公开(公告)号：CN103137469B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201110374966.8

申请日：2011-11-22

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 郭晓波

IPC分类号： H01L21/312

CPC分类号： H01L21/02304 ,  H01L21/561 ,  H01L21/76802 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法，在需要制作钝化层的基片上进行非感光性聚酰亚胺的旋涂和烘烤，采用低温的方法生长一层二氧化硅，在二氧化硅上进行光刻胶的旋涂和烘烤，曝光显影获得光刻胶图形，以光刻胶图形为掩膜层，刻蚀二氧化硅形成图形，剥离去除光刻胶，再以图形化的二氧化硅为掩膜层，干法刻蚀非感光性聚酰亚胺以形成图形，再用干法回刻的方法去除二氧化硅，最后经固化后获得非感光性聚酰亚胺钝化层。本发明解决了传统非感光性聚酰亚胺工艺中金属铝被显影腐蚀、非感光性聚酰亚胺的形貌差以及光刻胶残留等问题。

公开(公告)号：CN103003918B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201180035598.2

申请日：2011-07-15

申请人： 株式会社东芝

发明人： 服部繁树 ,  浅川钢儿 ,  中村裕子 ,  北川良太 ,  清野由里子 ,  菅野正洋 ,  比嘉百夏

IPC分类号： H01L21/027 ,  B82B3/00 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42 ,  H01L21/312

CPC分类号： H01L21/3081 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0337

摘要： 本发明提供一种图案形成方法，其能短时间内形成高取向的图案以及在聚合物合金上的相分离结构；还提供聚合物合金基材。提供图案形成方法，该方法包括：将自组装单层和聚合物膜层压在基质上；用能量射线照射所得层压材料以将聚合物膜与自组装单层化学键合，从而在自组装单层膜上形成聚合物表面层；和在聚合物表面层上形成具有在其上形成的相分离结构图案的聚合物合金。

公开(公告)号：CN103068914B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201180040087.X

申请日：2011-10-17

申请人： 昭和电工株式会社

发明人： 大贺一彦 ,  东律子

IPC分类号： C08L53/00 ,  C09D5/00 ,  C09D7/12 ,  C09D109/06 ,  H05K3/28 ,  H01L21/312

CPC分类号： H01B7/28 ,  C09D7/20 ,  C09D7/65 ,  C09D153/02 ,  H05K3/285 ,  H05K2201/0129 ,  H05K2201/0133 ,  C08L57/02 ,  C08K5/01

摘要： 本发明提供了一种防湿绝缘材料、和用该防湿绝缘材料绝缘处理而成的电子部件，所述防湿绝缘材料，其固体成分浓度在能够通过点胶机容易涂布的粘度范围内，能够确保在涂布·干燥后表现出充分的防湿性能，且与玻璃基材、聚酰亚胺的紧密附着性和长期绝缘可靠性优异。是含有苯乙烯系热塑性弹性体、增粘剂、和溶剂的防湿绝缘材料，其特征在于，所述溶剂含有具有80℃以上且低于110℃的沸点的脂肪族烃系溶剂(例如，甲基环己烷、环己烷)。所述溶剂优选还含有具有110℃以上且低于140℃的沸点的脂肪族烃系溶剂(例如，乙基环己烷、二甲基环己烷)。

公开(公告)号：CN104488070A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201380037755.2

申请日：2013-07-19

申请人： 日立化成株式会社

发明人： 早坂刚 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  田中彻 ,  织田明博 ,  足立修一郎 ,  服部孝司 ,  松村三江子 ,  渡边敬司 ,  森下真年 ,  滨村浩孝

IPC分类号： H01L21/316 ,  C09K3/00 ,  H01L21/312 ,  H01L31/04

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/02167 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种带钝化层的半导体基板的制造方法，其具有：在半导体基板上赋予包含下述通式(I)所表示的化合物的钝化层形成用组合物而形成组合物层的工序、和将上述组合物层在300℃～1000℃下进行热处理而形成钝化层的工序。M(OR1)m(I)[式中，M包含选自由Nb、Ta、V、Y及Hf组成的组中的至少1种金属元素，R1分别独立地表示碳原子数为1～8的烷基或碳原子数为6～14的芳基，m表示1～5的整数]。

公开(公告)号：CN104395328A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201380032731.8

申请日：2013-06-19

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 菅野裕太 ,  高濑显司 ,  中岛诚 ,  武田谕 ,  若山浩之

IPC分类号： C07F7/18 ,  C08G77/28 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  H01L21/312

CPC分类号： G03F7/0752 ,  C07F7/1804 ,  C08G77/26 ,  C08G77/80 ,  C09D183/08 ,  G03F7/0755 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/30 ,  G03F7/322 ,  G03F7/325 ,  G03F7/36 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31133 ,  C08K5/09

摘要： 本发明提供光刻用抗蚀剂下层膜形成组合物。解决手段是采用下述式(1-a)或式(1-b)表示的硅烷化合物。该光刻用抗蚀剂下层膜形成组合物包含作为硅烷的水解性有机硅烷、其水解物及其水解缩合物中的至少1种，且该硅烷包含式(1-a)或式(1-b)表示的硅烷化合物。还提供半导体装置的制造方法，其包含通过将抗蚀剂下层膜形成组合物涂布在半导体基板上并进行烧成而形成抗蚀剂下层膜的工序、在上述下层膜上涂布抗蚀剂用组合物而形成抗蚀剂膜的工序、对上述抗蚀剂膜进行曝光的工序、曝光后对抗蚀剂膜进行显影而得到图案化的抗蚀剂膜的工序、按照图案化的抗蚀剂膜对抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序、以及按照图案化抗蚀剂膜及抗蚀剂下层膜加工半导体基板的工序。

