公开(公告)号：CN113725374B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202110801218.7

申请日：2021-07-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 张小文 ,  姚登莉 ,  刘黎明 ,  王立惠 ,  卢宗柳

IPC: H10K50/17 ,  H10K85/60 ,  H10K50/11 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，公开了一种倒置结构OLED器件与制备方法，包括制备碳酸锂‑甲酸溶液；制备碳酸锂‑硼酸溶液；处理ITO透明阴极；在ITO透明阴极涂覆碳酸锂‑甲酸溶液和碳酸锂‑硼酸溶液中的一种，并退火得到电子注入层，最后在多源热蒸发系统依次沉积BPhen电子传输层、PBD发光层、CBP空穴传输层、MoO3空穴注入层和Al阳极，得到倒置结构OLED器件。碳酸锂‑甲酸作为电子注入层，基于PBD发光层，OLED器件表现出优异的光电器件性能，有5.24mW/cm2的最大辐射度和2.47％的EQE，碳酸锂‑甲酸层表现出优异的电子性能并有助于电子注入，从而提高了倒置结构OLED器件的电光性能。

公开(公告)号：CN116396749A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202310125666.9

申请日：2023-02-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 张小文 ,  唐义金 ,  刘钰伟 ,  姚登莉 ,  曾丽雅 ,  刘黎明

IPC: C09K11/65 ,  C09K11/88 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H10K50/115

Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域，具体涉及一种金属硒化物量子点及碳点的合成与发光器件制备方法，金属硒化物量子点及碳点的合成方法包括：制备共生金属硒化物量子点‑碳点溶液；制备纯碳点溶液；将超声剥离结合加热搅拌或水热反应制备共生金属硒化物量子点‑碳点分散液或纯碳点分散液，采用超声处理对金属硒化物或NMP或PEG等进行初次剪切和剥离；然后通过加热搅拌或水热反应的再次剪切和剥离，可合成量子点或碳点溶液，具有低成本的优点；再通过将量子点或碳点进行二次溶解分散，将共生金属硒化物量子点‑碳点溶液或纯碳点溶液用作发光层构建固态电致发光器件，解决了现有纯碳点发光器件效率低的问题。

公开(公告)号：CN114646670A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202210270430.X

申请日：2022-03-18

Applicant: 电子科技大学中山学院 ,  桂林电子科技大学

Inventor： 刘黎明 ,  惠裕充 ,  贾强生 ,  张小文 ,  姚登莉

IPC: G01N27/12

Abstract: 本申请涉及半导体气敏器件技术领域，具体提供了一种基于ZnO半导体的高灵敏的气敏器件的制备方法，该方法包括如下步骤：S1，制备ZnO纳米片；S2，制备基于ZnO半导体的气敏器件；S3，利用氢等离子体进行增敏处理。本发明提供一种无需贵金属掺杂的基于ZnO半导体的高灵敏的气敏器件的制备方法，有效降低制备成本；同时使用氢等离子体技术在ZnO半导体表面产生氧空位，从而提升气敏器件的灵敏度，灵敏度能够提高到原来的5倍以上，因此，本发明方法制备的气敏器件的灵敏度较高。另外，本发明方法制备的气敏器件还具有检测范围宽、使用方便的优点。

公开(公告)号：CN113725374A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202110801218.7

申请日：2021-07-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 张小文 ,  姚登莉 ,  刘黎明 ,  王立惠 ,  卢宗柳

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，公开了一种倒置结构OLED器件与制备方法，包括制备碳酸锂‑甲酸溶液；制备碳酸锂‑硼酸溶液；处理ITO透明阴极；在ITO透明阴极涂覆碳酸锂‑甲酸溶液和碳酸锂‑硼酸溶液中的一种，并退火得到电子注入层，最后在多源热蒸发系统依次沉积BPhen电子传输层、PBD发光层、CBP空穴传输层、MoO3空穴注入层和Al阳极，得到倒置结构OLED器件。碳酸锂‑甲酸作为电子注入层，基于PBD发光层，OLED器件表现出优异的光电器件性能，有5.24mW/cm2的最大辐射度和2.47％的EQE，碳酸锂‑甲酸层表现出优异的电子性能并有助于电子注入，从而提高了倒置结构OLED器件的电光性能。