公开(公告)号：CN102388438A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201080015705.0

申请日：2010-04-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田洁 ,  土师宏

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L24/27 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68322 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 公开一种用于处理基板的方法，通过该方法用于利用等离子处理蚀刻的掩膜可以低成本地形成。还公开一种用于生产半导体芯片的方法。当用于其中半导体晶片(1)通过使用等离子处理的蚀刻分成分离的半导体芯片(1e)的等离子切割的掩膜形成时，由液体排斥膜(3)组成的液体排斥图案通过施加液体排斥液体到后表面(1b)的区域而形成，所述区域为蚀刻的对象。此后，首先低粘度树脂(4a)然后高粘度树脂(4b)供应到设置有液体排斥图案的后表面(1b)，从而在其中没有液体排斥膜(3)的区域形成树脂膜(4)，该树脂膜具有比液体排斥膜(3)更大的膜厚度。然后，树脂膜(4)被熟化，从而形成掩膜(4*)，该掩膜(4*)覆盖不同于通过蚀刻被移除区域的区域。结果，用于蚀刻的掩膜可以低成本地形成而不用高成本方法例如照相平版方法。

公开(公告)号：CN101796628A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200880024771.7

申请日：2008-08-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田洁 ,  钟贝笃史

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336

Abstract: 提供了能够防止碎裂的分割半导体晶片的方法。半导体晶片1被分割为圆环形区域1a和位于该环形区域1a的内侧的分割区域。包含在该分割区域中的半导体晶片1沿着多个垂直的切割线4被切割为格形，并被分割成多个芯片2。另一方面，包含在环形区域1a中的半导体晶片1沿着经过半导体晶片1的中心O的、与所述切割线4平行延伸的两条划分线5被切割，并被划分为4个独立区域。

公开(公告)号：CN100456449C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200680001055.8

申请日：2006-07-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田洁

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78

Abstract: 一种制造半导体芯片的方法，该方法是通过从半导体晶片切割单个半导体器件而进行的，利用研磨头机械掩膜为等离子体切割而形成的掩膜，在等离子体切割中，通过进行等离子体蚀刻分割半导体晶片。于是，通过利用机械研磨去除用于等离子体切割的掩膜，防止了在去除掩膜时产生反应产物，使得切割可以在不会由于积累颗粒而导致质量下降的情况下进行。

公开(公告)号：CN101044613A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200680001055.8

申请日：2006-07-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田洁

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78

Abstract: 一种制造半导体芯片的方法，该方法是通过从半导体晶片切割单个半导体器件而进行的，利用研磨头机械掩膜为等离子体切割而形成的掩膜，在等离子体切割中，通过进行等离子体蚀刻分割半导体晶片。于是，通过利用机械研磨去除用于等离子体切割的掩膜，防止了在去除掩膜时产生反应产物，使得切割可以在不会由于积累颗粒而导致质量下降的情况下进行。

公开(公告)号：CN101002315A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200580025755.6

申请日：2005-07-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 土师宏 ,  有田洁 ,  西中辉明

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在其中形成有多个半导体器件的半导体晶片的掩膜放置侧表面上放置掩膜，同时限定用于将所述半导体晶片分割成为各个分开的半导体器件的分割线，并且，在各个半导体器件中，缺陷半导体器件的表面被局部暴露，且然后通过对所述半导体晶片的掩膜放置侧表面实施等离子蚀刻，从而沿着所限定的分割线将所述半导体晶片分割成为各个半导体器件，并将缺陷半导体器件的暴露部去除，以便形成去除部作为缺陷半导体器件区分标记。

公开(公告)号：CN1306564C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200480001162.1

申请日：2004-01-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田洁

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/68 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327

Abstract: 在其中半导体晶片(6)通过等离子体被分为单独片的等离子体切片工艺中，形成的覆盖有源层(41)的SiO2层(42)和保护层(43)被用作蚀刻阻挡层，用于缓冲在其中蚀刻且切开晶片基层(40)的第一等离子体切片步骤中的蚀刻速率波动。然后，进行第二等离子体切片步骤，其中用能够以高蚀刻速率蚀刻的第二等离子体产生气体切断由第一蚀刻切片步骤所暴露的蚀刻阻挡层，且防止当保护片(30)长时间暴露于等离子体时导致的热损伤。

公开(公告)号：CN1302512C

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN02812684.X

申请日：2002-06-24

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  黑崎播磨株式会社

Inventor： 有田洁 ,  岩井哲博 ,  土师宏 ,  酒见省二 ,  俣野泰司 ,  佐藤信博

IPC: H01J37/32

CPC classification number: C23C16/45568 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/3065

Abstract: 在一种等离子体处理装置中，一种具有三维网状网状结构的陶瓷多孔材料被用作为等离子体处理装置的电极元件材料，其中由含氧化铝的陶瓷所形成的框架部分被连续设置成类似一种三维网状物，该电极元件待安装于用于产生等离子体的电极的气体供给喷口的正面，并且使用于产生等离子体的气体通过以不规则方式形成于三维网状结构上的开孔部分。结果，使供给的气体分布均匀，以便防止异常放电，可进行无偏差的均匀蚀刻。

公开(公告)号：CN1823411A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200480020648.X

申请日：2004-07-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田洁 ,  岩井哲博 ,  中川显

IPC: H01L21/68

Abstract: 对晶片的与电路形成表面相对的表面进行蚀刻加工的等离子加工设备，包括环形的陶瓷绝缘薄膜(26，27)，该陶瓷绝缘薄膜与大晶片(6A)或小晶片(6B)的外边缘相谐调地位于电极元件(3)的安装面(3b)上。当采用大晶片时，附接环元件(29)。当采用小晶片时，安装阻挡元件(9)以遮蔽沉积在安装面(3b)上的绝缘薄膜之间的间隙，并覆盖吸入孔(3c)。此外，附接盖元件(25)以从顶部覆盖阻挡元件。以该布置，可以用同一电极元件对不同尺寸的晶片进行等离子加工。

公开(公告)号：CN1249777C

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN02811860.X

申请日：2002-08-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田洁 ,  岩井哲博 ,  寺山纯一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J2237/20 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/6833

Abstract: 在一种用于对硅晶片(6)实施等离子体处理的等离子体处理装置中，该硅晶片(6)具有粘附于电路形成面上的保护带(6a)，且该硅晶片(6)安装于一安装表面(3d)上，该安装表面设置于由导电金属形成的下电极(3)的上表面上，且保护带(6a)转向该安装表面(3d)。当一直流电压藉由供静电吸附用的直流电源部(18)施加于下电极(3)上以在等离子体处理中吸附且固定该硅晶片(6)于该下电极(3)上时，该保护带(6a)被用作供静电吸附用的介电材料。因而，该介电材料可尽量地薄，且该硅晶片(6)可被足够的静电保持力固定。

公开(公告)号：CN1701435A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200480001162.1

申请日：2004-01-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田洁

IPC: H01L21/784 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327

Abstract: 在其中半导体晶片6通过等离子体被分为单独片的等离子体解理工艺中，形成的覆盖有源层41的SiO2层42和保护层43被用作蚀刻阻挡层，用于缓冲在其中蚀刻且切开晶片基层40的第一等离子体解理步骤中的蚀刻速率波动。然后，进行第二等离子体解理步骤，其中用能够以高蚀刻速率蚀刻的第二等离子体产生气体切断由第一蚀刻解理步骤所暴露的蚀刻阻挡层，且防止当保护片30长时间暴露于等离子体时导致的热损伤。