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公开(公告)号：CN114023511B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202111334245.4
申请日：2021-11-11
Applicant: 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 , 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于有机磷盐制备高温电子浆料的方法。本发明通过利用正己基‑3‑甲基咪唑六氟磷酸盐(NHIHP)对导电相粉末进行表面改性，提高分散性和导电粉末的结合强度；所应用高温电子浆料按质量份数计包括以下组成：新型浆料载体7～12份，不同粒径导电粉末78～90份，玻璃相3‑5份。本发明通过利用NHIHP与导电相的表面结合，使浆料颗粒分布均匀，不仅可以增强导电颗粒之间的结合强度，形成致密薄膜，还成分环保，既能增强浆料的导电效果，又能提升高温电子浆料的性能。
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公开(公告)号：CN116396749A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310125666.9
申请日：2023-02-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C09K11/65 , C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H10K50/115
Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域，具体涉及一种金属硒化物量子点及碳点的合成与发光器件制备方法，金属硒化物量子点及碳点的合成方法包括：制备共生金属硒化物量子点‑碳点溶液；制备纯碳点溶液；将超声剥离结合加热搅拌或水热反应制备共生金属硒化物量子点‑碳点分散液或纯碳点分散液，采用超声处理对金属硒化物或NMP或PEG等进行初次剪切和剥离；然后通过加热搅拌或水热反应的再次剪切和剥离，可合成量子点或碳点溶液，具有低成本的优点；再通过将量子点或碳点进行二次溶解分散，将共生金属硒化物量子点‑碳点溶液或纯碳点溶液用作发光层构建固态电致发光器件，解决了现有纯碳点发光器件效率低的问题。
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公开(公告)号：CN114122275B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111421489.6
申请日：2021-11-26
Applicant: 电子科技大学中山学院 , 桂林电子科技大学 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
Abstract: 本申请涉及近紫外发光器件及其制备领域，具体提供了一种过渡金属氯化物近紫外发光器件及其制备方法，其特征在于，本发明器件为层状结构，从下到上依次包括透明阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、金属阴极。空穴注入层的材料具有导电特性且透明。透明阳极的材料为导电玻璃；空穴传输层的材料为CBP；发光层的材料为PBD；电子传输层的材料为BPhen；金属阴极为LiF/Al金属电极。本发明器件的外量子效率达到2％以上，且具有403‑407nm的发光峰、43‑58nm的半峰宽以及6.5‑8.05mW/cm2的强辐照度。
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公开(公告)号：CN114646670A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210270430.X
申请日：2022-03-18
Applicant: 电子科技大学中山学院 , 桂林电子科技大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本申请涉及半导体气敏器件技术领域，具体提供了一种基于ZnO半导体的高灵敏的气敏器件的制备方法，该方法包括如下步骤：S1，制备ZnO纳米片；S2，制备基于ZnO半导体的气敏器件；S3，利用氢等离子体进行增敏处理。本发明提供一种无需贵金属掺杂的基于ZnO半导体的高灵敏的气敏器件的制备方法，有效降低制备成本；同时使用氢等离子体技术在ZnO半导体表面产生氧空位，从而提升气敏器件的灵敏度，灵敏度能够提高到原来的5倍以上，因此，本发明方法制备的气敏器件的灵敏度较高。另外，本发明方法制备的气敏器件还具有检测范围宽、使用方便的优点。
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公开(公告)号：CN113725374A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110801218.7
申请日：2021-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，公开了一种倒置结构OLED器件与制备方法，包括制备碳酸锂‑甲酸溶液；制备碳酸锂‑硼酸溶液；处理ITO透明阴极；在ITO透明阴极涂覆碳酸锂‑甲酸溶液和碳酸锂‑硼酸溶液中的一种，并退火得到电子注入层，最后在多源热蒸发系统依次沉积BPhen电子传输层、PBD发光层、CBP空穴传输层、MoO3空穴注入层和Al阳极，得到倒置结构OLED器件。碳酸锂‑甲酸作为电子注入层，基于PBD发光层，OLED器件表现出优异的光电器件性能，有5.24mW/cm2的最大辐射度和2.47％的EQE，碳酸锂‑甲酸层表现出优异的电子性能并有助于电子注入，从而提高了倒置结构OLED器件的电光性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110165064B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201910456855.8
