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公开(公告)号：CN102893597B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201180023447.5
申请日：2011-06-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H04N5/372 , H01L27/148
CPC classification number: H04N5/37213 , G01S7/4865 , G01S17/89 , H01L27/148 , H01L27/14806 , H01L27/14856 , H04N5/372 , H04N5/3765
Abstract: 本发明涉及驱动装置以及使用该驱动装置的空间信息检测装置，驱动装置具备施加电压控制部，其进行传送处理以控制电荷耦合元件来传送电荷。上述施加电压控制部从上述电荷耦合元件的一列传送电极的第一端侧至第二端侧依次将施加给上述传送电极的电压从产生上述势阱的控制电压切换为终止上述势阱的基准电压。上述施加电压控制部具备：控制电路，其根据时钟信号生成驱动信号；以及驱动电路，其根据上述驱动信号将上述控制电压和上述基准电压选择性地施加到上述传送电极。上述控制电路相对于与相邻的传送电极中的一个对应的上述驱动信号即第一驱动信号使与上述相邻的传送电极中的另一个对应的上述驱动信号即第二驱动信号延迟，将上述第一驱动信号与上述第二驱动信号的相位差设定为与比上述时钟信号的周期短的规定时间对应的值。
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公开(公告)号：CN103904027A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201310427055.6
申请日：2013-09-18
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/77 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14856 , G01S7/4865 , G01S7/4914 , H01L27/14601 , H01L27/14683 , H04N5/369
Abstract: 本发明涉及成像器设备的制造和成像器设备。一种制造成像器设备的方法，所述方法包括：形成第一控制电极、第二控制电极和第三控制电极以在成像器设备的操作期间提供用于转移光生电荷载流子的电位分布，第一、第二和第三控制电极相互横向地间隔开，形成到第一控制电极的第一电气连接用于在成像器设备的操作期间供应电驱动信号到第一控制电极；形成到第二控制电极的第二电气连接用于在成像器设备的操作期间提供电位到第二控制电极；第三控制电极具有到第一控制电极和第二控制电极的电容性耦合，以使得第三控制电极的第三电位通过电容性耦合以施加到第一控制电极的第一电位和施加到第二控制电极的第二电位的数值之间的数值生成。
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公开(公告)号：CN108604593A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780007781.9
申请日：2017-01-16
Applicant: 特利丹E2V半导体简化股份公司
IPC: H01L27/148 , H04N5/372
CPC classification number: H01L27/14856 , H01L27/14812 , H01L27/14818 , H04N5/353 , H04N5/37206
Abstract: 本发明涉及带有电荷传输的TDI图像传感器，其用于利用对在各个行的具有相同秩的像素中在行持续时间(TL)期间由图像的点产生的电荷进行加和，通过若干行像素而连续观察单一图像行。根据本发明，像素在移动的方向上再分为至少两个相邻部分(SUBaij、SUBbij)，每个部分包括与其它部分的储存区域相独立的至少一个电荷储存区域，而使电荷能够从第一部分传输至第二部分，其中一个部分(SUBaij)受到遮盖而不接收光，而其它部分(SUBbii)未受遮盖而接收光。未遮盖的部分包括电荷排除结构，其在定义积分的实际开始的可变时刻启动，所述积分的实际开始的可变时刻无关于观察图像行的周期的开始。因此能够限定不取决于传感器和图像的相对移动速度的曝光时间TINT，而与带有电荷传输的标准TDI传感器不同，所述标准TDI传感器的曝光时间等于行周期TL(关联于移动的速度)。
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公开(公告)号：CN107615486A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680016686.0
申请日：2016-01-20
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146 , G01C3/06 , G01S7/486 , H01L27/148 , H04N5/33 , H04N5/372
CPC classification number: G01J1/4228 , G01J1/44 , G01J2001/448 , G01S7/486 , G01S7/4863 , G01S17/89 , H01L27/14843 , H01L27/14856 , H01L27/14875 , H01L27/14887 , H04N5/3592 , H04N5/378
Abstract: 本申请关于具备具有纵型溢出沟道构造的光电转换部的固体摄像元件，使其能够作为例如精度较高的测距传感器使用。在固体摄像元件中，在形成在第1导电型的半导体基板的表面部上的第2导电型的阱区域中，形成有像素阵列部。在像素阵列部中，以矩阵状配置有将入射光转换为信号电荷且具有纵型溢出沟道构造(VOD)的光电转换部。控制VOD的电势的基板排出脉冲信号 被向信号端子施加。在半导体基板的连接部的下方，形成有被导入了第1导电型的杂质的杂质导入部。
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公开(公告)号：CN104024886B
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201280063624.7
申请日：2012-12-13
Applicant: 皇家飞利浦有限公司
IPC: G01T1/17
CPC classification number: A61B6/585 , A61B6/4241 , A61B6/5205 , A61B6/5258 , A61B6/582 , A61B2560/0223 , A61B2560/0238 , G01R29/0273 , G01R29/033 , G01R29/0878 , G01R29/24 , G01T1/171 , G01T1/18 , G06F7/64 , H01L27/14856 , H03K5/1252 , H03K5/2463 , H03K21/40
