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公开(公告)号：CN115404537B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202211029028.9
申请日：2022-08-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种全无机锡基钙钛矿B‑γCsSnI3单晶的制备方法其制备方法包括：在无水无氧氛围中，将CsI和SnI2充分溶解于有机溶剂中，形成钙钛矿前驱体溶液；将所述钙钛矿前驱体溶液倒入留有挥发孔的第一容器中；在惰性气体氛围中，将温度逐渐升高至预设温度后保持恒温，期间通过挥发孔控制溶剂的挥发，得到B‑γCsSnI3单晶，其中，预设温度大于等于100℃。本申请首次发现B‑γCsSnI3单晶可通过溶液法制备，其中生长温度是控制单晶生长的关键因素，通过控制保温温度不低于100℃，并配合溶剂挥发，能够实现黑色B‑γCsSnI3单晶生长。本方法操作简单、生长速度快且产率极高，相较于高温布里奇曼法制备B‑γCsSnI3单晶，可极大程度缩减生产时间同时降低成本。
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公开(公告)号：CN115404537A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211029028.9
申请日：2022-08-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种全无机锡基钙钛矿B‑γCsSnI3单晶的制备方法其制备方法包括：在无水无氧氛围中，将CsI和SnI2充分溶解于有机溶剂中，形成钙钛矿前驱体溶液；将所述钙钛矿前驱体溶液倒入留有挥发孔的第一容器中；在惰性气体氛围中，将温度逐渐升高至预设温度后保持恒温，期间通过挥发孔控制溶剂的挥发，得到B‑γCsSnI3单晶，其中，预设温度大于等于100℃。本申请首次发现B‑γCsSnI3单晶可通过溶液法制备，其中生长温度是控制单晶生长的关键因素，通过控制保温温度不低于100℃，并配合溶剂挥发，能够实现黑色B‑γCsSnI3单晶生长。本方法操作简单、生长速度快且产率极高，相较于高温布里奇曼法制备B‑γCsSnI3单晶，可极大程度缩减生产时间同时降低成本。
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公开(公告)号：CN115360305A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211018817.2
申请日：2022-08-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿薄膜、制备方法及其应用。所述制备方法包括如下步骤：(1)将锡源和卤化物有机溶剂中，搅拌后得到含锡钙钛矿前驱体溶液；(2)向所述含锡钙钛矿前驱体溶液中加入金属置换粉末，发生电偶置换反应，将所述含锡钙钛矿前驱体溶液中4价锡还原为2价锡，过滤后得到置换溶液；(3)将置换溶液采用一步旋涂法得到锡基钙钛矿薄膜。本发明可以有效抑制薄膜中锡元素氧化，减少缺陷密度和非辐射复合中心，提高薄膜的稳定性，从而提高了锡基钙钛矿太阳电池器件光电转换效率，增强了锡基钙钛矿太阳电池器件稳定性。
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