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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108562842A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810234290.4
申请日：2015-11-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01R31/28 , H01L21/66 , H01L21/762 , H01L23/00 , H01L23/58
Abstract: 本公开涉及具有绝缘沟槽的IC及相关的方法。一种IC可以包括：半导体衬底，半导体衬底具有形成在衬底中的电路；在半导体衬底上方并且具有耦合到电路的天线的互连层；以及在互连层的外围周围的密封环。IC可以包括竖直地延伸到半导体衬底中并且从半导体衬底的相邻的一侧向半导体衬底的相邻的另一侧横向地延伸跨过半导体衬底的电绝缘沟槽。
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公开(公告)号：CN108562842B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201810234290.4
申请日：2015-11-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01R31/28 , H01L21/66 , H01L21/762 , H01L23/00 , H01L23/58
Abstract: 本公开涉及具有绝缘沟槽的IC及相关的方法。一种IC可以包括：半导体衬底，半导体衬底具有形成在衬底中的电路；在半导体衬底上方并且具有耦合到电路的天线的互连层；以及在互连层的外围周围的密封环。IC可以包括竖直地延伸到半导体衬底中并且从半导体衬底的相邻的一侧向半导体衬底的相邻的另一侧横向地延伸跨过半导体衬底的电绝缘沟槽。
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公开(公告)号：CN105699631B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201510824999.6
申请日：2015-11-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01N33/38
CPC classification number: H01L23/562 , G01R31/2872 , H01L21/76224 , H01L22/14 , H01L23/585 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开涉及具有绝缘沟槽的IC及相关的方法。一种IC可以包括：半导体衬底，半导体衬底具有形成在衬底中的电路；在半导体衬底上方并且具有耦合到电路的天线的互连层；以及在互连层的外围周围的密封环。IC可以包括竖直地延伸到半导体衬底中并且从半导体衬底的相邻的一侧向半导体衬底的相邻的另一侧横向地延伸跨过半导体衬底的电绝缘沟槽。
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公开(公告)号：CN105699631A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510824999.6
申请日：2015-11-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01N33/38
CPC classification number: H01L23/562 , G01R31/2872 , H01L21/76224 , H01L22/14 , H01L23/585 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , G01N33/383
Abstract: 本公开涉及具有绝缘沟槽的IC及相关的方法。一种IC可以包括：半导体衬底，半导体衬底具有形成在衬底中的电路；在半导体衬底上方并且具有耦合到电路的天线的互连层；以及在互连层的外围周围的密封环。IC可以包括竖直地延伸到半导体衬底中并且从半导体衬底的相邻的一侧向半导体衬底的相邻的另一侧横向地延伸跨过半导体衬底的电绝缘沟槽。
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公开(公告)号：CN205248263U
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201520946134.2
申请日：2015-11-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L23/562 , G01R31/2872 , H01L21/76224 , H01L22/14 , H01L23/585 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开涉及集成电路。一种IC可以包括：半导体衬底，半导体衬底具有形成在衬底中的电路；在半导体衬底上方并且具有耦合到电路的天线的互连层；以及在互连层的外围周围的密封环。IC可以包括竖直地延伸到半导体衬底中并且从半导体衬底的相邻的一侧向半导体衬底的相邻的另一侧横向地延伸跨过半导体衬底的电绝缘沟槽。
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