Abstract: 本发明涉及一种用于探测光子的探测装置(12)。所述探测装置包括堆积确定单元(15)，其用于确定指示探测到的光子的探测信号脉冲是由堆积事件还是由非堆积事件引起的，其中，探测值生成单元(16)根据所述探测信号脉冲并且根据对相应探测信号脉冲是由堆积事件还是由非堆积事件引起的确定结果来生成探测值。具体地，所述探测值生成单元能够适于在生成所述探测值时排除由堆积事件引起的所述探测信号脉冲。这允许所生成的探测值的改善的质量。
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公开(公告)号：CN103904027B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310427055.6
申请日：2013-09-18
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/77 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14856 , G01S7/4865 , G01S7/4914 , H01L27/14601 , H01L27/14683 , H04N5/369
Abstract: 本发明涉及成像器设备的制造和成像器设备。一种制造成像器设备的方法，所述方法包括：形成第一控制电极、第二控制电极和第三控制电极以在成像器设备的操作期间提供用于转移光生电荷载流子的电位分布，第一、第二和第三控制电极相互横向地间隔开，形成到第一控制电极的第一电气连接用于在成像器设备的操作期间供应电驱动信号到第一控制电极；形成到第二控制电极的第二电气连接用于在成像器设备的操作期间提供电位到第二控制电极；第三控制电极具有到第一控制电极和第二控制电极的电容性耦合，以使得第三控制电极的第三电位通过电容性耦合以施加到第一控制电极的第一电位和施加到第二控制电极的第二电位的数值之间的数值生成。
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公开(公告)号：CN104303306A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201380023055.8
申请日：2013-04-11
Applicant: E2V半导体公司
Inventor： F·迈耶
IPC: H01L27/148 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14812 , H01L27/1057 , H01L27/14627 , H01L27/14825 , H01L27/14856 , H01L27/14868 , H01L29/765
Abstract: 本发明涉及一种图像传感器，尤其是时间延迟和累积(TDI)传感器。根据本发明，该传感器包括成行的光电二极管，成行的光电二极管与邻近光电二极管的成行的栅极交替。栅极是不对称的，在一侧邻近光电二极管并且在另一侧包括向另一个光电二极管延伸的窄栅极突指(20)。由于其非常窄的宽度，突指赋予电荷的转移方向性。在两个连续的光电二极管(PH1i、PH2i)之间有两个栅极(G2Bi、G2Ai)，两个栅极邻近两个光电二极管，第一栅极的窄突指向第一光电二极管伸出，第二栅极的窄突指向第二光电二极管伸出。可以通过中性化第一栅极或第二栅极而在传感器中选择电荷转移的方向，另一个栅极接收使得电荷能够从一个光电二极管向另一个转移的交替电势。
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公开(公告)号：CN104995735B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201480008752.0
申请日：2014-02-12
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L27/148 , G03F7/20
CPC classification number: H04N5/369 , H01L27/14683 , H01L27/14806 , H01L27/14812 , H01L27/14831 , H01L27/14856 , H04N5/353
Abstract: 固体摄像装置(1)包括在半导体基板上以多个图案(2A、2B)在Y轴方向上被接合的方式被曝光而形成的受光部(2)。受光部(2)具有2维状地排列于Y轴方向与正交于Y轴方向的X轴方向的多个像素。在由多个像素中的、排列于X轴方向的多个像素构成的每个像素列，沿X轴方向传输电荷。
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公开(公告)号：CN102362488B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201080013270.6
申请日：2010-03-25
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H04N5/372 , H01L27/148 , H04N5/359
CPC classification number: H04N5/37206 , H01L27/14831 , H01L27/14856 , H01L27/14887 , H01L31/113 , H04N5/3592
Abstract: 在固体摄像装置(1)中，溢流闸(OFG)(5)具有规定的电阻值，电压施加部(161～165)通过连接部(171～175)与OFG(5)电连接。因此，通过电压施加部(161～165)调整对连接部(171～175)施加的电压值(V1～V5)，可以提高在OFG(5)的前级侧部分产生的电压值，降低在OFG(5)的后级侧部分产生的电压值。其结果，在OFG(5)的前级侧部分障壁度(电势)变低，在OFG(5)的后级侧部分障壁度变高，因此，可以使在光电转换部(2)的前级侧区域产生的全部电荷向溢流漏极(OFD)(4)流出，而仅将在光电转换部(2)的后级侧区域产生的电荷进行TDI传送。
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公开(公告)号：CN102971852A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201180024387.9
申请日：2011-05-05
Applicant: E2V半导体公司
IPC: H01L27/148
CPC classification number: H01L27/14806 , H01L27/14856
Abstract: 本发明涉及图像传感器，更具体地但不仅限于能够信号积分的扫描传感器（或TDI传感器，“时间延迟积分线性传感器”）。根据本发明，沿一列的相邻像素均包括至少一个光电二极管（PH1i，PH2i）和一个与所述光电二极管相邻的存储栅极（G1i，G2i）的交替。所述栅极包括主体和一系列窄指状物（20），所述一系列窄指状物（20）在电荷转移方向上的上游侧上而不在下游侧上且从所述主体向所述上游侧延伸，在所述上游侧上的所述指状物的末端与位于所述栅极的上游的光电二极管相邻，所述窄指状物通过第一导电类型的掺杂绝缘区域（18）而彼此分离，所述掺杂绝缘区域（18）的掺杂比所述表面区域的掺杂更高且所述掺杂绝缘区域优选地比所述表面区域更深，所述掺杂绝缘区域与所述表面区域一样被连接至所述有源层的所述基准电势，这些所述绝缘区域插置在所述栅极的所述主体与所述光电二极管之间。这些指状物感应所述电荷转移的方向性。
