-
公开(公告)号：CN116736447A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310760672.1
申请日：2023-06-27
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种光波导器件及硅光调制器，属于光波导领域，光波导器件包括总线波导、矩形波导及微环；矩形波导固定在总线波导上；矩形波导用于在总线波导中产生相位差；微环与矩形波导相对应，且微环与总线波导之间具有设定的耦合间隙；总线波导上对应微环及矩形波导的区域为耦合区域；输入光场从总线波导的输入端口输入，经耦合区域时耦合入微环谐振腔进行谐振，再从总线波导的输出端口输出。硅光调制器在光波导器件的基础上增加了金属电极、直流电源及光谱仪，金属电极设置在光波导器件的微环上；直流电源用于改变金属电极的电压值，以调制光强。本发明能够使每个共振波长都具有非对称性，提高了光波导器件的性能。
-
公开(公告)号：CN116699877A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310699135.0
申请日：2023-06-13
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种低电压高速信号驱动的可调光衰减器，包括：绝缘体上硅基层，所述绝缘体上硅基层包括顶部硅层和氧化物掩埋层，其中，在所述顶部硅层形成光波导，以及在所述顶部硅层位于所述光波导两侧，并沿所述光波导延伸的方向，串联阵列20个PN二极管。本发明用于光子芯片中高速信号的加载，调节光子计算芯片中光强大小，减少驱动所需功耗，实现光芯片中低电压高速信号的加载。
-
公开(公告)号：CN112634204A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011407416.7
申请日：2020-12-03
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于卷积神经网络的癌症边界智能识别方法，包括以下步骤：获取已知癌症组织的拉曼光谱并进行预处理、构建并训练基于卷积神经网络的模型、采集癌症区域的拉曼光谱数据，判断癌症边界，该方法有效的解决的癌症组织边界判断不准确导致的癌症组织切除不完全，或是过度切除破坏正常组织结构的问题。
-
公开(公告)号：CN120065408A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510217430.7
申请日：2025-02-26
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明涉及光纤传感技术领域，公开了基于榫卯结构的耐辐照传感器无胶化装配封装方法，包括以下步骤：步骤一，对待封装的光纤光栅用无水酒精擦拭，去除浮尘及碎屑，将光纤光栅放入装有去离子水的超声波清洗仪中进行清洗，清洗完成后使用氮气吹干，步骤二，将封装结构下装配体固定在封装固定系统上，将光纤光栅放置于下装配体与上装配体之间预留的光纤槽自锁结构上，且使光纤光栅位于下装配体正中央。通过采用全金属钽封装结构，通过榫卯机械互锁和无胶化密封设计，彻底避免胶体老化、蠕变导致的监测失效，显著延长传感器在辐射环境下的使用寿命，同时彻底避免胶体老化、蠕变导致的监测失效，显著延长传感器在辐射环境下的使用寿命。
-
公开(公告)号：CN119831824A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411622430.7
申请日：2024-11-14
Applicant: 吉林电力股份有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司 , 北京信息科技大学
Abstract: 本申请公开了一种基于风格迁移的云图增强方法、装置、设备、介质及产品，涉及云图增强领域，该方法包括对卫星云图数据中的多源云产品数据进行初步增强，确定多源云特征图；基于风格迁移算法，以红外云图作为内容云图，提取所述内容云图的内容特征，并以所述多源云特征图作为风格云图，提取所述风格云图的风格特征；融合所述内容特征以及所述风格特征，生成融合云图；根据所述融合云图预测光伏电站功率，本申请提高了云图数据质量，确保了融合云图不仅维持了云图的基本形态结构，还增添了丰富的颜色分布信息，从而使得预测的光伏电站功率的准确率更高。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117826307B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202311800323.4
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于超材料结构的中红外偏振转换器包括，金属衬底层、在金属衬底层上制备的二氧化硅层，以及在二氧化硅层上制备的超表面层；超表面层包括周期排布的多个超表面结构单元；每一个所述超表面结构单元包括倾斜排布的中间矩形金属块，以及在中间矩形金属块两边倾斜排布的第一矩形金属块和第二矩形金属块；第一矩形金属块、第二矩形金属块和中间矩形金属块平行。本发明可以在3‑5μm波段实现高效的偏振转换，并且可以通过调整结构的参数来灵活改变其工作波长。
