公开(公告)号：CN114791445A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210463275.3

申请日：2022-04-28

Applicant: 电子科技大学中山学院 ,  桂林电子科技大学

Inventor： 刘黎明 ,  惠裕充 ,  贾强生 ,  易子川 ,  张小文 ,  曾丽雅

IPC: G01N27/12

Abstract: 本申请涉及半导体气体传感器领域，具体提供了一种贵金属修饰复合型气体传感器，包括基底层、电极层、金属氧化物半导体薄膜层、响应层，电极层包括一个正极和两个负极，金属氧化物半导体薄膜层包括第一金属氧化物半导体薄膜和两个第二金属氧化物半导体薄膜，响应层包括石墨烯薄膜和贵金属纳米颗粒。正极位于基底层中间位置，负极设置于基底层两侧，正极上方覆盖有第一金属氧化物半导体薄膜，两个负极上方覆盖有第二金属氧化物半导体薄膜。第一金属氧化物半导体薄膜上方固定设置有石墨烯薄膜，两个第二金属氧化物半导体薄膜上方均固定设置有贵金属纳米颗粒。

公开(公告)号：CN114791445B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202210463275.3

申请日：2022-04-28

Applicant: 电子科技大学中山学院 ,  桂林电子科技大学

Inventor： 刘黎明 ,  惠裕充 ,  贾强生 ,  易子川 ,  张小文 ,  曾丽雅

IPC: G01N27/12

Abstract: 本申请涉及半导体气体传感器领域，具体提供了一种贵金属修饰复合型气体传感器，包括基底层、电极层、金属氧化物半导体薄膜层、响应层，电极层包括一个正极和两个负极，金属氧化物半导体薄膜层包括第一金属氧化物半导体薄膜和两个第二金属氧化物半导体薄膜，响应层包括石墨烯薄膜和贵金属纳米颗粒。正极位于基底层中间位置，负极设置于基底层两侧，正极上方覆盖有第一金属氧化物半导体薄膜，两个负极上方覆盖有第二金属氧化物半导体薄膜。第一金属氧化物半导体薄膜上方固定设置有石墨烯薄膜，两个第二金属氧化物半导体薄膜上方均固定设置有贵金属纳米颗粒。

公开(公告)号：CN116396749A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202310125666.9

申请日：2023-02-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 张小文 ,  唐义金 ,  刘钰伟 ,  姚登莉 ,  曾丽雅 ,  刘黎明

IPC: C09K11/65 ,  C09K11/88 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H10K50/115

Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域，具体涉及一种金属硒化物量子点及碳点的合成与发光器件制备方法，金属硒化物量子点及碳点的合成方法包括：制备共生金属硒化物量子点‑碳点溶液；制备纯碳点溶液；将超声剥离结合加热搅拌或水热反应制备共生金属硒化物量子点‑碳点分散液或纯碳点分散液，采用超声处理对金属硒化物或NMP或PEG等进行初次剪切和剥离；然后通过加热搅拌或水热反应的再次剪切和剥离，可合成量子点或碳点溶液，具有低成本的优点；再通过将量子点或碳点进行二次溶解分散，将共生金属硒化物量子点‑碳点溶液或纯碳点溶液用作发光层构建固态电致发光器件，解决了现有纯碳点发光器件效率低的问题。