公开(公告)号：CN106011779A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610459139.1

申请日：2016-06-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 陈远富 ,  周金浩 ,  刘竞博 ,  戚飞 ,  郑斌杰 ,  贺加瑞 ,  王新强 ,  李谦 ,  李萍剑 ,  张万里

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/448 ,  C23C16/01 ,  C23C16/02

Abstract: 本发明公开了一种制备硫掺杂石墨烯薄膜方法，涉及新型二维纳米材料制备领域。本发明包括以下步骤：将金属衬底和噻蒽分别置于化学气相沉积系统反应腔室相互隔热的加热区；在真空条件下，向反应腔内通入混合气体；将金属衬底高温退火处理后保温于石墨烯薄膜的制备温度，然后加热噻蒽使其气化，并通过混合气体将噻蒽气体输送至金属衬底发生反应，最终在金属衬底上制备出硫掺杂石墨烯薄膜。本发明制备工艺简单、成本较低，可实现大规模工业生产，原料绿色环保无污染；本发明制得硫掺杂石墨烯薄膜层数、掺杂含量、面积可通过控制相关参数灵活调节，从而制备出具有不同性质的硫掺杂石墨烯薄膜，在基础科研领域和传感器等实际应用方面具有重要的价值。

公开(公告)号：CN103474502B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201310384478.4

申请日：2013-08-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 吴传贵 ,  陈晓勇 ,  帅垚 ,  罗文博 ,  彭强祥 ,  张万里

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种补偿型热释电红外单元探测器，属于红外探测器技术领域。它包括外壳（1）、设置在外壳首端的窗口，所述窗口上设置有红外滤光片（2）、底座（3）、引脚（4）、双面电路板（5）、场效应管（6）、热释电红外敏感元（7）、热释电补偿敏感元（8）、电阻（9）；双面电路板（5）中心设置有通孔，场效应管（6）内嵌在所述通孔中，其底部与双面电路板（5）下表面齐平，其中场效应管（6）的厚度小于双面电路板（5）的厚度；所述通孔的正上方设置有热释电红外敏感元（7）和热释电补偿敏感元（8）。该补偿型热释电红外单元探测器具有性能优越、制作简单、生产成本低、生产效率高和应用范围广的优点。

公开(公告)号：CN103396282B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201310330468.2

申请日：2013-07-31

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 蒋洪川 ,  蔡贤耀 ,  张万里 ,  张宇新 ,  邓新武

IPC: C06C9/00

Abstract: 该发明属于火工品生产领域中的一种采用多层含能膜的桥式点火器。包括陶瓷基片，B/Ti、CuO/Al或Ni/Al多层含能膜，设于基片中部与多层含能膜之间的TaN点火膜桥，设于TaN点火膜桥的两侧上表面的电极。该发明由于在基片与多层含能膜之间设了一层专用于使含能膜着火反应的TaN点火膜桥，首先利用TaN点火膜桥在3.0A左右点火电流的作用下点燃多层含能膜，使多层含能膜反应放出大量的热能以点燃火药、燃料或引爆炸药。因而具有器件小型化，采用小电流的电能与大面积多层含能膜配合、利用电能和化学能有效提高了点火所需的热能、点火的安全性和可靠性，器件的一致性和性能稳定好，有利于批量生产，生产效率高、成本低，运输、储存方便等特点。

公开(公告)号：CN105236762A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510591370.1

申请日：2015-09-17

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 陈远富 ,  郑斌杰 ,  李萍剑 ,  戚飞 ,  刘竞博 ,  贺加瑞 ,  张万里

IPC: C03C17/22 ,  C04B41/50

Abstract: 本发明公开了一种垂直排列的二硫化铪纳米片的化学气相沉积制备方法，包括如下步骤：(1)清洗衬底；(2)将衬底、硫粉和四氯化铪粉放入真空管式炉中；(3)将真空管式炉抽至高真空，通入氩气和氢气；(4)将管式炉依次升温、保温、降温；(5)取出衬底，衬底上即为垂直排列的二硫化铪纳米片；本发明制备的垂直排列的二硫化铪纳米片均匀性好、质量高、面积大，为二硫化铪纳米材料的基础研究以及相关二维纳米光电子器件的潜在应用的研究提供了样品制备的可靠手段，垂直排列的纳米结构比表面积大，表面活性高，在作为催化剂方面有很广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN105206744A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510506263.4

申请日：2015-08-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 朱俊 ,  房丽彬 ,  吴智鹏 ,  刘兴鹏 ,  罗文博 ,  张万里 ,  李言荣

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供了一种双层薄膜结构的柔性阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储器领域。所述柔性阻变存储器从下往上依次为柔性衬底、底电极、ZnO薄膜层、Al2O3薄膜层和顶电极，所述ZnO薄膜层和Al2O3薄膜层共同组成了阻变存储器的阻变存储介质层。本发明阻变存储器具有优异的阻变效应：稳定的高低阻态分布，较高的开关比，较长的保存时间，实现了器件在经过一定次数的弯曲后仍保持良好的阻变特性；且本发明柔性阻变存储器在柔性存储和电路领域具有潜在的应用。

公开(公告)号：CN105047618A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510442923.7

