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公开(公告)号：CN104752536B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201410143530.1
申请日：2014-04-10
申请人： 新日光能源科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/077 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/02363 , H01L31/03682 , H01L31/03762 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , H01L31/1884 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 一种太阳能电池及其制造方法，包含一晶体硅半导体基板、一本质非晶硅半导体层、一非晶硅半导体层以及一透明导电层。所述晶体硅半导体基板具有一第一型掺杂，且所述晶体硅半导体基板上设有至少一沟槽，形成一封闭图形，封闭图形内定义为一第一电极区域，封闭图形外定义为一第二电极区域。其中本质非晶硅半导体层、非晶硅半导体层与透明导电层依序形成于晶体硅半导体基板上以及沟槽内，所述本质非晶硅半导体层、非晶硅半导体层与透明导电层于沟槽处会形成不连续的结构，并于第一与第二电极区域之间产生绝缘效果。
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公开(公告)号：CN103843150B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201180073906.0
申请日：2011-12-27
申请人： 松下知识产权经营株式会社
CPC分类号： H01L31/02366 , H01L31/03682 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , H01L31/18 , Y02E10/546 , Y02E10/547
摘要： 本发明提供一种具有改善的光电转换效率的太阳能电池。太阳能电池（1）包括：光电转换部（20）、和第一和第二电极（14、15）。光电转换部（20）具有由半导体材料构成的基板（10）。第一和第二电极（14、15）在光电转换部（20）的一主面（20a）上相互隔开间隔配置。在位于光电转换部（20）的一主面（20a）侧的基板（10）的主面（10b），设置由晶面构成的多个台面（10c）。多个台面（10c）中的至少一个容纳于第一电极（14）与第二电极（15）之间。
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公开(公告)号：CN103608933B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201280029337.4
申请日：2012-03-21
申请人： 松下知识产权经营株式会社
IPC分类号： H01L31/0747
CPC分类号： H01L31/03762 , H01L31/022425 , H01L31/03682 , H01L31/0747 , H01L31/075 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02E10/548
摘要： 本发明提供一种光伏装置，其具备：半导体基板（10）、形成在半导体基板（10）的表面或背面的i型非晶质层（12i）或i型非晶质层（16i）、和形成在i型非晶质层（12i）或i型非晶质层（16i）上的p型非晶质层（12p）或n型非晶质层（16n），i型非晶质层（12i）或i型非晶质层（16i）中，具有从与半导体基板（10）的界面附近沿着膜厚方向浓度呈台阶状地减少的氧浓度分布。
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公开(公告)号：CN105409009A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201480041741.2
申请日：2014-07-24
申请人： 纳美仕有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , C03C3/14 , C03C8/16 , C03C8/18 , H01B1/16 , H01B1/22 , H01L21/288
CPC分类号： H01L31/03682 , C03C3/07 , C03C3/14 , C03C8/04 , C03C8/16 , C03C8/18 , H01B1/16 , H01B1/22 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/182 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明的目的在于得到一种导电性糊剂，其在对结晶系硅基板的表面形成电极时，能够形成良好的电接触的电极。本发明的导电性糊剂包含导电性粉末、复合氧化物、和有机媒质，复合氧化物包含氧化钼、氧化硼和氧化铋。
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公开(公告)号：CN105229799A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201480028263.1
申请日：2014-05-13
申请人： 赛腾高新技术公司
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/18 , H01L31/0288 , H01L31/0352 , H01L31/036 , H01L31/20
CPC分类号： H01L31/065 , H01L31/0288 , H01L31/0352 , H01L31/035236 , H01L31/036 , H01L31/03682 , H01L31/03762 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及在硅材料内部纳米结构形成的基本纳米级单元以及实现它们的制造方法。通过将两个Si原子有限位移至晶体基本单元外部来产生每个基本纳米级单元。通过在其中集中特定物理效应，晶体物质的局部纳米级转变得到不寻常的功能，因为它是非常有用的额外电子能级组(针对太阳光谱转换成电进行优化)。调整的能量组允许在半导体，优选硅、尤其用于非常高效的全硅光电转换器的材料中低能量二次电子产生。用于在半导体材料中产生这种转变的制造方法是基于局部能量沉积，如离子注入或电子(γ,X)束照射以及适当的热处理并且在工业上容易获得。
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公开(公告)号：CN103443930B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201280014208.8
申请日：2012-03-22
申请人： 韩国标准科学研究院
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/34 , H01L31/0368
