公开(公告)号：CN115074126B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202210406231.7

申请日：2022-04-18

申请人： 华南理工大学

发明人： 董国平 ,  李明佳 ,  杨丹丹 ,  黄雄健 ,  章皓 ,  杨中民 ,  邱建荣

IPC分类号： C09K11/66 ,  C01G21/00 ,  C30B7/14 ,  C30B29/12 ,  C30B33/02 ,  G09F3/00 ,  G09F3/02

摘要： 本发明公开了一种控制钙钛矿晶体析出新晶相的方法及其应用。所述方法将脉冲激光聚焦在制备的CsPb2X5或Cs4PbX6晶体上，其中X为卤素，控制脉冲激光辐照区域处形成CsPbX3晶相，在紫外辐照下发光。利用脉冲激光的局部热效应特性所控制的析晶是原位的，可以应用于图案化。进一步地，对图案化后的CsPb2X5晶体进行水处理可以诱导CsPbX3在CsPb2X5晶体表面结晶，实现重复多次地读取与加密图案，进而应用于防伪。本发明的方法工艺简单，可控性强、转化迅速，图案的加工精度高、荧光稳定性强，拓宽了新型全无机钙钛矿晶体的制备方法与外场诱导手段的同时，有望应用于图案化、防伪领域。

公开(公告)号：CN116103758A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202310067381.4

申请日：2023-02-06

申请人： 上海理工大学

发明人： 韩三灿 ,  全家乐

IPC分类号： C30B29/12 ,  C30B7/02

摘要： 本发明公开了一种可控生长不同三维尺寸CsCu2I3钙钛矿单晶的合成方法，包括：将装有钙钛矿前驱体溶液的第一容器置于装有反溶剂的第二容器中，第二容器中的反溶剂蒸汽向第一容器扩散；通过控制钙钛矿前驱体溶液的浓度和反溶剂的扩散速率，影响前驱体溶液中形核和晶体生长进程，从而实现对单晶三维尺寸的可控生长。根据本发明，制备过程简单，调控工艺高效易操作。在保证单晶高质量的情况下，不仅能实现单晶的超长生长，还能实现三维尺寸的大范围可调控。

公开(公告)号：CN116096104A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202310199928.6

申请日：2023-03-02

申请人： 广州大学

发明人： 张伟 ,  邹政 ,  肖梓杰 ,  钟健斌 ,  关伯瑛 ,  刘翠红

IPC分类号： H10K30/10 ,  C30B29/12 ,  C30B29/54 ,  C30B7/14 ,  C30B33/00 ,  H10K30/20 ,  H10K71/00 ,  H10K85/50

摘要： 本发明涉及光电器件技术领域，尤其是涉及一种钙钛矿异质结及其制备方法，该钙钛矿异质结包括窄带隙钙钛矿单晶和宽带隙钙钛矿单晶，且宽带隙钙钛矿单晶负载在窄带隙钙钛矿单晶的表面；其中，窄带隙钙钛矿单晶材料的带隙为2.21eV‑2.34eV，宽带隙钙钛矿单晶材料的带隙为2.91eV‑3.29eV。本发明的钙钛矿异质结结构为宽带隙钙钛矿单晶包裹窄带隙钙钛矿单晶，因外层钙钛矿的带隙较宽，其吸光波长范围相比于内层窄带隙钙钛矿更窄，因此仅需选择合适波段的激光激发，便能避免外层钙钛矿信息的干扰而直接获取内层钙钛矿信息。同时，因外层钙钛矿可以起到保护内层钙钛矿的作用，可在一定程度上钝化内部钙钛矿的表面缺陷并隔绝工作环境中水蒸气及氧气的影响。

公开(公告)号：CN115852481A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211609352.8

