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公开(公告)号：CN102326264A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201080008816.9
申请日：2010-02-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/0236 , H01L27/1462 , H01L27/1464 , H01L31/02327 , H01L31/035281 , H01L31/103 , Y02E10/50
Abstract: 一种半导体光检测元件(SP)，包括：硅基板(21)，其由第1导电类型的半导体构成，具有彼此相对的第1主面(21a)及第2主面(21b)，并且在第1主面(21a)侧形成有第2导电类型的半导体层(23)；以及电荷传输电极(25)，其设置于第1主面(21a)上，且传输所产生的电荷。在硅基板(21)上，在第2主面(21b)侧形成有具有比硅基板(21)更高的杂质浓度的第1导电类型的累积层(31)，并且在第2主面(21b)上的至少与半导体区域(23)相对的区域形成有不规则的凹凸(10)。硅基板(21)的第2主面(21b)的形成有不规则的凹凸(10)的区域光学性地露出。
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公开(公告)号：CN102282480A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201080004505.5
申请日：2010-03-18
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G01T1/244 , H01L27/14618 , H01L27/14623 , H01L27/14658 , H01L31/02164 , H01L31/115 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 由在一个面(11)侧设置有排列有检测入射的X射线的多个检测像素的X射线检测部且另一个面(12)成为X射线入射面的背面入射型的固体摄像元件(10)以及设置于摄像元件(10)的入射面(12)上且用于波长比成为检测对象的X射线长的光的遮蔽的遮蔽层(20)构成X射线摄像装置(1)。遮蔽层(20)具有直接设置于入射面(12)上的第1铝层(21)、设置于第1铝层(21)上的第2铝层(22)、以及设置于第1、第2铝层(21、22)之间且用于紫外光的遮蔽的紫外光遮蔽层(25)。由此，实现了可以抑制X射线检测中的噪声光的检测的影响的X射线摄像装置。
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公开(公告)号：CN101960599A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201080001169.9
申请日：2010-01-27
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/148 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14887 , H01L27/14609 , H01L27/1464 , H01L27/14812 , H01L27/1485 , H01L29/76816
Abstract: 本发明的内建电子倍增功能型的固体摄像元件中，在倍增寄存器(EM)的垂直于电子传送方向的剖面内，绝缘层(2)两侧部的厚度大于中央区域的厚度，在N型半导体区域(1C)的中央区域与两侧部的边界上，形成有一对溢出漏极(1N)，各溢出漏极(1N)沿着倍增寄存器(EM)的电子传送方向延伸。溢出式栅极电极(G)从绝缘层(2)的较薄部分至较厚部分延伸，另外，其介于各传送电极(8(8A、8B))的长边方向的两端部与绝缘层(2)之间，且作为对各电极(8(8A、8B))的屏蔽电极也发挥功能。
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公开(公告)号：CN108140565B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN201680058496.5
申请日：2016-09-01
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/288 , C23C18/16 , C23C18/18 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/12 , H01L23/14 , H01L23/522
Abstract: 本发明的配线构造体的制造方法为设置有配线图案的配线构造体的制造方法，包含：第1步骤，至少沿着配线图案的形成预定区域而硅基板的表面形成绝缘层；第2步骤，沿着形成预定区域在绝缘层上形成硼层；及第3步骤，通过镀覆而在硼层上形成金属层。
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公开(公告)号：CN104995735B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201480008752.0
申请日：2014-02-12
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/148 , G03F7/20
CPC classification number: H04N5/369 , H01L27/14683 , H01L27/14806 , H01L27/14812 , H01L27/14831 , H01L27/14856 , H04N5/353
Abstract: 固体摄像装置(1)包括在半导体基板上以多个图案(2A、2B)在Y轴方向上被接合的方式被曝光而形成的受光部(2)。受光部(2)具有2维状地排列于Y轴方向与正交于Y轴方向的X轴方向的多个像素。在由多个像素中的、排列于X轴方向的多个像素构成的每个像素列，沿X轴方向传输电荷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104508819B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201380032343.X
