发明授权
- 专利标题： 用于薄膜太阳能电池形成的硅墨水、对应方法和太阳能电池结构
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申请号： CN201080048224.X申请日： 2010-09-21
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公开(公告)号： CN102668115B公开(公告)日： 2015-11-25
- 发明人: 刘国钧 , 克利福德·M·莫里斯 , 伊戈尔·奥尔特曼 , 乌马·斯里尼瓦桑 , 希夫库马尔·基鲁沃卢
- 申请人： 纳克公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 纳克公司
- 当前专利权人： 纳克公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理商 沈锦华
- 优先权： 61/244,340 2009.09.21 US; 61/359,662 2010.06.29 US
- 国际申请： PCT/US2010/049661 2010.09.21
- 国际公布： WO2011/035306 EN 2011.03.24
- 进入国家日期： 2012-04-25
- 主分类号： H01L31/18
- IPC分类号： H01L31/18 ; H01L31/20 ; H01L21/02 ; H01L31/0368 ; H01L31/0376 ; H01L31/068 ; H01L31/075 ; H01L31/076
摘要：
本发明提供了一种高品质硅墨水，用于形成具有p-n结的薄膜太阳能电池内的多晶层。可烧结随墨水沉积的粒子以形成硅膜，该硅膜可为本征膜或掺杂膜。硅墨水可具有不超过约250nm的z平均二次粒径，该粒径通过对墨水样品进行动态光散射来测定，如墨水最初具有较大浓度可稀释到0.4重量百分比。在一些实施例中，本征层可为非晶硅部分与晶体硅部分的复合物。
公开/授权文献
- CN102668115A 用于薄膜太阳能电池形成的硅墨水、对应方法和太阳能电池结构 公开/授权日：2012-09-12
IPC分类:
