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公开(公告)号：CN105074411B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201480019015.0
申请日：2014-03-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： A·帕加尼
Abstract: 本发明涉及一种在半导体材料芯片上的集成电子设备(400；400a；500、500’；600、600’；700、700’)，用于检测与在固体结构内在预定方向(d)上施加的力(F)相关的压力。该设备包括：‑集成元件(51)，由与力的施加的方向(d)基本上正交的芯片的操作表面(52)限定；‑第一传导性元件(53)和第二传导性元件(54)，被容纳在集成元件(51)内并且被配置为面对操作表面；‑测量模块(55)，被容纳在集成元件内并且包括分别被连接到第一传导性元件(53)和第二传导性元件(54)的第一测量端子(56)和第二测量端子(57)；‑检测元件(58)，被布置在预定方向(d)上以使得操作表面(52)被夹设在第一传导性元件(53)和第二传导性元件(54)与这一检测元件(58)之间；‑绝缘层(59)，适于涂覆至少操作表面以便使第一传导性元件(53)和第二传导性元件(54)电流绝缘。该设备包括至少被夹设在检测元件(58)和绝缘层(59)之间的介电材料的层(510、510’)。该介电材料的层在预定方向上的力(F)的施加之后是弹性地可变形的以便改变在检测元件(58)与上述第一传导性元件(53)和第二传导性元件(54)之间的电磁耦合。
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公开(公告)号：CN106323513A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510829024.2
申请日：2015-11-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及测量设备的差分法向压力的压力传感器设备及相关方法。一种压力传感器设备，位于测量机械参数的材料内。压力传感器设备可包括IC，IC包括：环形振荡器，具有包括第一掺杂和第二掺杂压敏电阻器对的反相器级。每个压敏电阻器对均可以包括相对垂直布置且具有相同电阻值的两个压敏电阻器。每个压敏电阻器对均可以具有响应于压力的第一和第二电阻值。IC可包括输出接口，耦合至环形振荡器，并且被配置为生成基于第一和第二电阻值以及表示垂直于IC的压力的压力输出信号。
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公开(公告)号：CN105699631A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510824999.6
申请日：2015-11-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01N33/38
CPC classification number: H01L23/562 , G01R31/2872 , H01L21/76224 , H01L22/14 , H01L23/585 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , G01N33/383
Abstract: 本公开涉及具有绝缘沟槽的IC及相关的方法。一种IC可以包括：半导体衬底，半导体衬底具有形成在衬底中的电路；在半导体衬底上方并且具有耦合到电路的天线的互连层；以及在互连层的外围周围的密封环。IC可以包括竖直地延伸到半导体衬底中并且从半导体衬底的相邻的一侧向半导体衬底的相邻的另一侧横向地延伸跨过半导体衬底的电绝缘沟槽。
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公开(公告)号：CN105509932A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510649857.0
申请日：2015-10-09
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： A·帕加尼
IPC: G01L1/00
Abstract: 本公开涉及压力传感器与测试器件以及相关方法。压力传感器用于定位在结构内。压力传感器可以包括具有响应于弯曲的压力传感器电路和耦合到压力传感器电路的收发器电路的压力传感器集成电路(IC)。压力传感器可以包括在其中具有凹陷、耦合到压力传感器IC的支撑体，使得压力传感器IC在压力传感器IC受到外部压力时向凹陷内弯曲。
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公开(公告)号：CN105102970A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201480018992.9
申请日：2014-03-28
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01N27/22
Abstract: 描述了一种用于检测与设备周围的环境的湿度和/或水的存在和/或酸度/碱度相关的至少一种参数的集成电子设备1。这类集成电子设备包括：与周围环境的分隔层14，该分隔层14包括绝缘材料的至少一部分14；并且还包括由导电材料制成的第一传导性构件11和第二传导性构件12，第一传导性构件11和第二传导性构件12相对于周围环境被布置在分隔层14内部，并且通过分隔层14与周围环境分隔。设备1还包括测量模块15，该测量模块15具有分别与第一传导性构件11和第二传导性构件12电连接的两个测量端子151、152，该测量模块15被配置为提供第一传导性构件11和第二传导性构件12之间的电势差。设备1还包括被配置为充当电极的电极装置13，该电极装置13相对于第一传导性构件11和第二传导性构件12被布置在分隔层14的外部；该电极装置13被布置以便与第一传导性构件11和第二传导性构件12形成电磁电路，该电磁电路具有基于对具有可变水平的湿度和/或酸度/碱度的环境状况的暴露而可变的电磁电路总阻抗。测量模块15被配置为测量存在于测量端子151、152之间的电磁电路总阻抗，并且基于电磁电路总阻抗来确定至少一种参数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102782839B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201180008062.1
