一种氧化石墨烯和含铜配位聚合物复合材料及其微波合成方法

    公开(公告)号:CN104645940A

    公开(公告)日:2015-05-27

    申请号:CN201510111017.9

    申请日:2015-03-13

    Abstract: 本发明涉及一种氧化石墨烯和铜基金属有机框架化合物(MOFs)的复合材料及其制备方法,也就是主要提供了一种氧化石墨烯和含铜配位聚合物复合材料及其微波合成方法。制备步骤如下:将反应物(氧化石墨烯、无机铜盐和有机羧酸)溶解于混合有机溶剂中,再将上述混合溶液在温度为90~140℃和500~900w功率条件下,微波反应器中反应15min~180min,降温后取出,经过抽滤、洗涤、干燥和焙烧,得到蓝黑色的含铜配位聚合物分散于石墨氧化物中的复合材料,且复合材料的BET比表面积在600~1500m2/g范围内。本发明制备工艺简单,成本低,反应时间极短,能够在短时间内在温和条件下制备出一种高比表面积多孔的复合材料。制得的新型多孔高比表面积复合材料在吸附、分离、传感、催化、药物运输等方面有着广泛的应用前景。

    一种Co-Ni-S中空微球状复合材料的制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117672712A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311757511.3

    申请日:2023-12-20

    Abstract: 本发明公开了一种Co‑Ni‑S中空微球状复合材料,以六水合硝酸钴、六水合硝酸镍、硝酸镓水合物、尿素、氟化铵和九水合硫化钠为原料,经第一步水热反应制备Co‑Ni‑Ga‑CH后,再经第二步水热反应制得,简称Co‑Ni‑S。Co‑Ni‑Ga‑CH的微观形貌为中空微球状结构,其中微球表面由光滑薄片组成;Co‑Ni‑S由(Co,Ni)3S4和NiS组成,不存在Ga(OH)3以及其他包含Ga元素的相关化合物,其微观形貌依然为中空微球状结构,且微球表面是由纤维化多孔片组成,其比表面积为20‑40m2g‑1,孔径分布为2‑4nm和20‑40nm。Ga元素可循环利用。其制备方法包括以下步骤:1,Co‑Ni‑Ga‑CH前驱体的制备;2,Co‑Ni‑S中空微球状复合材料的制备。作为超级电容器电极材料的应用,在0‑0.5V的电压窗口范围内进行充放电,在电流密度为1A g‑1时,比电容为1400‑1450F g‑1。

    一种中空纳米笼结构的ZnNiCo-LDH及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117023653A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202310831774.8

    申请日:2023-07-07

    Abstract: 本发明公开了一种中空纳米笼结构的ZnNiCo‑LDH,以硝酸钴和2‑甲基咪唑为原料合成具有正十二面体结构的ZIF‑67,通过ZIF‑67和Ni(NO3)2·6H2O制备具有核壳结构的ZIF‑67@NiCo‑LDH,通过氯化锌与ZIF‑67@NiCo‑LDH进行反应,即可获得具有中空纳米笼结构的ZnNiCo‑LDH。其制备方法包括以下步骤:1,正十二面体结构的ZIF‑67的制备;2,核壳结构的ZIF‑67@NiCo‑LDH的制备;3,中空纳米笼结构的ZnNiCo‑LDH的制备。作为超级电容器的应用,在0‑0.5V范围内充放电,在放电电流密度为1A/g时,比电容为1900‑2000F/g;10A/g相对于1A/g下的电容保持率达到73%。

    一种基于共价有机框架JUC-505负载Co-B复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116832812A

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202310796789.5

    申请日:2023-06-30

    Abstract: 本发明公开了基于共价有机框架JUC‑505负载Co‑B复合材料,先通过溶剂热法,制备小晶粒状,平均尺寸为50nm的共价有机框架JUC‑505,再以JUC‑505作为载体,经化学还原法负载球状粒子的Co‑B纳米粒子,Co‑B负载于JUC‑505表面,即可得比表面积为389.78m2/g、具有磁性的Co‑B/JUC‑505。其制备方法包括以下步骤:1、JUC‑505的制备;2、Co‑B/JUC‑505的制备。最大产氢速率为10000‑15000mL·min‑1·g‑1,放氢时间为40‑70s时,放氢量达到理论值的100%;活化能为Ea=21.6‑26.2kJ·mol‑1;7次回收/重复保留初始催化活性的84.4‑87.8%。具有以下优点:1、通过改善材料微观形貌,提高均匀性,抑制团聚,增大接触面积,提高活性位点;2、具有高热稳定性,高循环稳定性;3、具有磁性,通过磁性回收提高循环性能。

    一种基于Ni@TiO2的氢化镁储氢材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116588898A

