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公开(公告)号：CN102473645A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080035030.6
申请日：2010-08-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L27/04 , H01L29/12 , H01L29/78 , H02M1/08 , H02M7/5387
CPC classification number: H01L29/7828 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/78 , H01L29/7838 , H02M7/5387 , Y02B70/1483
Abstract: 本发明提供一种包括MISFET的半导体元件(100)，特征在于具有经过了沟道外延层(50)的逆向的二极管的特性。半导体元件(100)具备第1导电型的半导体层(20)、第2导电型的体区(30)、第1导电型的源极区(40)以及漏极区、与体区接触地形成的沟道外延层(50)、源极电极(45)以及漏极电极(70)、栅极绝缘膜(60)、和栅极电极(65)。在施加给MISFET的栅极电极的电压小于阈值电压时，作为从源极电极(45)经过沟道外延层(50)向漏极电极(70)流动电流的二极管发挥功能。该二极管的接通电压的绝对值小于由所述体区和所述第1碳化硅半导体层构成的体二极管的接通电压的绝对值。
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公开(公告)号：CN102414818A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080018113.4
申请日：2010-04-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/7805 , H01L29/7827 , H01L29/7828 , H03K17/145
Abstract: 本发明提供一种半导体元件、半导体装置及电力变换器。本发明的包括MISFET的半导体元件(100)具有经由沟道外延层(50)的反向二极管的特性。半导体元件(100)具备第1导电型的碳化硅半导体基板(10)、第1导电型的半导体层(20)、第2导电型的体区域(30)、第1导电型的源极区域(40)、与体区域相接形成的沟道外延层(50)、源极电极(45)、栅极绝缘膜(60)、栅极电极(65)、漏极电极(70)。在向MISFET的栅极电极施加的电压比阈值电压小的情况下，作为从源极电极(45)经由沟道外延层(50)向漏极电极(70)流动电流的二极管发挥作用。该二极管的上升电压的绝对值比由所述体区域和所述第1碳化硅半导体层构成的体二极管的上升电压的绝对值小。
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公开(公告)号：CN101904080A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200880121370.3
申请日：2008-12-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 风间俊
CPC classification number: H02M7/53875 , H02M3/1588 , Y02B70/1466
Abstract: 本发明的电力变换装置具有：MOSFET(12)，并联沟道(12b)和体二极管(12a)，该沟道(12b)按照控制信号(C1)导通而形成电感线圈(16)的再生电流的流路，该体二极管(12a)以电感线圈(16)的再生电流的方向为正向；分流电阻(2)和电压测量器(9)，测量流过MOSFET(12)的电流量(Imeas)；阈值指定部(7)，指定阈值电流量(Ithresh)；同步整流禁止电路(4)，在分流电阻(2)和电压测量器(9)所测量的电流量(Imeas)大于阈值指定部(7)所指定的阈值电流量(Ithresh)时，禁止向MOSFET(12)供给控制信号(C1)。
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公开(公告)号：CN102017386B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN200980105239.2
申请日：2009-12-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H02M7/537
CPC classification number: H02M1/28
Abstract: 本发明是提供一种功率转换电路。在进行高频动作的该功率转换电路中，下臂侧栅极驱动电路(24u)的断开电压控制电路(101u)，在从下臂(22u)的断开动作结束的时刻到上臂(21u)的接通动作开始为止的期间，使栅极驱动电源(103u)输出的电压变化为比规定的断开电压低的电压，之后，若上臂(21u)的接通动作结束，则立刻以将所述栅极驱动电源(103u)输出的电压返回到规定的断开电压的方式进行控制。因此，能够抑制由高电压变化dv/dt引起而发生的上下臂的短路动作，并且提高构成功率转换电路的开关元件的寿命，实现功率转换电路的高可靠性。
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公开(公告)号：CN103219382B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201310093194.X
申请日：2010-04-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/24 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/7805 , H01L29/7827 , H01L29/7828 , H03K17/145
Abstract: 本发明提供一种半导体元件、半导体装置及电力变换器。本发明的包括MISFET的半导体元件(100)具有经由沟道外延层(50)的反向二极管的特性。半导体元件(100)具备第1导电型的碳化硅半导体基板(10)、第1导电型的半导体层(20)、第2导电型的体区域(30)、第1导电型的源极区域(40)、与体区域相接形成的沟道外延层(50)、源极电极(45)、栅极绝缘膜(60)、栅极电极(65)、漏极电极(70)。在向MISFET的栅极电极施加的电压比阈值电压小的情况下，作为从源极电极(45)经由沟道外延层(50)向漏极电极(70)流动电流的二极管发挥作用。该二极管的启动电压的绝对值比由所述体区域和所述第1碳化硅半导体层构成的体二极管的启动电压的绝对值小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102273058B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201080003875.7