申请日：2015-07-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 罗文博 ,  张平 ,  孟佳 ,  吴传贵 ,  张万里

IPC: H01L23/14 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明属于电子材料与元器件技术领域，尤其涉及一种有机复合材料厚膜器件基板。该基板包括：基板结构加强层、平坦层、互连层电路、互连通孔、连接外部引脚的焊盘、极化电极端、切割槽和集成其他器件用的焊盘。基板结构加强层采用玻纤、半玻纤或聚四氟乙烯制作；平坦层采用聚酰亚胺PI，其厚度为1μm-100μm；互连层电路是1μm-50μm厚度的铜箔，通过热压法制备于两PI平坦层表面，并通过湿法腐蚀铜箔形成电路连接图案、集成其他器件用的焊盘、连接外部引脚的焊盘和极化电极端。本发明提供的基板能够实现厚膜器件与基板材料的集成制备的同时，具有成本低、工艺简单、满足批量生产的要求。

公开(公告)号：CN104980117A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510328918.3

申请日：2015-06-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 彭斌 ,  姜建英 ,  张万里 ,  张文旭 ,  王睿 ,  邓言文

IPC: H03H3/08 ,  H03H9/145

Abstract: 本发明涉及声表面波器件制造领域，具体涉及一种耐高温的柔性声表面波器件的结构及其制造方法。其结构从下至上依次为：底层保护层、柔性合金衬底、缓冲层、压电薄膜、叉指电极和顶层保护层。柔性合金衬底采用高温柔性合金带材；缓冲层和底层保护层为非晶氧化物薄膜；压电薄膜为氮化铝薄膜；叉指电极材料为金；顶层保护层为氮化铝薄膜。先将柔性合金衬底的预处理，再采用化学溶液浸渍提拉法制备非晶氧化物薄膜，然后制备压电薄膜和叉指电极，最后制备顶层保护层。本发明具有器件结构耐高温，并且拥有良好的柔性特性、质量轻、可工作于复杂的曲面环境和成本低廉的优点。

公开(公告)号：CN104862659A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510263433.0

申请日：2015-05-22

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 彭斌 ,  姜建英 ,  张万里 ,  张文旭 ,  王睿 ,  邓言文

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明涉及压电薄膜制造领域,尤其涉及一种氮化铝薄膜的中频磁控反应溅射方法。本发明的沉积薄膜过程：首先向真空腔体内同时通入高纯氩气和高纯氮气，并使其中氮气的含量保持在20％～30％，待辉光稳定后开始溅射沉积氮化铝薄膜；然后以0.5sccm/min～4sccm/min的匀速在10～20分钟调节溅射腔体内氩气与氮气的比例，使氮气含量从先前20％～30％的含量增加到50％；最后不调整溅射功率，并在此气氛下溅射沉积氮化铝10分钟后关闭仪器，结束薄膜生长。本发明可以在制备出同时满足C轴择优取向生长，表面晶粒生长正常，晶粒尺寸均匀，表面平整，适合制作声表面波器件的高质量氮化铝压电薄膜。

公开(公告)号：CN103117317B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201310037225.X

申请日：2013-01-31

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 陈远富 ,  郝昕 ,  王泽高 ,  李萍剑 ,  刘竞博 ,  张万里 ,  李言荣

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/08 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种硅面SiC衬底上的石墨烯光电器件及其制备方法，属于光电器件技术领域。包括Si面碳化硅衬底（1）、R30°界面碳缓冲层（2）、石墨烯层（3）；其中R30°界面碳缓冲层（2）位于Si面碳化硅衬底（1）和石墨烯层（3）之间；所述石墨烯层（3）上表面具有金属叉指对电极（4）。制备工程包括硅面SiC衬底表面处理和SiC热裂解生长R30°界面碳缓冲层（2）和石墨烯层（3）主要步骤。本发明提供的硅面SiC衬底上的石墨烯光电器件具有石墨烯/R30°界面碳缓冲层/Si面碳化硅衬底的结构，制备工艺简单、无需掺杂工艺，制备过程中能够避免光刻胶对石墨烯的污染，制备出的石墨烯光电器件光照下的电阻变化率比传统结构高2～3个数量级。

公开(公告)号：CN102709322B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201210172341.8

申请日：2012-05-30

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 刘兴钊 ,  陈超 ,  李言荣 ,  张万里

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 高阈值电压氮化镓增强型晶体管结构及制备方法，涉及半导体技术。本发明自下至上包括基板、GaN和AlGaN层和绝缘栅介质层，其特征在于，所述绝缘栅介质层包括绝缘隧道层、固定电荷层和绝缘帽层，固定电荷层设置于绝缘隧道层上方或嵌于绝缘隧道层上部，固定电荷层的上方设置有绝缘帽层，绝缘帽层上方为栅金属。本发明的有益效果是，与其它制造增强型GaN场效应晶体管的技术相比，本技术的制备工艺可控性好，所研制的器件性能重复性好。所研制的增强型GaN MISHEMT器件性能良好，阈值电压大，最大源漏饱和电流密度大，栅漏电小，器件工作电压范围宽，完全可满足GaN集成电路研制需要。