公开(公告)号：CN109704757B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201910025697.0

申请日：2019-01-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨玲 ,  许积文 ,  窦闰镨 ,  周昌荣 ,  王华 ,  袁昌来

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种兼具低场与高场压电性能的无铅压电陶瓷及其制备方法，所述无铅压电陶瓷是以(Bi0.5Na0.5)TiO3、BaTiO3、Bi2CoMnO6、WO3和MgO为原料，按照化学组成通式(1‑y)(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06Ti1‑x(W0.5Mg0.5)xO3‑yBi2CoMnO6制备所得，其中x、y表示摩尔分数，0.01≤x≤0.05，0.01≤y≤0.05；所述制备方法则是在现有工艺上优化后的方法。本发明公开的无铅压电陶瓷能够很好的兼顾低场和高场下的压电性能，生产成本低、实用性好。

公开(公告)号：CN109704757A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201910025697.0

申请日：2019-01-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨玲 ,  许积文 ,  窦闰镨 ,  周昌荣 ,  王华 ,  袁昌来

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种兼具低场与高场压电性能的无铅压电陶瓷及其制备方法，所述无铅压电陶瓷是以(Bi0.5Na0.5)TiO3、BaTiO3、Bi2CoMnO6、WO3和MgO为原料，按照化学组成通式(1-y)(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06Ti1-x(W0.5Mg0.5)xO3-yBi2CoMnO6制备所得，其中x、y表示摩尔分数，0.01≤x≤0.05，0.01≤y≤0.05；所述制备方法则是在现有工艺上优化后的方法。本发明公开的无铅压电陶瓷能够很好的兼顾低场和高场下的压电性能，生产成本低、实用性好。