公开(公告)号：CN107032784A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710301047.5

申请日：2017-05-02

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 曾卫东 ,  周昌荣 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/45

Abstract: 本发明公开了一种大压电各向异性无铅压电陶瓷材料，配方为：0.94Bi1/2Na1/2Ti0.85(Cu1/3Ta2/3)0.15O3‑0.06LiBiO3；通过LiBiO3的辅助烧结，结合Bi的变价，在A位与B位出现相同元素的不同价态Bi3+/Bi5+，诱导出现特殊的同素异价A/B位离子有序态(Bi3+与Bi5+分别进入A位与B位)，结合交直流极化工艺，产生特殊的大压电各向异性。该产品具有优良的大压电各向异性性能，稳定性好，绿色环保，可在超声换能器领域使用。

公开(公告)号：CN104987060B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201510344609.5

申请日：2015-06-18

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  周贤界 ,  王华 ,  杨玲 ,  徐华蕊 ,  朱归胜

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  C04B35/453 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种具有骨架网络结构的氧化锌蒸镀靶材的制备方法：高温烧制获得微米级粉体，加入纳米级粉体、碎颗粒、氢氧化物浆料中的一种或者多种混合，再加入粘接剂压制成型，高温烧结后得到蒸镀靶材。本发明通过构建具有三维骨架网络的结构，实现对低密度蒸发材料的结构强化，所制备的氧化锌蒸镀材料具有较高的强度，抗热冲击性能好，彻底解决高能电子束轰击时开裂的问题。

公开(公告)号：CN103236497B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201310145707.7

申请日：2013-04-25

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  王华 ,  周尚菊 ,  杨玲 ,  丘伟 ,  张玉佩

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于钛酸铋材料的阻变存储器及其制备方法。阻变存储介质层为Bi4Ti3O12及其掺杂物，掺杂元素包括Nb、Ta、La、Sr、V、Nd、Ce、Sm、Ca和Pr，阻变介质层为薄膜形态。器件结构为衬底/下电极/阻变介质层/上电极，上、下电极材料为导电氧化物或金属，上、下电极的厚度为80nm到500nm，阻变介质层厚度为10nm到1000nm。整个存储器的制备使用磁控溅射方法。本发明的有益效果在于采用钛酸铋作为存储介质的阻变存储器具有较大的高低电阻比，有利于数字信息0和1的区分，降低了数据的写入和读取的误判。

公开(公告)号：CN104291792A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201410507261.2

申请日：2014-09-28

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  周贤界 ,  王华 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  张小文

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/10 ,  C04B35/04 ,  C04B35/48 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种氧化物陶瓷靶材及其制备方法，所述氧化物陶瓷靶材由30-70wt%的In2O3、5-40wt%的XO、10-50wt%的ZnO组成，上述三者比例之和为100%，其中XO是铝、镁、锡或铪的氧化物。所述制备方法包括如下步骤：（1）将30-70wt%的In2O3、5-40wt%的XO和10-50wt%的ZnO装入粉碎机中粉碎；（2）将球磨后得到的混合物粉体压制成型，获得平面或管状的素坯；（3）将平面或管状的素坯脱脂；（4）将脱脂后的素坯进行烧结，获得高密度的陶瓷靶材。本发明用于替代现有的含镓氧化物陶瓷靶材，在保持性能的同时，实现靶材及TFT器件成本的降低。

公开(公告)号：CN102244010B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201110150070.1

申请日：2011-06-03

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 王华 ,  刘思佳 ,  许积文 ,  周尚菊 ,  杨玲

IPC: H01L21/36 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种玻璃衬底p-CuAlO2/n-ZnO:Al透明薄膜异质结的制备方法，(1)采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺制备p-CAO透明导电薄膜后，再采用超声喷雾热解(USP)工艺制备n-AZO透明导电薄膜；(2)制备p-CAO薄膜时需多次匀胶、分层预热处理；(3)p-CAO薄膜需经退火处理，且退火在氩气气氛下进行；(4)采用USP工艺，在已覆盖CAO薄膜衬底上沉积n-AZO透明导电薄膜；(5)沉积n-AZO透明导电薄膜时衬底需加热，且衬底温度不超过320℃，样品自然冷却即得p-CuAlO2/n-ZnO:Al(p-CAO/n-AZO)透明薄膜异质结。该方法新颖、简单，且能满足大面积成膜工艺要求，其制备的p-CAO/n-AZO异质结为全透明结构并能实现p-n结功能，具有良好的光电性能。

公开(公告)号：CN102585762A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210031373.6