申请日：2019-05-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件技术领域，尤其涉及具有梯度能级空穴调控有机电致发光器件，包括依次叠接的阳极、第一空穴注入层、第二空穴注入层、发光层、电子注入层和金属阴极，所述第一空穴注入层为PEDOT:PSS或者PEDOT:PSS+V2O5复合材料，第二空穴注入层为C3N4薄膜，发光层为TPBi，电子注入层为LiF，金属阴极为Al。本发明的具有梯度能级空穴调控有机电致发光器件，利用V2O5掺杂PEDOT:PSS的复合薄膜PEDOT:PSS+V2O5和二维材料C3N4的各自优点，利用其合适的能级结构有效地构筑具有梯度能级的空穴注入传输体系，从而调节了载流子平衡，器件具有良好的性能。
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公开(公告)号：CN112239670A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202011062060.8
申请日：2020-09-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C01B19/00 , C09D11/50 , B01J27/057 , C01B3/04 , H01L31/0272 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种CuInSe2超小量子点及其制备方法和应用，其制备方法步骤为：S1：制备三聚硫氰酸或巯基配位的Cu和In离子前驱体溶液以及硒前驱体溶液；制备CuInSe2量子点前驱体溶液；制备小分子硫氰酸根或巯基包裹的超小CuInSe2量子点水溶液，采用水相一锅法以较简单的工艺和较低的温度在水溶液中制备出目标产物，所得CuInSe2量子点是立方相的超小的纳米晶由小分子硫氰酸根或巯基包裹，近红外发光，本发明的量子点墨水经印制后能够得到稳定的量子点发光层，具有较长的寿命，且具有较好的发光性能。将所述量子点墨水用于印刷制备太阳能电池能够有效提升电池的光学性能和电学性能，量子点具有优异的光催化性能。
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公开(公告)号：CN110590453A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910943746.9
申请日：2019-09-30
Applicant: 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 , 桂林电子科技大学
IPC: C05G3/00
Abstract: 本发明公开了一种负载药肥缓释可降解的多孔材料，包括：生物质多孔基体材料、农药、钾肥和包覆材料。其制备方法为：将罗汉果藤和百香果藤粉碎然后进行增孔处理，炭化，再经过粉碎，球磨，过筛，得到生物质多孔基体材料；将淀粉、甘蔗水和马铃薯皮粉末混合搅拌均匀，再加氧化剂、催化剂、亚硫酸钾、聚乙烯醇和硼砂，搅拌均匀，得到包覆材料；将生物质多孔基体材料倒入过饱和草铵膦-磷酸二氢钾溶液中，搅拌均匀，过滤，得到的负载药肥的生物质多孔材料倒入制备的包覆材料中，混合均匀，干燥，过筛，得到负载药肥缓释可降解的多孔材料。该多孔材料是一种以生物质多孔材料为负载体，制备成本低，环保可降解，药效和肥效时间更长的缓释药肥。
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公开(公告)号：CN110563510A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910943150.9
申请日：2019-09-30
Applicant: 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 , 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种负载钾肥缓释可降解的多孔材料及制备方法。本发明将粉碎后的百香果藤进行增孔处理，然后炭化得到生物质多孔基体材料；将淀粉、甘蔗水和马铃薯皮混合搅拌均匀，依次加入氧化剂、催化剂、加亚硫酸钾、聚乙烯醇、硼砂、氢氧化钠，得到包覆材料；将制备的生物质多孔基体材料与钾肥溶液混合，搅拌均匀，经超声处理后与包覆材料混合均匀，采用喷雾干燥机进行喷雾干燥，过筛，得到负载钾肥缓释可降解的多孔材料。本发明制备的负载钾肥缓释可降解的多孔材料是一种以生物质多孔材料为负载体，制备成本低，环保可降解，肥效时间更长的缓释钾肥。
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公开(公告)号：CN106098420B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201610587694.2
申请日：2016-07-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电触头表面镀层添加材料及电触头制造方法，所述镀层添加材料由处于缺氧状态且失氧量在0.1%到5%内的多种氧化物粉体混合组成，该多种氧化物粉体是由SnO2、ZnO、In2O3、La2O3、Bi2O3、Y2O3、Sc2O3、CeO2、WO3中的两种或多种组成。在上述添加材料中加入分散剂，以纯水为介质球磨得到固含量为5%到35%的悬浮液；然后将悬浮液加入到含银的电镀液中，得到复合电镀液，采用现有电镀工艺将金属电触头基体在上述复合电镀液中镀上一层表面镀层后制得成品电触头。本发明可以提升电镀时表面镀层中氧化物粉体的含量及均匀性，降低银使用量的同时提高电触头表面镀层抗电弧侵蚀和抑制温升。
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