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公开(公告)号：CN114070306A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110901982.1
申请日：2021-08-06
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及锁相环电路、对应的雷达传感器、交通工具和操作方法。PLL具有可调谐谐振器，该谐振器包括耦接在第一节点与第二节点之间的电感和可变电容以及可耦接在所述节点之间的电容。控制节点耦接到可变电容并接收用于调谐谐振器的控制信号。偏置电路偏置谐振器以生成输出。PFD电路感测输出相对于基准的定时偏移，并根据定时偏移的符号断言第一数字信号或第二数字信号。电荷泵基于第一数字信号和第二数字信号生成控制信号。定时器响应于在复位信号中感测到的脉冲而断言定时信号，并且在时间间隔之后解除断言定时信号。校准器响应于定时信号的断言，根据第二数字信号耦接第一节点与第二节点之间的选定电容。
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公开(公告)号：CN108562842B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201810234290.4
申请日：2015-11-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01R31/28 , H01L21/66 , H01L21/762 , H01L23/00 , H01L23/58
Abstract: 本公开涉及具有绝缘沟槽的IC及相关的方法。一种IC可以包括：半导体衬底，半导体衬底具有形成在衬底中的电路；在半导体衬底上方并且具有耦合到电路的天线的互连层；以及在互连层的外围周围的密封环。IC可以包括竖直地延伸到半导体衬底中并且从半导体衬底的相邻的一侧向半导体衬底的相邻的另一侧横向地延伸跨过半导体衬底的电绝缘沟槽。
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公开(公告)号：CN105699631A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510824999.6
申请日：2015-11-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01N33/38
CPC classification number: H01L23/562 , G01R31/2872 , H01L21/76224 , H01L22/14 , H01L23/585 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , G01N33/383
Abstract: 本公开涉及具有绝缘沟槽的IC及相关的方法。一种IC可以包括：半导体衬底，半导体衬底具有形成在衬底中的电路；在半导体衬底上方并且具有耦合到电路的天线的互连层；以及在互连层的外围周围的密封环。IC可以包括竖直地延伸到半导体衬底中并且从半导体衬底的相邻的一侧向半导体衬底的相邻的另一侧横向地延伸跨过半导体衬底的电绝缘沟槽。
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公开(公告)号：CN112910103B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202011405743.9
申请日：2020-12-03
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的各实施例涉及能量采集电路、对应的系统及操作方法。第一RF到DC电路接收射频信号，并且产生传递到能量存储电路的第一经转换的信号。第二RF到DC电路是第一RF到DC电路的向下缩放的副本，它从指示第一RF到DC电路的开路电压的射频信号产生第二经转换的信号。第一RF到DC部分包括N个子级，其中子级的子集是可选择性地启用的。第二经转换的信号的窗口比较生成第一信号和第二信号，第一信号和第二信号指示第二经转换的信号是否在与电压参考信号成比例的值的范围内。当所执行的窗口比较分别地具有第一结果和第二结果时，分别地选择性地停用或启用子级的子集。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114063078A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110903887.5
申请日：2021-08-06
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01S13/931 , G01S7/40 , H03L7/099
Abstract: 公开了振荡器电路、对应的雷达传感器、车辆和操作方法。一种振荡器，包括具有耦合在第一节点和第二节点之间的电感和可变电容的可调谐谐振电路，以及选择性地耦合在第一节点和第二节点之间的电容集。接收输入控制信号的输入控制节点耦合到可变电容和该组电容。可调谐谐振电路基于输入控制信号可调谐。偏置电路偏置可调谐谐振电路以在第一节点和第二节点之间产生可变频率输出信号。分压器产生不同的电压阈值的集，并且具有迟滞的比较器电路集将输入控制信号与该不同的电压阈值集进行比较，以产生控制信号集。电容集中的电容根据控制信号集中的控制信号选择性地耦合在第一节点和第二节点之间。
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公开(公告)号：CN108562842A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810234290.4
申请日：2015-11-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01R31/28 , H01L21/66 , H01L21/762 , H01L23/00 , H01L23/58
Abstract: 本公开涉及具有绝缘沟槽的IC及相关的方法。一种IC可以包括：半导体衬底，半导体衬底具有形成在衬底中的电路；在半导体衬底上方并且具有耦合到电路的天线的互连层；以及在互连层的外围周围的密封环。IC可以包括竖直地延伸到半导体衬底中并且从半导体衬底的相邻的一侧向半导体衬底的相邻的另一侧横向地延伸跨过半导体衬底的电绝缘沟槽。
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公开(公告)号：CN112910103A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202011405743.9
申请日：2020-12-03
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的各实施例涉及能量采集电路、对应的系统及操作方法。第一RF到DC电路接收射频信号，并且产生传递到能量存储电路的第一经转换的信号。第二RF到DC电路是第一RF到DC电路的向下缩放的副本，它从指示第一RF到DC电路的开路电压的射频信号产生第二经转换的信号。第一RF到DC部分包括N个子级，其中子级的子集是可选择性地启用的。第二经转换的信号的窗口比较生成第一信号和第二信号，第一信号和第二信号指示第二经转换的信号是否在与电压参考信号成比例的值的范围内。当所执行的窗口比较分别地具有第一结果和第二结果时，分别地选择性地停用或启用子级的子集。
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公开(公告)号：CN105699631B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201510824999.6
申请日：2015-11-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01N33/38
CPC classification number: H01L23/562 , G01R31/2872 , H01L21/76224 , H01L22/14 , H01L23/585 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开涉及具有绝缘沟槽的IC及相关的方法。一种IC可以包括：半导体衬底，半导体衬底具有形成在衬底中的电路；在半导体衬底上方并且具有耦合到电路的天线的互连层；以及在互连层的外围周围的密封环。IC可以包括竖直地延伸到半导体衬底中并且从半导体衬底的相邻的一侧向半导体衬底的相邻的另一侧横向地延伸跨过半导体衬底的电绝缘沟槽。
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公开(公告)号：CN205248263U
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201520946134.2
申请日：2015-11-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L23/562 , G01R31/2872 , H01L21/76224 , H01L22/14 , H01L23/585 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开涉及集成电路。一种IC可以包括：半导体衬底，半导体衬底具有形成在衬底中的电路；在半导体衬底上方并且具有耦合到电路的天线的互连层；以及在互连层的外围周围的密封环。IC可以包括竖直地延伸到半导体衬底中并且从半导体衬底的相邻的一侧向半导体衬底的相邻的另一侧横向地延伸跨过半导体衬底的电绝缘沟槽。
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