申请日：2022-12-14

申请人： 东南大学

发明人： 李青 ,  刘世林 ,  雷威 ,  丁奕婧 ,  梁星辰

IPC分类号： C30B29/12 ,  C30B7/14

摘要： 本发明公开了一种生长面积和厚度可控的钙钛矿单晶厚膜的方法，该方法通过激光加热精确控制晶体形核数量为1个，然后采用局部变温加热，促使晶核进一步生长成大面积单晶厚膜。本发明的单晶厚膜生长装置能够持续提供原料，保证了单晶厚膜的持续稳定生长。该方法通过改变两层基板间隔层厚度控制单晶厚膜的厚度，最终获得了大尺寸、高质量且厚度可控的钙钛矿单晶厚膜。此外，该方法和装置还适用于多种钙钛矿材料体系。相较于原始方法，基板无需疏水化处理，降低了形核密度，解决单晶厚膜因供料不足，难以持续稳定生长的难题。该方法和装置可以得到尺寸更大、形状更加规则的钙钛矿单晶厚膜，弥补了现有技术的不足。

公开(公告)号：CN115558988B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202211515059.5

申请日：2022-11-30

申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司

发明人： 段蛟 ,  倪图强

IPC分类号： C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  C30B29/12 ,  C23C14/24 ,  C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  H01J37/32

摘要： 本发明公开了一种涂层的形成方法、半导体零部件及等离子体反应装置。该方法包含：提供一衬底，其具有一待处理面，待处理面的线粗糙度Ra≤0.3um，测量面积为285.2um×213.8um的最大面高度差Sz≤5um；提供一具有单晶/类单晶结构的靶材，其与衬底相对设置；激发靶材形成气相分子流，使气相分子流运动至待处理面，在待处理面上沉积形成耐等离子体腐蚀涂层，该耐等离子体腐蚀涂层经过X射线衍射得到的衍射峰图谱由一个主峰和若干次峰，每个次峰的强度至少低于主峰的强度1/5，主峰的半峰宽小于1°。本发明耐等离子体腐蚀涂层具有单晶/类单晶结构的同时，对衬底晶格匹配和耐温性的要求大大降低。

公开(公告)号：CN115627534A

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202211376410.7

申请日：2022-11-04

申请人： 长春理工大学

发明人： 李春 ,  石学明 ,  杨蔚岭 ,  陈汝嘉 ,  曾繁明 ,  林海 ,  刘丽娜 ,  李莎莎 ,  姜喜亮 ,  冷壮 ,  张天庆

IPC分类号： C30B29/12 ,  C30B15/00 ,  C30B33/02

摘要： 掺杂溴化铅铯的溴化钾晶体及其生长方法属于发光材料技术领域。现有CsPbBr3钙钛矿材料的环境稳定性较差。本发明之掺杂溴化铅铯的溴化钾晶体以CsPbBr3为发光中心，所述掺杂溴化铅铯的溴化钾晶体属立方晶系，分子式为KBr:CsPbBr3，CsPbBr3为掺杂，晶体基质为KBr。本发明之掺杂溴化铅铯的溴化钾晶体的生长方法其步骤包括生长料制备、晶体生长以及退火，在生长料制备步骤中，按CsBr:PbBr2＝1.2～1.8:1的摩尔比加入CsBr、PbBr2，按CsPbBr3在KBr:CsPbBr3中的摩尔浓度大于0.5at.％、小于45at.％确定KBr的加入量；在晶体生长步骤中，采用提拉法生长KBr:CsPbBr3晶体，工艺参数确定为：提拉速度0.8～1.5mm/h，旋转速度2～15rpm，生长温度721～728℃；在退火步骤中，停止提拉，在生长温度下保温25～35min，随后自然降温至650℃时保温5～6h，再自然降温至室温。

公开(公告)号：CN115566085A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210858668.4

申请日：2022-07-20

申请人： 云南师范大学

发明人： 谭秋红 ,  王前进 ,  任丽 ,  刘应开

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L33/26 ,  C30B7/06 ,  C30B25/00 ,  C30B29/12 ,  C30B29/48 ,  C30B29/62 ,  C30B29/64 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

摘要： 本发明公开了CsPbBr3基半导体材料、制备方法及其应用，涉及半导体光电探测器技术领域，包括以下步骤，将制备好的CsPbBr3前驱体溶液滴在等离子仪处理过的Si/SiO2衬底上，盖上一层光滑平整的PDMS膜，进行干燥；完成干燥后揭掉PDMS膜，利用光学显微镜观察，选择衬底上CsPbBr3MWs生长得较好衬底备用；用移液枪吸取50μL的CdSeNB分散液，将其滴在挑选出的CsPbBr3MWs衬底上，待溶液完全蒸发；利用光学显微镜观察并选出CsPbBr3MWs和CdSeNB复合在一起的样品；用蒸发系统给其蒸镀Au(80nm)电极。CsPbBr3MW/CdSeNB结构有利于提高器件的光电性能，充分发挥了全无机钙钛矿吸收系数大和量子效率高等优点以及二维材料的优异性能，并可能为未来新型高性能光电子器件提供参考和借鉴价值。