申请日：2010-11-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H02M7/53871 , B60L1/003 , B60L1/02 , B60L11/1803 , B60L15/08 , B60L2210/40 , B60L2220/14 , B60L2220/16 , B60L2220/46 , B60L2270/147 , H02M2001/008 , H02P27/08 , Y02T10/644 , Y02T10/645 , Y02T10/7005 , Y02T10/7241 , Y10T307/406
Abstract: 本发明提供了一种小尺寸负载驱动系统，其在甚至具有三个三相逆变器的情况下显著减小噪声而不管控制占空比。该负载驱动系统包括三相逆变器301至303，以及第一、第二和第三控制单元401至403。该逆变器301至303被分别连接到负载211至213。第一控制单元401生成锯齿波电压并且根据该锯齿波电压控制逆变器301。第二控制单元402生成逆锯齿波电压并且根据逆锯齿波电压来控制逆变器302。第三控制单元403生成三角波电压，其具有分别等于锯齿/逆锯齿波电压的斜面并且具有相同相位或相对于锯齿/逆锯齿波电压异相半个周期，并且还根据三角波电压控制逆变器303。
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公开(公告)号：CN102171919B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201080002772.9
申请日：2010-07-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种由变换器、电容器及逆变器结构的电力变换装置，抑制流过电容器的脉动电流。在电容器(5)与逆变器电路(7)之间插入电流传感器(6)，检测从电容器(5)流到逆变器电路(7)的电流Iinv。频率检测部(11)对Iinv的电流波形实施高速傅立叶变换，检测具有最大振幅的频率分量的频率。另外，相位检测部(12)从Iinv的电流波形中检测具有所述最大振幅的频率分量的零交叉点。之后，载波信号控制部(13)进行控制，使用于驱动变换器电路(4)的PWM载波信号的频率及上升定时与频率检测部(11)及相位检测部(12)检测到的所述频率及所述零交叉点一致。
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公开(公告)号：CN102171919A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201080002772.9
申请日：2010-07-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种由变换器、电容器及逆变器结构的电力变换装置，抑制流过电容器的脉动电流。在电容器(5)与逆变器电路(7)之间插入电流传感器(6)，检测从电容器(5)流到逆变器电路(7)的电流Iinv。频率检测部(11)对Iinv的电流波形实施高速傅立叶变换，检测具有最大振幅的频率分量的频率。另外，相位检测部(12)从Iinv的电流波形中检测具有所述最大振幅的频率分量的零交叉点。之后，载波信号控制部(13)进行控制，使用于驱动变换器电路(4)的PWM载波信号的频率及上升定时与频率检测部(11)及相位检测部(12)检测到的所述频率及所述零交叉点一致。
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公开(公告)号：CN103222175A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180021208.6
申请日：2011-06-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03K17/164 , H02M1/15 , H02M7/497 , H02M7/5387
Abstract: 本发明提供能有效地抑制开关噪声的电力变换装置。本发明具备电容器（111）、与其并联连接的开关元件（Q11a、Q11b）和个别地控制开关元件（Q11a、Q11b）中的开关动作的控制器（105），形成有包含开关元件（Q11a）和电容器（111）的闭合电路以及包含开关元件（Q11b）和电容器（111）的闭合电路，控制器（105）以使振铃电压在各闭合电路间相互抵消的方式使开关动作的定时相互错开，所述振铃电压因在开关元件（Q11a、Q11b）中进行的导通或者截止的开关动作而在上述各闭合电路中产生，并分别具有由包含在各闭合电路中的电感和包含在该闭合电路中的开关元件的输出电容规定的频率。
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公开(公告)号：CN103219382A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310093194.X
申请日：2010-04-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/24 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/7805 , H01L29/7827 , H01L29/7828 , H03K17/145
Abstract: 本发明提供一种半导体元件、半导体装置及电力变换器。本发明的包括MISFET的半导体元件(100)具有经由沟道外延层(50)的反向二极管的特性。半导体元件(100)具备第1导电型的碳化硅半导体基板(10)、第1导电型的半导体层(20)、第2导电型的体区域(30)、第1导电型的源极区域(40)、与体区域相接形成的沟道外延层(50)、源极电极(45)、栅极绝缘膜(60)、栅极电极(65)、漏极电极(70)。在向MISFET的栅极电极施加的电压比阈值电压小的情况下，作为从源极电极(45)经由沟道外延层(50)向漏极电极(70)流动电流的二极管发挥作用。该二极管的启动电压的绝对值比由所述体区域和所述第1碳化硅半导体层构成的体二极管的启动电压的绝对值小。
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