申请日：2012-02-13

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  杨玲 ,  许积文 ,  杨涛 ,  朱保华

IPC: C09K3/00

Abstract: 本发明公开了一种电气石基空气负离子与电磁屏蔽功能基元材料及其制备方法，具体步骤是：1、将硝酸铁溶液与电气石超细粉混合、烘干、煅烧得电气石表面包覆纳米α-Fe2O3\TiO2核壳结构复合粉体；2、把α-Fe2O3\TiO2复合粉体与氧化钛溶胶混合、烘干、煅烧得到电气石表面包覆α-Fe2O3\TiO2双层核壳结构纳米复合粉体；3、进一步把步骤2的产品在氩气或氮气的气氛炉中煅烧，得到电气石表面包覆Fe3O4\TiO2核壳结构纳米复合粉体；4、将步骤3所得产品经球磨后即得到电气石基空气负离子与电磁屏蔽功能基元材料。本发明产品产生的负离子浓度高，电磁屏蔽能力强，且制备工艺简单，原材料成本低。

公开(公告)号：CN102180704A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110052767.5

申请日：2011-03-04

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 王华 ,  许积文 ,  周尚菊 ,  杨玲 ,  任明放

IPC: C04B41/50

Abstract: 本发明公开了一种Si衬底Bi3TiNbO9-Bi4Ti3O12自然超晶格铁电薄膜的制备方法，采用溶胶-凝胶工艺，直接形成自然超晶格结构；为弥补Bi2O3在高温下易于挥发，在Bi3TiNbO9-Bi4Ti3O12名义成分配料的基础上，采用Bi适度过量的成分配方；采用多次匀胶、分层退火；成膜退火在氧气气氛下进行。该方法简单且能满足硅平面工艺的要求，其制备的Bi3TiNbO9-Bi4Ti3O12铁电薄膜具有超晶格结构和突出的铁电性能、优异的抗疲劳特性及良好的综合性能。

公开(公告)号：CN109704757B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201910025697.0

申请日：2019-01-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨玲 ,  许积文 ,  窦闰镨 ,  周昌荣 ,  王华 ,  袁昌来

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种兼具低场与高场压电性能的无铅压电陶瓷及其制备方法，所述无铅压电陶瓷是以(Bi0.5Na0.5)TiO3、BaTiO3、Bi2CoMnO6、WO3和MgO为原料，按照化学组成通式(1‑y)(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06Ti1‑x(W0.5Mg0.5)xO3‑yBi2CoMnO6制备所得，其中x、y表示摩尔分数，0.01≤x≤0.05，0.01≤y≤0.05；所述制备方法则是在现有工艺上优化后的方法。本发明公开的无铅压电陶瓷能够很好的兼顾低场和高场下的压电性能，生产成本低、实用性好。

公开(公告)号：CN110041074B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN201910478416.7

申请日：2019-06-03

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  孙亚兵 ,  王华 ,  杨玲 ,  周尚菊 ,  丘伟

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种上转换发光透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用，属于陶瓷材料领域。本发明提供的陶瓷材料结构式为：(1‑x)K0.5Na0.5NbO3‑xSr(Yb0.5Nb0.5)O3‑yM，M为Er或Ho，x＝0.05～0.35，y＝0.001～0.01。本发明提供的陶瓷材料以K0.5Na0.5NbO3(KNN)铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Yb0.5Nb0.5)O3后，使陶瓷材料具有透明性能；在此基础上，通过掺杂稀土Er或Ho，使陶瓷材料同时具有上转换光致发光性能。本发明提供的陶瓷材料同时具备较好的上转换发光性能和铁电性能，而且透光性较好，是一种多功能陶瓷材料。

公开(公告)号：CN113121226A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202110481507.3

申请日：2021-04-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  张杰 ,  饶光辉 ,  杨玲 ,  余文杰 ,  王华

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  H01G7/06

Abstract: 本发明属于陶瓷材料技术领域，特别涉及一种光介电铁电陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明提供了一种光介电铁电陶瓷材料，所述光介电铁电陶瓷材料的化学通式为(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO3‑xA(MyNb1‑y)O3‑δ，x为0.005～0.10，y为0.01～0.5；A为AII族元素中的一种或多种，M为过渡金属元素中的一种或多种。本发明通过过渡金属的引入降低(K0.5Na0.5)NbO3材料的带隙，实现半导化，从而使光介电铁电陶瓷材料具有高的光介电调谐率，使光介电铁电陶瓷材料的介电常数在光激励时产生改变，实现光对光介电铁电陶瓷材料介电性能的非接触式调控。