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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104348084A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410379682.1
申请日：2014-08-04
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01S5/3013 , H01S5/0215 , H01S5/0216 , H01S5/0217 , H01S5/183 , H01S5/18311 , H01S5/18341 , H01S5/18361 , H01S5/18369 , H01S5/18388 , H01S5/18391 , H01S5/34333 , H01S2304/12
Abstract: 公开了一种发光元件及其制造方法。该制造方法顺序地包括(a)形成具有凸部形状的第一光反射层；(b)通过层叠第一化合物半导体层、活性层和第二化合物半导体层而形成层叠结构体；(c)在第二化合物半导体层的第二表面上形成第二电极和由多层膜形成的第二光反射层；(d)将第二光反射层固定至支撑基板；(e)去除用于制造发光元件的基板，并暴露出第一化合物半导体层的第一表面和第一光反射层；(f)蚀刻第一化合物半导体层的第一表面；以及(g)至少在第一化合物半导体层的已蚀刻的第一表面上形成第一电极。
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公开(公告)号：CN103918143A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280054166.0
申请日：2012-11-09
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01S5/141 , B82Y20/00 , H01S3/08004 , H01S3/08009 , H01S3/105 , H01S3/106 , H01S3/1062 , H01S5/0014 , H01S5/0265 , H01S5/0657 , H01S5/101 , H01S5/143 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3216 , H01S5/34333
Abstract: 提供了一种半导体激光设备。该半导体激光设备包括锁模半导体激光装置和外部谐振器，该外部谐振器包括色散补偿系统，其中，该半导体激光设备被配置为生成自调制，将负群速度色散引入外部谐振器中，并用于在外部谐振器之后提供光谱过滤。
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公开(公告)号：CN103828147A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201280045924.2
申请日：2012-09-04
Applicant: 索尼公司
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/141 , H01S5/2009 , H01S5/2031 , H01S5/209 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/309 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S5/50 , H01S2301/166 , H01S2301/176
Abstract: 本公开提供了一种能够发出单模光束的高输出发光器件。所述发光器件设置有层压结构（20）、第二电极（32）和第一电极（31），所述层压结构本体通过在基板（20'）上按顺序层压第一化合物半导体层（21）、活性层（23）和第二化合物半导体层（22）构成。第一化合物半导体层（21）具有从所述基板侧开始的第一包覆层（121A）和第一光导层（121B）的层压构造，以及所述层压结构具有由第二化合物半导体层（22）、活性层（23）以及所述第一光导层在厚度方向上的部分（121B'）构成的脊条状结构（20A）。满足6×10-7m
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公开(公告)号：CN102890944A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210241802.2
申请日：2012-07-12
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: G11B7/126 , B82Y20/00 , G11B7/127 , G11B7/1275 , G11B7/128 , G11B2007/00457 , H01S5/0261 , H01S5/0602 , H01S5/06253 , H01S5/06255 , H01S5/0658 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供了一种光学振荡装置和记录设备，该记录设备包括：自激振荡半导体激光器，具有双量子阱分离限制异质结构，并包括被施加负偏压的饱和吸收体部和被注入增益电流的增益部；光学分离单元、物镜、光接收元件、脉冲检测单元、基准信号生成单元、相位比较单元、记录信号生成单元以及控制单元。
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公开(公告)号：CN101847826A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010138524.9
申请日：2010-03-19
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01S5/0625 , H01S5/042
CPC classification number: H01S5/0625 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/0602 , H01S5/0658 , H01S5/14 , H01S5/22 , H01S5/3216 , H01S5/34333
Abstract: 本发明涉及二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法。该半导体激光元件可以准确、可靠并容易地形成通过分离槽被分离的第二电极和脊结构。二分型半导体激光元件的制造方法包括以下各工序：(A)在形成第一化合物半导体层(30)、构成发光区域(41)和可饱和吸收区域(42)的化合物半导体层(40)、以及第二化合物半导体层(50)之后，(B)在第二化合物半导体层(50)上形成带状的第二电极(62)，(C)接下来，将第二电极(62)作为蚀刻用掩膜，至少对第二化合物半导体层(50)的一部分进行蚀刻，形成脊结构，(D)然后，以湿蚀刻法在第二电极(62)上形成分离槽(62C)，并且通过分离槽将第二电极分离成第一部分(62A)和第二部分(62B)。
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