-
公开(公告)号：CN111418044A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201880077311.4
申请日：2018-11-29
申请人： 日立化成株式会社
IPC分类号： H01L21/304 , C09J4/00 , C09J7/30 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J201/00
摘要： 本发明公开一种半导体装置的制造方法，其具备：准备工序，准备依次层叠有支撑构件、吸收光而产生热的临时固定材层和半导体构件的层叠体；以及分离工序，对层叠体中的临时固定材层照射非相干光而将半导体构件从支撑构件分离。
-
公开(公告)号：CN104488069B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201380036945.2
申请日：2013-07-12
申请人： 日立化成株式会社
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/312 , H01L31/04
CPC分类号： H01L31/02167 , C23C18/1216 , H01L31/022425 , H01L31/1868 , Y02E10/547
摘要： 本发明的钝化层形成用组合物包含通式(I)所示的有机铝化合物和通式(II)所示的有机化合物。通式(I)中，R1分别独立地表示碳数1～8的烷基。n表示0～3的整数。X2及X3分别独立地表示氧原子或亚甲基。R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或碳数1～8的烷基。
-
公开(公告)号：CN104488087B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201380037776.4
申请日：2013-07-19
申请人： 日立化成株式会社
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种钝化膜，其包含氧化铝、和选自由氧化钒及氧化钽组成的组中的至少1种钒族元素的氧化物，该钝化膜用于具有硅基板的太阳能电池元件。
-
公开(公告)号：CN104508830A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380038106.4
申请日：2013-07-19
申请人： 日立化成株式会社
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种钝化层形成用组合物，其包含通式(I)：M(OR1)m所表示的化合物、和选自由脂肪酸酰胺、聚亚烷基二醇化合物及有机填料组成的组中的至少1种。M包含选自由Nb、Ta、V、Y及Hf组成的组中的至少1种金属元素。R1分别独立地表示碳原子数为1～8的烷基或碳原子数为6～14的芳基。m表示1～5的整数。
-
公开(公告)号：CN104488070A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201380037755.2
申请日：2013-07-19
申请人： 日立化成株式会社
IPC分类号： H01L21/316 , C09K3/00 , H01L21/312 , H01L31/04
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/02167 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种带钝化层的半导体基板的制造方法，其具有：在半导体基板上赋予包含下述通式(I)所表示的化合物的钝化层形成用组合物而形成组合物层的工序、和将上述组合物层在300℃～1000℃下进行热处理而形成钝化层的工序。M(OR1)m(I)[式中，M包含选自由Nb、Ta、V、Y及Hf组成的组中的至少1种金属元素，R1分别独立地表示碳原子数为1～8的烷基或碳原子数为6～14的芳基，m表示1～5的整数]。
-
公开(公告)号：CN104471715A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380036883.5
申请日：2013-07-12
申请人： 日立化成株式会社
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , Y02E10/547 , H01L31/1804
摘要： 本发明的钝化层形成用组合物包含下述通式(I)所示的有机铝化合物和选自烷醇钛、烷醇锆及烷醇硅中的至少一种烷醇盐化合物。在下述通式(I)中，R1分别独立地表示碳数1～8的烷基；n表示0～3的整数；X2及X3分别独立地表示氧原子或亚甲基；R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或碳数1～8的烷基。
-
公开(公告)号：CN104428901A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201380036463.7
申请日：2013-07-12
申请人： 日立化成株式会社
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 第一太阳能电池元件在半导体基板的受光面具有受光面电极，在背面具有背面电极及钝化层。第二太阳能电池元件在半导体基板的背面具有p型扩散区域、n型扩散区域及钝化层，在p型扩散区域上具有第一金属电极，在n型扩散区域上具有第二金属电极。第三太阳能电池元件在半导体基板的受光面具有第1杂质扩散层、第2杂质扩散层及受光面电极，在背面具有背面电极，在受光面及背面中的至少一个面具有钝化层。第一～第三太阳能电池元件中的钝化层含有氧化铝。
-
公开(公告)号：CN104428901B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201380036463.7
申请日：2013-07-12
申请人： 日立化成株式会社
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 第一太阳能电池元件在半导体基板的受光面具有受光面电极，在背面具有背面电极及钝化层。第二太阳能电池元件在半导体基板的背面具有p型扩散区域、n型扩散区域及钝化层，在p型扩散区域上具有第一金属电极，在n型扩散区域上具有第二金属电极。第三太阳能电池元件在半导体基板的受光面具有第1杂质扩散层、第2杂质扩散层及受光面电极，在背面具有背面电极，在受光面及背面中的至少一个面具有钝化层。第一～第三太阳能电池元件中的钝化层含有氧化铝。
-
公开(公告)号：CN104508831B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201380038129.5
申请日：2013-07-19
申请人： 日立化成株式会社
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L31/022433 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种太阳能电池元件，其具有：具有受光面及与上述受光面相反侧的背面的半导体基板；配置于上述受光面的一部分且扩散有杂质的第1杂质扩散区域；配置于上述受光面且杂质浓度比第1杂质扩散区域低的第2杂质扩散区域；配置于上述第1杂质扩散区域的至少一部的受光面电极；配置于上述背面上的背面电极；和配置于上述受光面及背面中的至少一方的面上且包含选自Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2O3及HfO2中的1种以上化合物的钝化层。
-
公开(公告)号：CN104508831A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380038129.5
申请日：2013-07-19
申请人： 日立化成株式会社
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L31/022433 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/1864
摘要： 本发明提供一种太阳能电池元件，其具有：具有受光面及与上述受光面相反侧的背面的半导体基板；配置于上述受光面的一部分且扩散有杂质的第1杂质扩散区域；配置于上述受光面且杂质浓度比第1杂质扩散区域低的第2杂质扩散区域；配置于上述第1杂质扩散区域的至少一部的受光面电极；配置于上述背面上的背面电极；和配置于上述受光面及背面中的至少一方的面上且包含选自Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2O3及HfO2中的1种以上化合物的钝化层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
23 条记录 (耗时 0.055 秒)