申请日：2013-03-01
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L27/148
CPC classification number: H01L27/1462 , H01L27/1461 , H01L27/14629 , H01L27/14806 , H01L27/14843 , H01L31/02363 , H01L31/03529 , Y02E10/50
Abstract: 固体摄像装置(1)包括：半导体基板(20)，其具有相互相对的主面(20a)与主面(20b)，且在主面(20a)侧设置有多个光感应区域(3)；及绝缘膜(61)，其具有相互相对的主面(61a)与主面(61b)，且以主面(61a)与主面(20a)相对的方式配置于半导体基板(20)上。半导体基板(20)的主面(20a)中的与各光感应区域(3)对应的区域的、与半导体基板(20)的厚度方向平行的剖面为凹曲线与凸曲线交替地连续而成的波浪形状。绝缘膜(61)的主面(61a)中的与各光感应区域(3)对应的区域的、与绝缘膜(61)的厚度方向平行的剖面为凹曲线与凸曲线对应于主面(20a)而交替地连续而成的波浪形状。绝缘膜(61)的主面(61b)为平坦。
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公开(公告)号：CN105659385A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201480058196.8
申请日：2014-10-31
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/148 , H04N5/372
CPC classification number: H04N5/378 , H01L27/14685 , H01L27/14812 , H01L27/14825 , H01L27/14837 , H04N5/2253
Abstract: 各个像素区域(PX)具备光电转换区域(S1)、电阻性栅极电极(R)、第一传送电极(T1)、第二传送电极(T2)、位于半导体基板(10)中第一传送电极(T1)的正下方的屏障区域(B)、及位于半导体基板(10)中第二传送电极(T2)的正下方的电荷储存区域(S2)。屏障区域(B)的杂质浓度低于电荷储存区域(S2)的杂质浓度，且第一传送电极(T1)与第二传送电极(T2)电连接。
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公开(公告)号：CN103314441B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201180065078.6
申请日：2011-11-11
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/148
CPC classification number: H01L27/14806 , H01L27/14601 , H01L27/14825 , H01L27/14831 , H04N5/37213
Abstract: 本发明的固体摄像装置(1)具备：光电转换部(2)，其具有多个光感应区域(7)；及电位梯度形成部(3)，其具有与多个光感应区域(7)相对配置的导电性构件(8)。各光感应区域(7)的平面形状形成为由两条长边与两条短边所成的大致矩形形状。多个光感应区域(7)并列设置于与长边交叉的第1方向上。电位梯度形成部(3)形成沿自光感应区域(7)的一个短边侧朝向另一短边侧的第2方向而升高的电位梯度。导电性构件(8)包含：第1区域(8a)，其在第2方向上的两端部间沿第2方向延伸且具有第1电阻率；及第2区域(8b)，其在两端部间沿第2方向延伸且具有小于第1电阻率的第2电阻率。
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公开(公告)号：CN102301695B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201080006073.1
申请日：2010-01-22
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H04N5/335 , H01L27/148
CPC classification number: H04N5/378 , H01L27/148
Abstract: 本发明提供一种固体摄像装置，本发明的一实施方式的固体摄像装置(1)是电荷倍增型固体摄像装置，具备：生成对应于入射光量的电荷的摄像区域(10)、接收来自摄像区域(10)的电荷的输出寄存器部(20)、将来自输出寄存器部(20)的电荷倍增的倍增寄存器部(40)、及使被输入到倍增寄存器部(40)的电荷在与传输方向正交的宽度方向上分散的至少1个电荷分散机构(71)。
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公开(公告)号：CN104064621A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410320086.6
申请日：2010-02-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/0236 , H01L27/1462 , H01L27/1464 , H01L31/02327 , H01L31/035281 , H01L31/103 , Y02E10/50
Abstract: 一种半导体光检测元件(SP)，包括：硅基板(21)，其由第1导电类型的半导体构成，具有彼此相对的第1主面(21a)及第2主面(21b)，并且在第1主面(21a)侧形成有第2导电类型的半导体层(23)；以及电荷传输电极(25)，其设置于第1主面(21a)上，且传输所产生的电荷。在硅基板(21)上，在第2主面(21b)侧形成有具有比硅基板(21)更高的杂质浓度的第1导电类型的累积层(31)，并且在第2主面(21b)上的至少与半导体区域(23)相对的区域形成有不规则的凹凸(10)。硅基板(21)的第2主面(21b)的形成有不规则的凹凸(10)的区域光学性地露出。
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