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公开(公告)号：CN111418044A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201880077311.4
申请日：2018-11-29
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J4/00 , C09J7/30 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J201/00
Abstract: 本发明公开一种半导体装置的制造方法，其具备：准备工序，准备依次层叠有支撑构件、吸收光而产生热的临时固定材层和半导体构件的层叠体；以及分离工序，对层叠体中的临时固定材层照射非相干光而将半导体构件从支撑构件分离。
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