公开(公告)号：CN113121226A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202110481507.3

申请日：2021-04-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  张杰 ,  饶光辉 ,  杨玲 ,  余文杰 ,  王华

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  H01G7/06

Abstract: 本发明属于陶瓷材料技术领域，特别涉及一种光介电铁电陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明提供了一种光介电铁电陶瓷材料，所述光介电铁电陶瓷材料的化学通式为(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO3‑xA(MyNb1‑y)O3‑δ，x为0.005～0.10，y为0.01～0.5；A为AII族元素中的一种或多种，M为过渡金属元素中的一种或多种。本发明通过过渡金属的引入降低(K0.5Na0.5)NbO3材料的带隙，实现半导化，从而使光介电铁电陶瓷材料具有高的光介电调谐率，使光介电铁电陶瓷材料的介电常数在光激励时产生改变，实现光对光介电铁电陶瓷材料介电性能的非接触式调控。

公开(公告)号：CN113121226B

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202110481507.3

申请日：2021-04-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  张杰 ,  饶光辉 ,  杨玲 ,  余文杰 ,  王华

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  H01G7/06

Abstract: 本发明属于陶瓷材料技术领域，特别涉及一种光介电铁电陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明提供了一种光介电铁电陶瓷材料，所述光介电铁电陶瓷材料的化学通式为(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO3‑xA(MyNb1‑y)O3‑δ，x为0.005～0.10，y为0.01～0.5；A为AII族元素中的一种或多种，M为过渡金属元素中的一种或多种。本发明通过过渡金属的引入降低(K0.5Na0.5)NbO3材料的带隙，实现半导化，从而使光介电铁电陶瓷材料具有高的光介电调谐率，使光介电铁电陶瓷材料的介电常数在光激励时产生改变，实现光对光介电铁电陶瓷材料介电性能的非接触式调控。

公开(公告)号：CN112904089A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN202110060080.X

申请日：2021-01-18

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  张杰 ,  饶光辉 ,  余文杰 ,  杨玲 ,  王华

IPC: G01R27/26 ,  G01N21/27

Abstract: 本发明公开了一种光介电材料的光介电响应测试仪及测试方法，所述测试仪包括计算机和可变波长光源、可多向平移的样品台、遮光板、LCR表，遮光板固定在旋转轴上，旋转轴带动遮光板旋转，遮光板上分布有透光部位与遮光部位，遮光板的透光部位布置有滤光片，样品台平移控制器、遮光板旋转轴控制器、可变波长光源和LCR表统一受计算机控制。本发明不仅能测试单光源下的不同测试频率的光介电响应，还可以测试不同波长以及不同光强下的光介电响应，同时可以利用遮光板实现开关特性的测试，是一套完备的光介电测试系统，它包含了不同光波长，不同光强度，不同信号频率等多种变化因素，节约了测试时间，降低了测试的劳动强度。