CPC分类号： H01L31/035263 , H01L31/022425 , H01L31/035218 , H01L31/03682 , H01L31/182 , H01L33/0054 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/34 , Y02E10/546
摘要： 本发明提供了一种用于太阳能电池或发光二极管的光活性层及其制造方法。光活性层通过交替堆叠硅量子点层和导电层形成，在所述硅量子点层中，在硅化合物的介质中形成包含导电型杂质的多个硅量子点，所述导电层是包含与硅量子点的导电型杂质相同导电型杂质的多晶硅层。
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公开(公告)号：CN102668115B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201080048224.X
申请日：2010-09-21
申请人： 纳克公司
发明人： 刘国钧 , 克利福德·M·莫里斯 , 伊戈尔·奥尔特曼 , 乌马·斯里尼瓦桑 , 希夫库马尔·基鲁沃卢
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/20 , H01L21/02 , H01L31/0368 , H01L31/0376 , H01L31/068 , H01L31/075 , H01L31/076
CPC分类号： H01L31/068 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L31/03682 , H01L31/03762 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/182 , H01L31/202 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供了一种高品质硅墨水，用于形成具有p-n结的薄膜太阳能电池内的多晶层。可烧结随墨水沉积的粒子以形成硅膜，该硅膜可为本征膜或掺杂膜。硅墨水可具有不超过约250nm的z平均二次粒径，该粒径通过对墨水样品进行动态光散射来测定，如墨水最初具有较大浓度可稀释到0.4重量百分比。在一些实施例中，本征层可为非晶硅部分与晶体硅部分的复合物。
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公开(公告)号：CN104752536A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410143530.1
申请日：2014-04-10
申请人： 新日光能源科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/077 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/02363 , H01L31/03682 , H01L31/03762 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , H01L31/1884 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 一种太阳能电池及其制造方法，包含一晶体硅半导体基板、一本质非晶硅半导体层、一非晶硅半导体层以及一透明导电层。所述晶体硅半导体基板具有一第一型掺杂，且所述晶体硅半导体基板上设有至少一沟槽，形成一封闭图形，封闭图形内定义为一第一电极区域，封闭图形外定义为一第二电极区域。其中本质非晶硅半导体层、非晶硅半导体层与透明导电层依序形成于晶体硅半导体基板上以及沟槽内，所述本质非晶硅半导体层、非晶硅半导体层与透明导电层于沟槽处会形成不连续的结构，并于第一与第二电极区域之间产生绝缘效果。
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公开(公告)号：CN104362220A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410641467.4
申请日：2014-11-13
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0445 , H01L31/03682 , H01L31/03762 , H01L31/03921 , H01L31/077 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/208 , Y02E10/546 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/042
摘要： 本发明提供一种薄膜太阳能电池的制作方法及薄膜太阳能电池，所述方法包括：在衬底上形成第一电极；在所述第一电极上形成N型掺杂层和本征半导体薄膜；对所述本征半导体薄膜进行离子注入，并使用准分子激光退火(ELA)工艺对离子注入后的本征半导体薄膜进行活化工艺，从而在本征半导体薄膜的上层形成P型掺杂层；在所述P型掺杂层上形成第二电极。由于ELA工艺可以准确地控制工艺范围，仅对工艺范围内的用于形成P型掺杂层的半导体薄膜进行快速加热，其温度梯度较大，不会对薄膜太阳能电池的衬底造成损害，从而可避免薄膜晶体管的衬底由于高温而产生变形扭曲的问题，提高了薄膜太阳能电池的生产良率。
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公开(公告)号：CN104081544A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201380006710.9
申请日：2013-01-09
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/056 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/0288 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/028 , H01L31/03682 , H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/056 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/077 , Y02E10/52 , Y02E10/548
摘要： 本发明的实施方式大体提供硅基光电(photovoltaic；PV)装置，所述硅基光电装置包括高功函数(high work-function；HWF)缓冲层，所述HWF缓冲层设置在透明导电氧化物(transparent conductive oxide；TCO)层与p-i-n结的p型硅基层之间。所述PV装置通常具有透明基板、设置在所述透明基板上的第一TCO层、设置在所述第一TCO层上的HWF缓冲层、设置在所述高功函数缓冲层上的p-i-n结、设置在n型硅基层上的第二TCO层和设置在所述第二TCO层上的金属反射层。所述p-i-n结包括设置在p型硅基层与n型硅基层之间的本征层，并且所述p型硅基层与所述HWF缓冲层接触。
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