-
公开(公告)号：CN107835868A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201680030283.1
申请日：2016-06-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 梁奇伟 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 怡利·Y·叶
IPC: C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 提供一种处理腔室，包括侧壁、基板支撑件、以及设置于基板支撑件上方的排气口。在排气口与基板支撑件之间形成有处理区域，且排气口耦接到排气器件，排气器件经构造以在相对于处理区域的排气口处建立低压。处理腔室进一步包括气体环，气体环包括具有内表面的环形主体，内表面环绕环形区域。气体环进一步包括多个第一喷嘴，多个第一喷嘴耦接到第一气源，并经构造以将第一气体传递至处理区域。气体环进一步包括多个第二喷嘴，多个第二喷嘴耦接到第二气源，并经构造以将第二气体传递至处理区域。
-
公开(公告)号：CN119998487A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202380070863.3
申请日：2023-10-03
Applicant: 应用材料公司 , 加利福尼亚大学董事会
Abstract: 一种方法包括在第一介电层上形成导电材料，将导电材料暴露于苯胺以产生导电材料的钝化表面，以及在将导电材料暴露于苯胺之后，使用沉积工艺在第一介电层上形成第二介电层。该沉积工艺是无水且无等离子体的沉积工艺，并且第二介电层不在导电材料的钝化表面上形成。
-
公开(公告)号：CN119278507A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202380042928.3
申请日：2023-05-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 索哈姆·阿萨尼 , 巴加夫·S·西特拉 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 怡利·Y·叶
IPC: H01L21/762 , H01L21/02
Abstract: 本公开内容的实施方式涉及用于在基板特征内形成硅基间隙填充的方法。可流动的硅膜形成在该特征内，其底表面和顶表面的厚度大于侧壁表面的厚度。蚀刻等离子体从侧壁表面去除该硅膜。转换等离子体用于将硅膜转换为硅基间隙填充（例如，氧化硅）。在一些实施方式中，硅膜在从侧壁表面蚀刻之前，优先地（preferentially）在顶表面和底表面上被转换。
-
公开(公告)号：CN114540792B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202210051665.X
申请日：2018-07-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿达西·巴苏 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 怡利·Y·叶
Abstract: 描述用于沉积更高氮含量的氮化硅膜的方法。某些方法包括：将基板暴露于硅氮前驱物及氨等离子体，以形成可流动聚合物；和，然后固化该聚合物以形成氮化硅膜。某些方法在没有使用UV固化工艺的情况下固化可流动聚合物。也描述由上述方法生成的膜。
-
公开(公告)号：CN112673457B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN201980059660.8
申请日：2019-08-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 巴加夫·S·西特拉 , 杰思罗·塔诺斯 , 李景义 , 小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 华忠强 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 怡利·Y·叶
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , C23C16/455 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 本发明的实施方式提供了一种用于使用RF偏压脉冲以及远程等离子体源沉积来沉积介电材料的设备和方法，以用于制造半导体装置，特别是用于在半导体应用中填充具有高深宽比的开口。在一个实施方式中，一种沉积介电材料的方法包括：将气体混合物提供到处理腔室中，处理腔室中设置有基板；在远程等离子体源中形成远程等离子体并将远程等离子体输送到处理腔室中界定的内部处理区域；以脉冲模式将RF偏压功率施加到处理腔室；及在存在气体混合物和远程等离子体的情况下，在设置在基板上的材料层中界定的开口中形成介电材料。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112154534B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN201980034219.4
申请日：2019-04-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 苏坦·马立克 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 梁奇伟 , 阿迪卜·汗 , 马克西米利安·克莱蒙斯
IPC: H01L21/02 , C23C16/455 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/324 , H01L21/56
Abstract: 本文的系统和方法的实施方式涉及经由ALD或CVD在处理腔室的多个内部部件上原位形成保护膜。涂布有保护膜的内部部件包括腔室侧壁、腔室底部、基板支撑基座、喷头、和腔室顶部。保护膜可为具有包括非晶Si、碳硅烷、多晶硅、SiC、SiN、SiO2、Al2O3、AlON、HfO2、或Ni3Al的各种组成物，且在厚度上可从约80nm至约250nm变化。
-
公开(公告)号：CN118020141A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202280065304.9
申请日：2022-08-31
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 巴加夫·S·西特拉 , 索哈姆·阿萨尼 , 约书亚·鲁布尼茨 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 怡利·Y·叶
IPC: H01L21/02 , H01L21/311
Abstract: 示例处理方法可包括形成含硅前驱物的等离子体。此方法可包括以含硅前驱物的等离子体流出物在半导体基板上沉积可流动膜。处理区可至少部分地被限定在面板与基板支撑件之间，半导体基板坐落在基板支撑件上。可从偏压电源施加偏压功率至基板支撑件。此方法可包括在半导体处理腔室的处理区内形成含氢前驱物的等离子体。此方法可包括以含氢前驱物的等离子体流出物从半导体基板内的特征的侧壁蚀刻可流动膜。此方法可包括以含氢前驱物的等离子体流出物致密化限定在半导体基板内的特征内的剩余可流动膜。
-
公开(公告)号：CN111066134B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201880058055.4
申请日：2018-09-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿迪卜·汗 , 梁奇伟 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 托宾·卡芙曼·奥斯本
IPC: H01L21/67
Abstract: 本文提供一种用于输送气体至半导体处理系统的方法和设备。在一些实施方式中，该设备包含：气体入口管线，该气体入口管线具有入口阀；气体出口管线，该气体出口管线具有出口阀；气体流量控制器，该气体流量控制器经布置以控制通过该入口阀的流量；孔口，该孔口被包含在该气体出口管线、该出口阀、化学安瓿出口阀或出口隔离阀的至少一个内；化学安瓿，该化学安瓿流体耦接至该气体入口管线和该气体出口管线中的至少一个；和处理腔室。在一些实施方式中，该设备进一步包含：止回阀、一个或多个孔口和/或加热的转向管线。
-
公开(公告)号：CN115954255A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202310064701.0
申请日：2018-05-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 梁奇伟 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065 , C23C16/50 , H05H1/46 , C23C16/503 , C23C16/26 , C23C16/455 , H01L21/02 , H01Q9/40
Abstract: 等离子体反应器包括腔室主体、气体分配口、工件支撑件、天线阵列、和AC功率源，腔室主体具有提供等离子体腔室的内部空间，气体分配口用于将处理气体输送到等离子体腔室，工件支撑件用于保持工件，天线阵列包括部分延伸到等离子体腔室中的多个单极天线，AC功率源用于将第一AC功率供应到多个单极天线。
-
公开(公告)号：CN114540792A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210051665.X
申请日：2018-07-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿达西·巴苏 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 怡利·Y·叶
Abstract: 描述用于沉积更高氮含量的氮化硅膜的方法。某些方法包括：将基板暴露于硅氮前驱物及氨等离子体，以形成可流动聚合物；和，然后固化该聚合物以形成氮化硅膜。某些方法在没有使用UV固化工艺的情况下固化可流动聚合物。也描述由上述方法生成的膜。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
76
records
(took 0.03 seconds)
