包括：在衬底上形成栅电极；在衬底上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成沟道层；以及在栅绝缘层上形成源和漏电极。
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公开(公告)号：CN101409303B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN200810129780.4
申请日：2008-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李昌范 , 朴永洙 , 李明宰 , 斯蒂法诺维奇·詹瑞克 , 金起焕
Abstract: 本发明提供了一种多层电极、一种交叉点电阻存储器阵列。所述阵列可以包括：多条第一电极线，彼此平行地布置；多条第二电极线，与第一电极线交叉并且彼此平行地布置；第一存储器电阻器，位于第一电极线和第二电极线的交叉处，其中，第一电极线和第二电极线中的至少一种具有包括第一导电层和由贵金属形成的第二导电层的多层结构。
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公开(公告)号：CN101114585B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200610172718.4
申请日：2006-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L27/24 , H01L21/822
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02532 , H01L21/2026 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及一种形成多晶硅图案的方法、一种包括该多晶硅图案的多层交叉点电阻存储器、以及制造该存储器的方法。形成该多晶硅图案的方法包括：在半导体衬底上形成点型非晶硅图案；在该衬底上形成盖层从而覆盖该非晶硅图案；利用准分子激光退火工艺多晶化该非晶硅图案；以及去除该盖层。另外，通过在该多晶硅图案中掺杂n型和p型杂质获得的多晶硅二极管应用到该多层交叉点电阻存储器。
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公开(公告)号：CN101064345B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200610149433.9
申请日：2006-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/41 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L27/1288 , H01L29/66757 , H01L29/78618
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。该TFT包括：衬底；沟道，形成于该衬底上；源欧姆层和漏欧姆层，形成于该沟道的两端上；热氧化层，形成于所述源欧姆层和漏欧姆层之间的沟道的表面上；栅绝缘体，覆盖该源欧姆层和漏欧姆层以及该热氧化层；栅，形成于该栅绝缘体上；ILD(层间电介质)层，覆盖该栅；源电极和漏电极，通过形成于该ILD层以及该栅绝缘体内的接触孔而接触该源欧姆层和漏欧姆层；以及钝化层，覆盖该源电极和漏电极。
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公开(公告)号：CN101527318A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200810179474.1
申请日：2008-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/02 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种晶体管及其制造方法。根据示例实施例的晶体管可以包括：沟道层；源极和漏极，分别接触沟道层的端部；栅电极，与沟道层分开；栅极绝缘层，设置在沟道层和栅电极之间；和/或插入层，形成在沟道层和栅极绝缘层之间。插入层的功函数可以与沟道层的功函数不同。
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公开(公告)号：CN101409303A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810129780.4
申请日：2008-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李昌范 , 朴永洙 , 李明宰 , 斯蒂法诺维奇·詹瑞克 , 金起焕
Abstract: 本发明提供了一种多层电极、一种交叉点电阻存储器阵列。所述阵列可以包括：多条第一电极线，彼此平行地布置；多条第二电极线，与第一电极线交叉并且彼此平行地布置；第一存储器电阻器，位于第一电极线和第二电极线的交叉处，其中，第一电极线和第二电极线中的至少一种具有包括第一导电层和由贵金属形成的第二导电层的多层结构。
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公开(公告)号：CN101339954A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810110123.5
申请日：2008-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/12 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 示例实施例涉及一种包含氧化锌(ZnO)的氧化物半导体、一种包括由该氧化物半导体形成的沟道的薄膜晶体管以及一种制造该薄膜晶体管的方法。该氧化物半导体可包括：GaxInyZnz氧化物；至少一种材料，从由4B族元素、4B族氧化物、稀土元素及它们的组合组成的组中选择。
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