公开(公告)号：CN101246909B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN200810074302.8

申请日：2008-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴宰澈 ,  朴永洙 ,  金善日

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78609

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管(TFT)可以包括沟道层、源电极、漏电极、保护层、栅电极、和/或栅极绝缘层。沟道层可以包括氧化物半导体材料。源电极和漏电极可以在沟道层上方相互面对。保护层可以在源电极和漏电极下面和/或可以覆盖沟道层。栅电极可以配置为向沟道层施加电场。栅极绝缘层可以夹置在栅电极和沟道层之间。

公开(公告)号：CN101304046B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200810127791.9

申请日：2008-02-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善日 ,  朴永洙 ,  朴宰澈

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法。具体而言，薄膜晶体管可以包括：栅绝缘层；形成在栅绝缘层上的栅电极；形成在栅绝缘层上的沟道层；以及接触沟道层的源和漏电极。沟道层可以具有包含上层和下层的双层结构。上层可以具有比下层低的载流子浓度。一种晶体管的制造方法可以包括：在衬底上形成沟道层；在衬底上形成源和漏电极；在衬底上形成栅绝缘层；以及在沟道层上方的栅绝缘层上形成栅电极。一种晶体管的制造方法可以包括：在衬底上形成栅电极；在衬底上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成沟道层；以及在栅绝缘层上形成源和漏电极。

公开(公告)号：CN101304046A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200810127791.9

申请日：2008-02-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善日 ,  朴永洙 ,  朴宰澈

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法。具体而言，薄膜晶体管可以包括：栅绝缘层；形成在栅绝缘层上的栅电极；形成在栅绝缘层上的沟道层；以及接触沟道层的源和漏电极。沟道层可以具有包含上层和下层的双层结构。上层可以具有比下层低的载流子浓度。一种晶体管的制造方法可以包括：在衬底上形成沟道层；在衬底上形成源和漏电极；在衬底上形成栅绝缘层；以及在沟道层上方的栅绝缘层上形成栅电极。一种晶体管的制造方法可以包括：在衬底上形成栅电极；在衬底上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成沟道层；以及在栅绝缘层上形成源和漏电极。

公开(公告)号：CN101246909A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200810074302.8

申请日：2008-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴宰澈 ,  朴永洙 ,  金善日

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78609

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管(TFT)可以包括沟道层、源电极、漏电极、保护层、栅电极、和/或栅极绝缘层。沟道层可以包括氧化物半导体材料。源电极和漏电极可以在沟道层上方相互面对。保护层可以在源电极和漏电极下面和/或可以覆盖沟道层。栅电极可以配置为向沟道层施加电场。栅极绝缘层可以夹置在栅电极和沟道层之间。