公开(公告)号：CN115404537A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202211029028.9

申请日：2022-08-26

申请人： 华中科技大学

发明人： 王鸣魁 ,  顾安杰 ,  孙强 ,  张治国

IPC分类号： C30B7/06 ,  C30B29/12

摘要： 本发明公开了一种全无机锡基钙钛矿B‑γCsSnI3单晶的制备方法其制备方法包括：在无水无氧氛围中，将CsI和SnI2充分溶解于有机溶剂中，形成钙钛矿前驱体溶液；将所述钙钛矿前驱体溶液倒入留有挥发孔的第一容器中；在惰性气体氛围中，将温度逐渐升高至预设温度后保持恒温，期间通过挥发孔控制溶剂的挥发，得到B‑γCsSnI3单晶，其中，预设温度大于等于100℃。本申请首次发现B‑γCsSnI3单晶可通过溶液法制备，其中生长温度是控制单晶生长的关键因素，通过控制保温温度不低于100℃，并配合溶剂挥发，能够实现黑色B‑γCsSnI3单晶生长。本方法操作简单、生长速度快且产率极高，相较于高温布里奇曼法制备B‑γCsSnI3单晶，可极大程度缩减生产时间同时降低成本。

公开(公告)号：CN115261979A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210919904.9

申请日：2022-08-01

申请人： 浙江锌芯钛晶科技有限公司

发明人： 樊超 ,  戴兴良 ,  何海平

IPC分类号： C30B25/00 ,  C30B29/12

摘要： 本发明公开了一种通过原位化学气相沉积来生长卤化物钙钛矿纳米晶的方法，方法包括步骤：将卤化铅粉末和卤化铯粉末研磨混合获得固相前驱体；将固相前驱体和介孔分子筛相互混合；将混合粉末放在氮气氛围中加热，使固相前驱体升华为气态并被吸附进介孔分子筛的孔道内；降低温度，使气相铅、铯和卤素原子在分子筛孔道内原位反应并形成卤化物钙钛矿纳米晶。本发明通过在分子筛孔道中原位气相生长Cs4PbBr6和CsPbBr3混合相，利用Cs4PbBr6来钝化CsPbBr3的表面缺陷，使CsPbBr3纳米晶的荧光量子产率达到90％以上，大大提高了其发光性能。同时，本发明通过调整卤化铅和卤化铯中的卤素种类，获得不同发光颜色的卤化物钙钛矿纳米晶，包括绿光CsPbBr3纳米晶、蓝光CsPbClxBr3‑x纳米晶、红光CsPbI3纳米晶。

公开(公告)号：CN115247280A

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202110459425.9

申请日：2021-04-27

申请人： 郑州大学

发明人： 史志锋 ,  闫敬敬 ,  马壮壮 ,  陈旭 ,  李新建

IPC分类号： C30B29/12 ,  C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  H01L31/032

摘要： 本发明提供了一种铜基卤化物Cs3Cu2I5微尺度单晶及其制备方法，制备方法包括以下步骤：对衬底清洗处理；按照摩尔比1.25：1配制CsI、CuI的混合粉末；将处理好的衬底和配制好的混合粉末分别放置于双温区管式炉的低温区和高温区中心处，衬底倾斜放置，且衬底的上表面面向高温区方向；通入载气，高温区采用梯度升温的方式；低温区采用匀速升温的方式；高温区和低温区保温结束后，升高低温区的温度进行高温退火处理，制得铜基卤化物Cs3Cu2I5微尺度单晶。本发明实现了不同厚度、形貌、结晶度的Cs3Cu2I5微尺度单晶的可控制备，样品形貌规则，结晶性好，稳定性较高，满足新型光电器件的应用需求。