-
公开(公告)号：CN117782317B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202311810577.4
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G01J3/28 , H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种基于纳米线超构表面结构的中波多光谱成像器件包括介质基底层，以及在介质基底层上制备的介质缓冲层；在介质缓冲层上沉积GaN/AlN纳米线；GaN/AlN纳米线的一端为GaN，GaN/AlN纳米线的另一端为AlN，GaN/AlN纳米线的中间段为Al0.4Ga0.6N；GaN/AlN纳米线中N元素的浓度为50％，Ga元素和Al元素沿GaN/AlN纳米线长度逐渐改变，并且Ga元素和Al元素的浓度互补；在介质缓冲层上沉积多个阵列的电极，电极与GaN/AlN纳米线接触。本发明通过在Si/SiO2衬底上生长GaN/AlN纳米线，使用电子束光刻在纳米线上制造平行的In/Au电极阵列，最后沉积Al2O3钝化层。使用这种结构，结合正则化算法即可完成对入射光线光谱的重建，舍弃了传统成像系统中复杂沉重臃肿的色散聚焦等器件，实现了小型化、轻量化。
-
公开(公告)号：CN117782317A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311810577.4
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G01J3/28 , H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种基于纳米线超构表面结构的中波多光谱成像器件包括介质基底层，以及在介质基底层上制备的介质缓冲层；在介质缓冲层上沉积GaN/AlN纳米线；GaN/AlN纳米线的一端为GaN，GaN/AlN纳米线的另一端为AlN，GaN/AlN纳米线的中间段为Al0.4Ga0.6N；GaN/AlN纳米线中N元素的浓度为50％，Ga元素和Al元素沿GaN/AlN纳米线长度逐渐改变，并且Ga元素和Al元素的浓度互补；在介质缓冲层上沉积多个阵列的电极，电极与GaN/AlN纳米线接触。本发明通过在Si/SiO2衬底上生长GaN/AlN纳米线，使用电子束光刻在纳米线上制造平行的In/Au电极阵列，最后沉积Al2O3钝化层。使用这种结构，结合正则化算法即可完成对入射光线光谱的重建，舍弃了传统成像系统中复杂沉重臃肿的色散聚焦等器件，实现了小型化、轻量化。
-
公开(公告)号：CN117779188A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311802994.4
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: C30B25/18 , C30B25/16 , C30B29/68 , C30B29/40 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种在GaSb衬底上外延生长InAs/GaSb II类超晶格的方法，包括如下方法步骤：S1、取厚度为500μm的两英寸的GaSb衬底置于分子束外延设备的生长腔；S2、对GaSb衬底升温至300℃进行高温除气，除气时间不少于两小时；S3、对GaSb衬底升温至520℃脱氧，直至GaSb衬底表面形貌点线清晰，保持三分钟；S4、对GaSb衬底降温至440℃，在GaSb衬底上生长厚度为500nm的GaSb缓冲层；S5、对GaSb衬底和GaSb缓冲层降温至420℃，在GaSb缓冲层上生长InAs/GaSb II类超晶格；在GaSb缓冲层上生长InAs/GaSb II类超晶格的过程中，As/In束流比为7～11。本发明优化As/In的束流比，在生长InAs/GaSb II类超晶格时提前打开As阀门，解决了由于缺As导致的InAs/GaSb II类超晶格表面易形成针状“亮点”缺陷的问题。
-
公开(公告)号：CN117191180B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311029156.8
申请日：2023-08-15
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G01H9/00
Abstract: 本发明提供了一种微型化三轴光纤光栅振动传感器包括第一振动组件、第二振动组件和第三振动组件；第一振动组件包括第一固定支座、第一质量块；第二振动组件包括第二固定支座、第二质量块；第三振动组件包括第三固定支座、第三质量块；第一质量块与第三固定支座之间形成第一间隙，第二质量块与第一固定支座之间形成第二间隙，第三质量块与第二固定支座之间形成第三间隙；第一质量块与第三固定支座上安装第一光纤，第一光纤的光栅置于第一间隙内；第二质量块与第一固定支座上安装第二光纤，第二光纤的光栅置于第二间隙内；第三质量块与第二固定支座上安装第三光纤，第三光纤的光栅置于第三间隙内。本发明具有结构尺寸小，测量三个轴向振动的优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
84
records
(took 0.105 seconds)
