公开(公告)号：CN103890953A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280050068.X

申请日：2012-11-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田正雄 ,  堀川信之 ,  田中康太郎 ,  清泽努

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/105 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7828

Abstract: 在半导体元件(100)中，第2导电型的体区域(103)包括与第1碳化硅半导体层(102)的表面相连的第1体区域(103a)、和与第2导电型的体区域(103)的底面相连的第2体区域(103b)。第1体区域的杂质浓度是第2体区域的杂质浓度的2倍以上。作为沟道层的第1导电型的第2碳化硅半导体层(106)在与半导体基板(101)垂直的方向上具有杂质浓度的分布，与栅极绝缘膜(107)相连的一侧的杂质浓度小于与第1体区域(103a)相连的一侧的杂质浓度。

公开(公告)号：CN103548142A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280009601.8

申请日：2012-09-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 庭山雅彦 ,  内田正雄

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/046 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 本申请所公开的半导体元件的制造方法包含：工序(A)，在半导体基板上形成第1导电型的第1碳化硅半导体层；工序(B)，在第1碳化硅半导体层上形成对体区域进行规定的第1掩模；工序(C)，使用第1掩模，在第1碳化硅半导体层中形成第2导电型的体注入区域；工序(D)，在第1掩模的侧面形成侧壁；工序(E)，使用第1掩模及侧壁，在第1碳化硅半导体层中形成第1导电型的杂质注入区域及第2导电型的第1体注入区域；和工序(F)，对第1碳化硅半导体层进行热处理。

公开(公告)号：CN102782804A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201180011729.3

申请日：2011-05-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田正雄 ,  林将志

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明的半导体芯片(18)是形成有功率半导体装置(10)，且具备由六方晶系半导体构成的半导体基板的半导体芯片(18)，半导体基板在主面上具有矩形形状，对矩形进行规定的2边的长度a以及b相等，并且，半导体基板的与2边平行的方向上的线膨胀系数彼此相等。

公开(公告)号：CN102668094A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201180005084.2

申请日：2011-10-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田正雄

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/046 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明的半导体元件具备：第1导电型的半导体基板；半导体基板上的第1导电型的第1碳化硅半导体层；第1碳化硅半导体层内的第2导电型的体区域；体区域内的第1导电型的杂质区域；第1碳化硅半导体层上的第1导电型的第2碳化硅半导体层；第2碳化硅半导体层上的栅极绝缘膜；栅极绝缘膜上的栅电极；与杂质区域连接的第1欧姆电极；和半导体基板背面的第2欧姆电极。体区域包括第1体区域以及第2体区域，第1体区域的平均杂质浓度为第2体区域的平均杂质浓度的2倍以上，所述杂质区域的底面，位于比所述第1体区域的底面更深的位置。

公开(公告)号：CN102473645A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080035030.6

申请日：2010-08-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 桥本浩一 ,  安达和广 ,  楠本修 ,  内田正雄 ,  风间俊

IPC: H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H02M1/08 ,  H02M7/5387

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7838 ,  H02M7/5387 ,  Y02B70/1483

Abstract: 本发明提供一种包括MISFET的半导体元件(100)，特征在于具有经过了沟道外延层(50)的逆向的二极管的特性。半导体元件(100)具备第1导电型的半导体层(20)、第2导电型的体区(30)、第1导电型的源极区(40)以及漏极区、与体区接触地形成的沟道外延层(50)、源极电极(45)以及漏极电极(70)、栅极绝缘膜(60)、和栅极电极(65)。在施加给MISFET的栅极电极的电压小于阈值电压时，作为从源极电极(45)经过沟道外延层(50)向漏极电极(70)流动电流的二极管发挥功能。该二极管的接通电压的绝对值小于由所述体区和所述第1碳化硅半导体层构成的体二极管的接通电压的绝对值。

公开(公告)号：CN102414818A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080018113.4