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202310590257.6

    申请日:2023-05-24

    Abstract: 本发明公开了一种基于Ni@TiO2的氢化镁储氢材料,由氢化镁和Ni@TiO2球磨制得;Ni@TiO2由球状TiO2和Ni纳米颗粒组成,其中,球状TiO2由溶剂热法制得,Ni纳米颗粒先经化学合成法在球状TiO2上负载Ni(OH)2后,再在还原性气体条件下经煅烧法制得;TiO2的微观形貌为球状,尺寸0.5‑1μm;Ni纳米颗粒为块体颗粒结构,负载于球状TiO2表面。其制备方法包括以下步骤:1,球状TiO2的制备;2,Ni(OH)2@TiO2前驱体的制备;3,Ni@TiO2的制备;4,基于Ni@TiO2的氢化镁储氢材料的制备。在储氢领域的应用,初始放氢温度为161℃;在300℃时,40 min内放氢量为6.3 wt%;在75℃时,60 min内吸氢量为4.5 wt%;在10次循环后,实际氢容量的容量保持率为84%。具有以下优点:球状TiO2同时具有载体和催化剂的作用,作为载体时,具有结构稳定和比表面积大的特点;作为催化剂时,本身具备对MgH2的催化作用,与表面Ni纳米颗粒产生协同作用。

    一种花簇状Ni3Fe/TiO2复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116374950A

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202310273090.0

    申请日:2023-03-20

    Abstract: 本发明公开了一种花簇状Ni3Fe/TiO2复合材料,由花簇状TiO2和在其表面原位制备的Ni3Fe颗粒的组成,花簇状TiO2为先制备TiO2/SiO2,再制备成空心花簇状TiO2;TiO2/SiO2的微观形貌为尺寸为50‑70nm的空心球状;花簇状TiO2的微观形貌为尺寸为200‑500nm的中空花簇状结构;尺寸为3‑5μm的Ni3Fe颗粒负载于花簇状TiO2表面。其制备方法包括以下步骤:1,TiO2/SiO2前体的制备;2,花簇状TiO2的制备;3,花簇状Ni3Fe/TiO2复合材料的制备。公开了一种基于Ni3Fe/TiO2的MgH2基储氢材料的制备方法:在氩气条件下,将Ni3Fe/TiO2与MgH2混合后进行正反转球磨。所得基于Ni3Fe/TiO2的MgH2基储氢材料作为储氢材料的应用,Ni3Fe/TiO2的摻杂量为5wt%,初始脱氢温度为155‑175℃;在300℃条件下的脱氢量为6.9‑7.1wt%;在100℃条件下的吸氢量为4.2‑4.8wt%;15次循环后的保持率为96‑98%。

    一种废弃石墨回收-活化方法及其应用

    公开(公告)号:CN116231139A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202310194663.0

    申请日:2023-03-03

    Abstract: 本发明公开了一种废弃石墨回收‑活化方法,包括以下步骤:1,石墨的常规回收;2,导电碳和粘结剂的热解去除;3,回收石墨的两步活化法;4,煅烧反应产物的后处理,即可得到分层石墨纳米片。分层石墨纳米片作为锂硫电池正极材料硫载体应用,在0.1C电流密度下的初始容量为1410mAh·g‑1;100次充放电循环后,容量剩余841mAh·g‑1,100次充放电循环后容量保持率为59.6%。本发明具有:原料成本低、工艺设备简单、废液处理简单;实现调节、重构石墨的微观结构——由块状结构刻蚀为分层纳米片结构,从而提高性能的特点。

    一种羧基化CNTs负载CoNiB复合材料

    公开(公告)号:CN114899017B

    公开(公告)日:2023-06-02

    申请号:CN202210598397.3

    申请日:2022-05-30

    Abstract: 本发明公开了一种Co/Ni比为1:3的羧基化CNTs负载CoNiB复合材料,以羧基化CNTs、六水氯化钴、六水氯化镍、三乙胺、无水乙醇、水和硼氢化钠为原料,采用在冰水条件下硼氢化钠原位还原的方法,其中三乙胺起到将金属预锚定于羧基化CNTs的作用,其中,所述六水氯化钴和六水氯化镍的质量比为1:3;所得材料的微观形貌为,CoNiB生长在羧基化CNTs表面,羧基化CNTs贯穿于整个复合材料之中;其表面积为70‑120 m2 g‑1,孔径分布为3‑5 nm和30‑35 nm。作为超级电容器电极材料的应用,在电流密度为1 A g‑1时,比电容可以达到1900‑2300 F g‑1;在电流密度为10 A g‑1时,在5000圈循环后的比电容为初始比电容的85‑90%。

Patent Agency Ranking