申请日：2011-02-16
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： A·帕加尼
IPC: H01L23/544
CPC classification number: G01R31/275 , G01R31/2853 , H01L21/76898 , H01L22/34 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于执行至少通孔(10)的电测试的测试系统，该通孔(10)至少部分地延伸通过半导体材料的主体(2)的衬底(3)并且具有掩埋在衬底(3)中并且从主体(2)的外部不可访问的第一末端(10b)。该测试系统具有电测试电路(22)，该电测试电路(22)集成在主体(2)中并且电耦合到通孔(10)并且电耦合到由主体(2)承载的、用于朝向外部的电连接元件(8)；电测试电路(22)具有集成在衬底(3)中的掩埋微电子结构(28)以便电耦合到通孔(10)的第一末端(10b)，从而在衬底(3)中关闭电路径并且允许通过电连接装置(8)检测通孔(10)的至少一个电参数。
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公开(公告)号：CN104749718A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410844544.6
申请日：2014-12-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G02B6/4214 , G01J1/0209 , G01J1/0407 , G02B6/4202
Abstract: 提供了一种具有波导的集成光电子器件和系统以及其制造方法。集成电子器件由第一表面和第二表面界定，并且包括：由半导体材料制成的本体，在本体内部形成在探测器和发射器之间选择的至少一个光电子部件；以及光学路径，该光学路径至少部分地为引导类型的并且在第一表面和第二表面之间延伸，光学路径穿过本体。光电子部件通过光学路径光学耦合到自由空间的第一部分和自由空间的第二部分，该自由空间的第一部分和第二部分被分别布置在第一表面上方和第二表面下方。
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公开(公告)号：CN104285131A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201380024932.3
申请日：2013-05-23
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G01D11/245 , B28B23/0031 , G01K17/00 , G01L1/18 , G01M5/00 , G01N33/383
Abstract: 本发明描述了一种用于设备(100)的封装体(15)，该设备可插入在固体结构(300)中以用于检测和监控一个或多个局部参数。封装体(15)由建筑材料制成，该建筑材料由微米或亚微米尺寸的颗粒形成。进一步描述了一种用于检测和监控固体结构内的一个或多个局部参数的设备(100)。设备(100)包括具有至少一个集成传感器(10)的集成检测模块(1)，以及具有如上所述特性的封装体(15)，该封装体设置以便于覆盖设备(100)的包括集成检测模块(1)的至少一部分。也描述了一种用于制造设备(100)的方法，以及用于监控包括该设备(100)的固体结构(300)中参数的系统(200)。
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公开(公告)号：CN101946182A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200880127253.8
申请日：2008-12-19
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： A·帕加尼
IPC: G01R1/073
CPC classification number: G01R31/2889 , B62M25/04 , G01R1/0491 , G01R1/06727 , G01R1/07342
Abstract: 一种适合于测试集成在半导体材料晶片的相应的至少一个管芯(145)上的至少一个集成电路的探针卡(105)，所述探针卡包括适合于耦合到测试器装置的板(125’)和耦合到所述板的多个探针(225)，其中，所述探针卡包括多个可替换基本单元(135’)，每个包括用于接触受测试的集成电路(145)的外部可接近端子的至少一个所述探针，所述多个可替换基本单元被布置为对应于包含要测试的集成电路的半导体材料晶片上的至少一个管芯的布置。
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公开(公告)号：CN108711953B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201810588077.3
申请日：2013-09-25
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： A·帕加尼
IPC: H02J50/20
Abstract: 一种建筑结构，包括建筑材料块和掩埋于建筑材料块中的磁回路。该结构还包括掩埋于建筑材料块中的多个感测设备。每个感测设备可以包括与磁回路磁耦合的无接触功率供应电路，以在磁回路承受可变磁场时生成供应电压。
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