公开(公告)号：CN104347514A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310325281.3

申请日：2013-07-30

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 王新鹏 ,  王琪 ,  潘晶 ,  李天慧

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L21/312

CPC分类号： H01L27/11517 ,  H01L29/40114

摘要： 本发明公开了一种嵌入式闪存的制作方法，包括，提供半导体衬底，所述半导体衬底具有闪存单元区域和逻辑电路区域；在所述半导体衬底上沉积栅极材料层；在所述栅极材料层上形成底部抗反射层和第一光刻胶层；去除位于所述逻辑电路区域的所述第一光刻胶层；处理位于所述闪存单元区域中的所述第一光刻胶层和位于所述逻辑电路区域中的所述底部抗反射涂层，以在所述第一光刻胶层和所述底部抗反射层的表面形成阻挡层；在所述阻挡层上形成第二光刻胶层。根据本发明提出的制作嵌入式闪存的方法，以避免在形成逻辑栅极环路的工艺过程中对闪存单元区域中的控制栅极的损伤，提高嵌入式闪存的整体的性能和嵌入式闪存的良品率。

公开(公告)号：CN102610516B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201110206446.6

申请日：2011-07-22

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 张亮 ,  姬峰 ,  胡友存 ,  陈玉文 ,  李磊

IPC分类号： H01L21/312

摘要： 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种提高光刻胶与金属/金属化合物表面之间粘附力的方法。本发明公开了一种提高光刻胶与金属/金属化合物表面之间粘附力的方法，通过在传统的工艺流程中加入氧化气氛，氧化金属/金属化合物层上表面的金属，并于其上生长一层粘接过渡层，从而改善金属/金属化合物层上表面与光刻胶的附着力，以减少光刻胶脱落的风险和工艺缺陷的产生，提高工艺稳定性和器件的良率。

公开(公告)号：CN102741988B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201080031490.1

申请日：2010-05-12

申请人： 株式会社东芝 ,  旭化成电子材料株式会社

发明人： 浅川钢儿 ,  北川良太 ,  藤本明 ,  白江良章 ,  赖末友裕 ,  池田章彦

IPC分类号： H01L21/312 ,  C08F297/00 ,  C08L25/02 ,  C08L33/06 ,  C08L53/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L33/22

CPC分类号： C08L33/06 ,  C08F220/14 ,  C08F297/02 ,  C08L25/06 ,  C08L35/06 ,  C08L53/00 ,  C08L2205/03 ,  G03F7/0002 ,  H01L2933/0091 ,  C08L2666/02 ,  C08F212/08

摘要： 本发明提供能够直至光的波长程度稳定地形成图案的图案形成用树脂组合物、使用了该组合物的海岛结构图案的形成方法及实现高发光效率特性的发光元件的制造方法。一种图案形成用树脂组合物，其是包含(a)包含含芳香环的聚合物和聚(甲基)丙烯酸酯作为嵌段部分的规定的嵌段共聚物；(b)规定的含芳香环的聚合物的均聚物；以及(c)规定的聚(甲基)丙烯酸酯的均聚物的图案形成用树脂组合物，其中，含芳香环的均聚物(b)和聚(甲基)丙烯酸酯均聚物(c)的总量相对于该树脂组合物整体的质量比为0质量％～90质量％，并且该嵌段共聚物(a)中作为嵌段部分所含的含芳香环的聚合物部分和含芳香环的均聚物(b)的总量相对于该树脂组合物整体的质量比为10质量％～60质量％。

公开(公告)号：CN104137236A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201380011819.1

申请日：2013-02-26

申请人： 住友化学株式会社

发明人： 矢作公

IPC分类号： H01L21/312 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/50 ,  H05B33/22

CPC分类号： H01L51/0529 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/055 ,  H01L51/107 ,  Y10T428/31909 ,  H05B33/10 ,  H05B33/22

摘要： 本发明的课题在于提供能够提高电子器件特性的电子器件绝缘层。用于解决课题的手段为一种电子器件绝缘层，其具有由第1绝缘层材料形成的第1绝缘层和由第2绝缘层材料形成在该第1绝缘层上的第2绝缘层，该第1绝缘层材料是含有感光性树脂组合物(A)、烷氧基钨(V)(B)和碱性化合物(C)的绝缘层材料，该第2绝缘层材料是含有高分子化合物(D)的绝缘层材料，所述高分子化合物(D)在分子内包含具有环状醚结构的重复单元和具有在酸的作用下生成酚性羟基的有机基团的重复单元。

公开(公告)号：CN104093784A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201380006618.2

申请日：2013-02-08

申请人： AZ电子材料卢森堡有限公司

发明人： 张汝志 ,  金志勋 ,  B·K·帕泰尔 ,  E·沃尔佛

IPC分类号： C08L83/04 ,  G03F7/075 ,  H01L21/02 ,  H01L21/312

CPC分类号： C08L83/04 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/0758 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02282 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24802 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明一般性地涉及硅基光致抗蚀剂组合物，其可以用于形成适合用于电子器件的低k介电常数材料，它们的使用方法和由它们制得的电子器件。