公开(公告)号：CN115627534A

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202211376410.7

申请日：2022-11-04

申请人： 长春理工大学

发明人： 李春 ,  石学明 ,  杨蔚岭 ,  陈汝嘉 ,  曾繁明 ,  林海 ,  刘丽娜 ,  李莎莎 ,  姜喜亮 ,  冷壮 ,  张天庆

IPC分类号： C30B29/12 ,  C30B15/00 ,  C30B33/02

摘要： 掺杂溴化铅铯的溴化钾晶体及其生长方法属于发光材料技术领域。现有CsPbBr3钙钛矿材料的环境稳定性较差。本发明之掺杂溴化铅铯的溴化钾晶体以CsPbBr3为发光中心，所述掺杂溴化铅铯的溴化钾晶体属立方晶系，分子式为KBr:CsPbBr3，CsPbBr3为掺杂，晶体基质为KBr。本发明之掺杂溴化铅铯的溴化钾晶体的生长方法其步骤包括生长料制备、晶体生长以及退火，在生长料制备步骤中，按CsBr:PbBr2＝1.2～1.8:1的摩尔比加入CsBr、PbBr2，按CsPbBr3在KBr:CsPbBr3中的摩尔浓度大于0.5at.％、小于45at.％确定KBr的加入量；在晶体生长步骤中，采用提拉法生长KBr:CsPbBr3晶体，工艺参数确定为：提拉速度0.8～1.5mm/h，旋转速度2～15rpm，生长温度721～728℃；在退火步骤中，停止提拉，在生长温度下保温25～35min，随后自然降温至650℃时保温5～6h，再自然降温至室温。