申请日：2010-04-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 安达和广 ,  楠本修 ,  内田正雄 ,  桥本浩一 ,  风间俊

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7828 ,  H03K17/145

Abstract: 本发明提供一种半导体元件、半导体装置及电力变换器。本发明的包括MISFET的半导体元件(100)具有经由沟道外延层(50)的反向二极管的特性。半导体元件(100)具备第1导电型的碳化硅半导体基板(10)、第1导电型的半导体层(20)、第2导电型的体区域(30)、第1导电型的源极区域(40)、与体区域相接形成的沟道外延层(50)、源极电极(45)、栅极绝缘膜(60)、栅极电极(65)、漏极电极(70)。在向MISFET的栅极电极施加的电压比阈值电压小的情况下，作为从源极电极(45)经由沟道外延层(50)向漏极电极(70)流动电流的二极管发挥作用。该二极管的上升电压的绝对值比由所述体区域和所述第1碳化硅半导体层构成的体二极管的上升电压的绝对值小。

公开(公告)号：CN101233615B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200680027399.6

申请日：2006-07-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北畠真 ,  楠本修 ,  内田正雄 ,  山下贤哉

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L21/822 ,  H01L29/47 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78 ,  H01L27/06 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7806 ,  H01L23/62 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7811 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/4868 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/4878 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48744

Abstract: 本发明提供一种半导体元件和一种电气设备。本发明的半导体元件(20)包括多个场效应晶体管(90)和肖特基电极(9a)，上述肖特基电极(9a)以沿着形成有上述多个场效应晶体管(90)的区域的外周的方式设置。

公开(公告)号：CN101842878A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200880105438.9

申请日：2008-10-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田正雄 ,  宇都宫和哉 ,  林将志

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种半导体元件，具有：碳化硅基板(11)，其具有主面以及背面；半导体层(12)，其形成于所述碳化硅基板的主面；以及背面欧姆电极层(1d)，其形成于所述碳化硅基板的背面，所述背面欧姆电极层(1d)具有：反应层(1da)，其位于所述碳化硅基板的背面侧并含有钛、硅以及碳；氮化钛层(1db)，其位于所述碳化硅基板的背面的相对侧。

公开(公告)号：CN101233616B

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：CN200680027400.5

申请日：2006-07-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北畠真 ,  楠本修 ,  内田正雄 ,  山下贤哉

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/12 ,  H01L21/822 ,  H01L29/47 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78 ,  H01L23/52 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7806 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7811 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/4868 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/4878 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体元件和电气设备，该半导体元件(20)具有场效应晶体管(90)、肖特基电极(9a)和多个接合垫(12S、12G)，上述多个接合垫(12S、12G)中至少一个以位于上述肖特基电极(9a)的上方的方式配置。

公开(公告)号：CN100472736C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200410083545.X

申请日：2004-10-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山下贤哉 ,  北畠真 ,  楠本修 ,  高桥邦方 ,  内田正雄 ,  宫永良子

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/518 ,  H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7828

Abstract: 一种碳化硅—氧化物层叠体的制造方法，通过热氧化处理，在SiC基板(10)上形成作为主要由SiO2构成的氧化物层即栅极绝缘膜(7’)之后，在腔室(20)内的惰性气体气氛中进行退火。此后，在设置有真空泵(31)的腔室(30)内设置SiC基板(10)，并在超过1100℃且不足1250℃的高温下，将碳化硅—氧化物层叠体A暴露于被减压的NO气体气氛中，则氮会扩散到栅极绝缘膜(7’)内，从而可获得在下部具有氮浓度高的区域且相对介电常数在3.0以上的、作为含V族元素氧化物层的栅极绝缘膜(7)。也可以降低含V族元素氧化物层—碳化硅层之间的界面区域的界面能级密度。本发明提供一种用于制作低损耗且高可靠性的MISFET等的碳化硅—氧化物层叠体，及其制造方法以及半导体装置。